碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇SiC引领行业变革-221008（80页）.pdf

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1、本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明 证券研究报告 1 碳化硅行业深度报告 新材料定义新机遇，SiC 引领行业变革 2022 年 10 月 08 日 碳化硅：第三代半导体突破性材料。SiC 是第三代半导体材料，其具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料。根据 Wolfspeed 预计，2022 年全球碳化硅器件市场规模达 43 亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至 89 亿美元。当前 SiC 功率器件价格较高，是硅基 IGBT 的 35 倍左右，但凭借优异的系统节能特性，SiC 器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器

2、件。SiC 引领行业变革，新需求快速涌现。新能源汽车是碳化硅功率器件下游第一大应用市场，根据我们测算，2026 年全球应用于新能源汽车主驱逆变器的 SiC器件市场规模有望达 44 亿美元。为了提升电动汽车充电速度、缓解里程焦虑，小鹏、比亚迪、长城、保时捷、现代等整车厂陆续推出 800V 高压平台车型，有望推动 SiC 器件在新能源汽车中渗透率进一步提升。国际巨头垄断行业，国产厂商加速破局。当前全球 SiC 衬底总年产能约在4060 万片等效 6 英寸，无法满足下游旺盛需求。根据 Yole 预测，随着衬底厂商技术进步、产能进一步扩张，2025 年 6 英寸导电型衬底价格有望降至 590 美元，这

3、将带动 SiC 器件渗透率提升，有望在未来与 Si-IGBT 双雄并驱。此外，当前 Wolfspeed、II-IV、罗姆三家海外大厂占据了全球 89%导电型衬底市场，意法半导体、英飞凌、安森美、Wolfspeed 等六家海外大厂占据了全球 99%碳化硅功率器件市场，行业格局被海外大厂垄断，国内厂商正在加速破局。新需求带来新机遇，技术进步推动新未来。对于 SiC 衬底制造来说，PVT 法生长速率慢、制备难度大、晶锭良率低，因此产能提升较慢，但衬底制造各环节均有工艺改善空间，溶液生长法、激光切割等技术的进步等有望推动衬底产能进一步提升，衬底有望持续降本。对于 SiC 器件制造来说，由于 SiC 材

4、料透明、离子扩散温度高等特性，在器件制造过程中光刻对准、高能离子注入、高温退火工艺、栅氧质量控制、蚀刻工艺等环节相较硅基器件难度较大，器件制造扩产较为困难。对于 SiC 功率模块来说，由于 SiC 器件耐受工作温度较高，AMB 基板凭借更高的热导率等性能优势，成为 SiC 器件导热基板材料首选。投资建议：随着碳化硅技术的不断突破，国内供应商有望加速追赶国际龙头。建议关注国内垂直一体化龙头厂商三安光电；SiC 衬底制造商天岳先进等；器件厂商时代电气、斯达半导、新洁能、士兰微、华润微、扬杰科技、闻泰科技、中瓷电子、长飞光纤、积塔半导体、比亚迪半导体等；SiC 设备公司北方华创、晶盛机电、中微公司、

5、芯源微等。风险提示：碳化硅在下游应用领域渗透率不及预期；国家产业政策变化；全球碳化硅行业竞争激烈。重点公司盈利预测、估值与评级 代码 简称 股价（元）EPS（元）PE（倍）评级 2021A 2022E 2023E 2021A 2022E 2023E 600703.SH 三安光电 17.48 0.29 0.50 0.67 60 35 26 推荐 688234.SH 天岳先进 107.71 0.21 0.25 0.39 515 439 273 推荐 688187.SH 时代电气 54.20 1.42 1.72 2.11 38 32 26 推荐 603290.SH 斯达半导 324.00 2.33

6、4.49 6.64 139 72 49 推荐 605111.SH 新洁能 85.01 1.93 2.35 3.37 44 36 25 推荐 003031.SZ 中瓷电子 96.07 0.58 0.82 1.20 165 117 80 推荐 603936.SH 博敏电子 11.65 0.47 0.53 0.85 25 22 14 推荐 资料来源：Wind，民生证券研究院预测;（注：股价为 2022 年 9 月 30 日收盘价）推荐 维持评级 分析师 方竞 执业证书：S0100521120004 邮箱： 相关研究 1.电子行业 2022Q2 季报总结：国产化基石+智能电车崛起，电子板块主线明朗-2