国盛证券报告重点分析长电科技XDFOI先进封装技术平台。公司XDFOI多维扇出封装技术于2021年推出，面向Chiplet的极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案，涵盖2D、2.5D、3D集成技术。目前Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已进入稳定量产阶段，在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域实现应用。公司2024年资本开支60亿元，2025年资本开支计划达85亿元，远超行业第二安靠的8.5亿美元，持续加码先进封装产能。

长电科技XDFOI技术平台于2021年推出，是一种面向Chiplet的极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案。该技术利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化，涵盖2D、2.5D、3D集成技术，公司正持续推进其多样化方案的研发及生产。

XDFOI的核心优势在于高密度集成与高效散热。经过持续研发与客户产品验证，XDFOI不断取得突破，已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用，为客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。当前Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已进入稳定量产阶段。

从技术演进看，从SoC走向Chiplet是行业趋势。未来随着对互连速度和集成密度要求的提升，芯片设计会越来越多采用Chiplet和混合键合技术。封测厂扎根于载板，主要聚焦于CoWoS中的后道oS工艺（2D/2.5D方案），而晶圆厂更擅长加工晶圆，聚焦CoW工艺和3D堆叠。长电科技XDFOI平台覆盖2D、2.5D、3D全系列集成技术，在封测厂中具备差异化优势。

长电科技XDFOI技术平台核心能力

技术维度	覆盖范围	应用领域
集成类型	2D、2.5D、3D多维异构集成	Chiplet高密度封装
应用领域	HPC、AI、5G、汽车电子	高性能计算、智能驾驶
量产状态	Chiplet系列工艺已稳定量产	客户产品持续验证
产品特点	轻薄、高速率、低功耗	高密度集成+高效散热

先进封装市场需求持续增长。Yole数据显示，2023年先进封装市场价值378亿美元，预计2029年将超过695亿美元，2023-2029年CAGR达11%。整个半导体市场中先进封装占比不断增加，预计到2026年将超过50%的市场份额。

受AI和HBM应用爆发驱动，2.5D/3D封装增速领先。2023-2029年2.5D/3D封装技术CAGR达18%。先进封装技术主要包括Flip Chip倒装、WLCSP晶圆级封装、Fan Out扇出、2.5D/3D封装等。AI时代对芯片集成度和散热提出了更高的要求，先进封装的需求日益增加。

先进封装技术在终端应用广泛覆盖：CPU/GPU/APU/DPU领域主要采用FC、FO、2.5D/3D；存储领域采用FC、3D、WB、QFN、WLCSP、SIP；智能驾驶采用FC、2.5D/3D、FO、SIP；HPC采用FC、2.5D/3D、WB、SIP；5G通信采用FC、2.5D/3D、FO、SIP。先进封装正成为AI时代芯片性能提升的关键路径。

长电科技资本开支持续加码先进封装产能。公司2024年资本开支60亿元，2025年资本开支计划达85亿元，远超行业第二安靠的8.5亿美元（约61亿元人民币）。公司持续聚焦高性能先进封装和测试产能的扩张，以满足客户在云计算、数据中心、高性能存储、高密度电源管理芯片方面的需求。

从全球封测行业看，先进封装产能成为稀缺资源。台积电CoWoS产能持续紧张，封测厂在oS工艺环节的产能价值凸显。长电科技通过大规模资本开支，在先进封装产能上构建差异化竞争优势。应用于高端服务器的高密度电源模块需求旺盛，产品占比显著提升。

内资封测厂在先进封装领域逐渐崭露头角。除长电科技XDFOI稳定量产外，通富微电在高端处理器和AI芯片封装领域保持增长，甬矽电子先进封装产线正在通线和验证阶段。国内封测厂商在先进封装领域的持续投入将推动全球封测竞争格局变化。

XDFOI的技术优势体现在协同设计理念和全系列集成能力。公司利用协同设计理念实现芯片成品集成与测试一体化，涵盖2D、2.5D、3D全系列集成技术。相比其他封测厂主要聚焦于单一封装类型，XDFOI平台提供从2D到3D的完整技术路线，可满足客户多样化需求。

从先进封装发展趋势看，混合键合技术将得到大规模应用。台积电CoWoS使互联密度提升10倍以上，3D堆叠SoIC可把互联密度提升100倍以上。首个采用3D堆叠技术的CPU于2022年出货，首个GPU于2023年出货。长电科技XDFOI平台在2.5D/3D方向的持续突破将推动公司向更高附加值市场迈进。

公司研发持续投入，24H1共获境内外专利授权66件（发明专利60件，境外发明专利36件），新申请专利332件。截至24H1末拥有专利3034件（发明专利2492件，美国专利1451件），知识产权壁垒持续巩固。