东吴证券报告测算，随着HBM和3D NAND陆续导入混合键合工艺，2030年前混合键合设备累计需求将超1400套，对应设备价值量约28亿欧元（约200亿人民币）。全球混合键合设备市场由BESI主导，市占率高达67%。国内拓荆科技推出Dione 300和Propus，迈为股份对位精度<100nm，芯慧联2台D2W和W2W设备已出货。国产设备商正从追赶到并行，有望在混合键合产业化浪潮中充分受益。

混合键合设备需求的核心驱动力来自两个方面。一是AI/HPC芯片推动先进封装固晶步骤激增。AMD EPYC处理器键合步骤从2017年第一代的4次增至2023年第四代的超50次【23†L3-L5】。二是存储器全面导入混合键合，HBM4+对堆叠层高、接触点、散热等要求更高，韩系三巨头预计从HBM4开始用混合键合全面替代其他键合方式【21†L5-L8】。

Besi预计混合键合工艺2025年逐步导入存储器生产，并在2027年左右应用于手机处理芯片。在中性预期下，2030年前混合键合设备累计需求将超1400套，对应设备价值量约为28亿欧元【23†L6-L9】。考虑到Besi 8800 Ultra混合键合设备单价150-250万美元，是传统倒装键合机（50万美元）的3-5倍【23†L5】。

全球混合键合设备市场高度集中。2023年BESI市占率约67%，是该领域的绝对龙头【24†L3-L5】。Besi的设备广泛应用于3D IC、MEMS和先进封装等领域，在高端市场具有显著优势【24†L3-L4】。

主要竞争者包括奥地利EVG和德国SUSS。EVG是为半导体、MEMS、化合物半导体提供晶圆键合设备和工艺解决方案的领先供应商，产品涵盖金属键合、玻璃熔融键合、阳极键合、胶键合和临时键合等【34†L3-L7】。SUSS提供全自动晶圆键合机（XBS200和XBS300）和半自动键合机，键合力最高可达100kN，键合温度最高550℃【35†L3-L7】。

ASMPT在热压键合领域领先，其FIREBIRD TCB系列已批量交付超250台，同时布局混合键合机LITHOBOLT，加工精度达200nm【36†L8-L12】。

国内设备商正积极布局混合键合设备，有望充分受益于混合键合产业化。

拓荆科技推出W2W键合产品Dione 300和D2W混合键合前表面预处理产品Propus，均获得重复订单。2023年公司两台W2W键合产品和一台D2W系统确认收入共6800万元。D2W晶圆键合设备研发完成，适用于HBM和AI芯片【39†L6-L8】。

迈为股份是国内第一家混合键合设备做到正负100nm精度的公司，接下来的目标是正负50nm，对标国际龙头EVG和Besi【37†L4-L6】。2024年3月，迈为推出全自动晶圆临时键合设备、晶圆激光解键合设备、全自动熔融/混合键合设备等【37†L3-L4】。

芯慧联（百傲化学）2台D2W和W2W混合键合设备已经出货，设备精度达国际先进水平【24†L12-L13】。芯源微临时键合机、解键合机已与国内多家2.5D和HBM客户达成深度合作【40†L7-L8】。

国产混合键合设备布局对比

公司	产品	核心性能	进展
拓荆科技	Dione 300（W2W）、Propus（D2W预处理）	性能和产能指标国际领先	获重复订单，2023年确认收入6800万元
迈为股份	混合键合设备	对位精度<100nm，目标<50nm	多台设备进入打样阶段
芯慧联	SIRIUS RT300、CANOPUS RT300	精度达国际先进水平	2台D2W和W2W设备已出货