2021年半导体产业链发展趋势分析报告（51页）.pdf

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1、在当前全球晶圆产能紧张、需求持续强劲的环境下，美国暴雪及日本地震等自然灾害事 件将进一步加剧芯片供应紧张的局面，从而导致产品价格进一步上涨。2 月份以来，美 国德克萨斯州暴风雪袭击使多地出现停电，导致当地的三星、英飞凌、恩智浦多座晶圆 厂暂时关闭，日本福岛地震导致日本瑞萨的茨城工厂也暂停生产。三星电子位于奥斯汀 的首座晶圆厂建于 1996 年，主要生产 DRAM 存储芯片和 NAND Flash 芯片，2007 年追加第二座(2017 年扩产)晶圆厂，从事晶圆代工业务。三星奥斯汀晶圆厂的逻辑 芯片主要工艺技术为 14nm、28nm、32nm 等，约占三星逻辑芯片总产能的 28%;恩 智浦半导体

2、在德克萨斯州奥斯特有两座 8 寸晶圆厂，主要生产微控制器(MCU)和微 处理器(MPU)、电源管理器件、RF 收发器和放大器以及各类传感器;英飞凌，其于去年完成收购的赛普拉斯在奥斯汀也有一座 8 寸晶圆厂，主要生产 130nm 的芯片。除 了三星、恩智浦、英飞凌之外，X-FAB 在德克萨斯州有一座 6 寸厂，Skyworks 有一座 12 寸厂，TowerJazz 有一座 8 寸厂，德州仪器有一座 6 寸厂、两座 8 寸厂和两座 12 寸厂以及一座在建的12 寸厂，另外 Qorvo 也有一座 6 寸厂和 8 寸厂在德克萨斯州。NOR Flash 是受影响较为明显领域之一，全球排名前五的 NOR

3、 Flash 供应商 Cypress 在当 地的工厂停止生产，该工厂的 NOR Flash 产能约占全球市场的 5%。2021 年 1 月 8 日，三星发布 20Q4 业绩预告，计划将 2021 年 DRAM 资本支出维持在 2020 年水平，并且将部分 DRAM 产线转换为图像传感器产线，因而 2021 年 DRAM 资 本支出实际将比 2020 年更低，我们认为三星存储业务偏保守的 Capex 有利于 DRAM 价格的回暖，预计 2021 年三星的投资重点将更加侧重 NAND Flash 及晶圆代工领域。 台积电近两年来的资本开支均保持较大幅度增长，2020Q4 业绩说明会中指出，2021 年资本开支预算将达到 250-280 亿美元(vs2020 年资本开支 170 亿美元)，同比增长 约 50%，这些资本支出中 80%用于先进制程工艺，包括 3 纳米、5 纳米和 7 纳米，10% 用于先进包装和掩膜制造，10%用于特殊工艺，台积电资本支出大幅提升是半导体行业 景气上行的重要标志。 另外，近期 Intel 潜在的晶圆外包政策值得关注，IDM 巨头部分晶圆外包可能短期对现 有晶圆代工产能产生压力，长期看进一步驱动晶圆代工 Capex 提升