通信行业碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地国产崛起机遇已至（37页）.pdf

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1、 碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地，碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地，国产崛起机遇已至国产崛起机遇已至 证券研究报告证券研究报告 （优于大市，维持）（优于大市，维持）余伟民（通信行业首席分析师）余伟民（通信行业首席分析师）SAC号码：号码：S0850517090006 联系人：夏凡联系人：夏凡 2022年年12月月31日日 投资要点投资要点 碳化硅性能优异，先进生产力代表。碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高

2、的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。产业链价值高地，产能释放最关键环节。产业链价值高地，产能释放最关键环节。衬底是碳化硅产业链的核心，在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、前段分别占比47%、23%、19%。我们认为，衬底环节是产业链的价值高地，而衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。产能迭代升级，需求起量在即，国产厂商正崛起。产能迭代升级，需求起量在即，国产厂商正崛起。目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近年来发展提速明显。山西烁科为首家宣布可制备8英寸SiC衬底。2021年8月，山西

3、烁科研制出8英寸碳化硅晶体。2022年1月，公司实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达分别宣布掌握8英寸碳化硅衬底制备技术。我们认为，随着国内衬底产品日益成熟、扩产进度逐渐加速，中国衬底厂商有望重塑行业格局，未来在碳化硅衬底环节占领一席之地。投资建议：投资建议：关注天岳先进、晶盛机电、北方华创、高测股份。风险提示：风险提示：产能扩张不及预期，行业景气度不及预期风险；技术研发风险。请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 2 RYnUsQtRUUlWrVZWvX9PaObRsQqQnPpMlOpPnMeRoOm

4、P8OqQvMuOoPoRvPsRtP概要概要 1.材料特征：第三代半导体，性能优异材料特征：第三代半导体，性能优异 2.产业链：占据价值高地，产业链：占据价值高地，3.行业格局：国产崛起机遇已至行业格局：国产崛起机遇已至 4.重点公司分析重点公司分析 5.投资建议投资建议 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 3 材料特征：第三代半导体正当时材料特征：第三代半导体正当时 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 资料来源：北京通美招股书，第三代半导体联合创新孵化中心，海通证券研究所资料来源：北京通美招股书，第三代半导

5、体联合创新孵化中心，海通证券研究所 常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。4 资料来源：资料来源：彭燕，陈秀芳，谢雪健等彭燕，陈秀芳，谢雪健等.半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展，邢根源，邢根源.SiC单晶生长设备

6、热场设计及仿真分析单晶生长设备热场设计及仿真分析，杨，杨祥龙，祥龙，陈秀芳，谢雪健等陈秀芳，谢雪健等.8英寸导电型英寸导电型4H-SiC单晶的生长单晶的生长，海通证券研究所，海通证券研究所 发展历程：历久弥新，现已步入快车道发展历程：历久弥新，现已步入快车道 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 碳化硅的发展主要可以分为三大阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术 的探索阶段,时间跨度从 1824 年发现 SiC 结构至 1955 年 Lely 法的提出。第二阶段是物理基本性质研究 和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。在此阶段物理气相传输(physical