电子行业：“AI革命”存储篇算力拉动拐点提前-230411（55页）.pdf

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1、 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 证券研究报告|行业深度 2023 年 04 月 11 日 电子电子“AI 革命”革命”存储篇存储篇：算力拉动，拐点提前算力拉动，拐点提前 ChatGPT 带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。带动算力需求飙升，存算侧带动硬件全面受益。据 NVIDIA 估算，训练 GPT-3，假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下，8 张 V100显卡训练时长预计达 36 年，1024 张 80GB A100 显卡完整训练 GPT-3 的时长为 1 个月，算力侧硬件需求全面增长。此外，大模型训练需要海量数据传输，由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备

2、产生更多需求，相关高算力芯片需求量将相应增长。整体来看，ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求，进而对算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域硬件产生增量需求。国产化存储产业链迎来布局时刻国产化存储产业链迎来布局时刻。1）AI 服务器带来存力硬件需求上行：根据美光数据测算，人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍，NAND 内容将是普通服务器的 3 倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2）库存边际改善，价格修复在即：美光 2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美金，同比下降 2.75%，有望持续改

3、善。AI 服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据 TrendForce 数据，美光及 SK 海力士在内的部分供应商已启动DRAM减产计划，2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%。3）国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023年有望完成产品结构快速升级。存储行业公司市场广阔，行存储行业公司市场广阔，行业业近期近期有望触底回升。有望触底回升。根据 IC Insight 数据，2011 年全球 DRAM 市场规模为 296 亿美金，而 2022 年全球 DRAM 市场规模将达 758 亿美金，CAGR 达 8.9%，其中

4、DDR4 需求疲软之下价格一路下行。根据中金企信统计数据，预计到 2025 年全球 NAND Flash 市场规模有望达到 931.9 亿美元，2021 年至 2025 年 CAGR 增速 7.4%，其中三星依旧占领较大的市场份额，但还未形成绝对的寡头地位。国内储存行业链公司有望持续发展，国产化替代空间广阔。DRAM&NAND Flash 强周期属性强周期属性，人工智能需求增长有望带动行业快人工智能需求增长有望带动行业快速修复速修复。DRAM 是存储器第一大产品，占比全球储存市场 53%的市场份额。当前以三星、海力士和美光三大家为主。看 DRAM 产品迭代，DDR4系当前主流，DDR5 接力入

5、场。NAND Flash 供给端，呈现 CR6 市场规模占比约 99%，寡头市场持续集中。价格方面，我们认为主流及利基型产品价格 2022 年以来下跌跌幅将逐步趋缓。需求端，车规级储存受汽车智能化发展速度加快，AI 等高算力设备推动巨量数据存储或将有望成为新的快速增长点。人工智能算力及数据量增长，带动存储行业人工智能算力及数据量增长，带动存储行业技术迅速发展技术迅速发展。1）HBM：截至 2021 年，SK 海力士和 Rambus 已发布了数据传输速率为 5.2Gbps 和8.4Gbps 的 HBM3 产品，每个堆叠将提供超过 665GB/s 和 1075GB/s 的传输速率，有望快速在 AI

6、 服务器中替代。2）存算一体：目前存算一体大致分为近存计算（PNM）、存内处理（PIM）、存内计算（CIM）。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算（PNM），未来技术成熟度或将快速提高，突破算力存力中间壁垒。3）3D NAND 堆叠：3D NAND将成为主流方向，可突破存储容量限制瓶颈。3D NAND 将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了 2D NAND 在增加容量的同时性能出现下降的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。风险提示风险提示：下游需求不及预期，新品迭代不及预期。增持增持（维持维持）行业行业走势走势 作者作者 分析师分析师 郑震湘郑震湘 执业证书