HBM制造涉及TSV刻蚀、镀铜、TCB键合、CMP等多道工艺，相关设备长期由欧美、日本企业主导。金元证券研究报告指出，国内设备企业正加速突破——拓荆科技PECVD、ALD及混合键合设备出货超1000个反应腔，华海清科Versatile系列覆盖减薄、CMP、清洗一体化，盛美上海ECP设备支持高深宽比TSV镀铜。国产替代进程开启，但整体国产化率仍较低。

HBM生产闭环涉及TSV工艺、镀铜、TCB热压键合、晶圆切割、CMP、CMP抛光液等环节，主要以欧美、日本企业为主。当前国内HBM2e仍处于测试阶段，核心工艺设备国产化率仍然较低。TSV刻蚀环节、TCB热压键合及相关材料上国内企业差距明显。HBM工艺复杂，涉及产业链设备及产业链仍以海外企业为主，地缘影响较大。

拓荆科技具备高精度薄膜沉积能力，2024年公司出货超过1000个设备反应腔，创历史年度新高。PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD及混合键合设备系列产品量产规模不断扩大。超高纵横比沟槽填充CVD设备PF-300T Flora累计出货量超过15腔，PECVD Bianca工艺设备（晶圆背面薄膜沉积）接到超过25个反应腔订单。混合键合方面，W2W混合键合设备Dione 300实现12寸晶圆对晶圆混合键合和熔融键合；D2W混合键合表面预处理及键合表面清理设备Propus应用于芯片对晶圆三维集成；Crux 300实现键合后精度测量。

盛美上海自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map及三维电镀设备Ultra ECD 3d。多阳极局部电镀技术采用新型电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级快速切换，在超薄籽晶层上完成无空穴填充。应用于填充3D硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备Ultra ECP 3d，可为高深宽比（大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。公司营业收入持续增长，毛利率维持较高水平。

华海清科产品包括Universal系列CMP设备、Versatile系列减薄设备、HSC系列清洗设备等，覆盖多道HBM必备工艺。Versatile系列满足3D IC对超精密磨削、CMP及清洗的一体化工艺需求。Versatile-GP300应用于3D IC制造、先进封装等领域超精密减薄工艺。HSC系列覆盖大硅片清洗和FEOL/BEOL晶圆正背面及边缘清洗工艺。公司晶圆再生服务已实现双线运行，获得多家大生产线批量订单。随着CMP设备保有量增加，耗材零部件、维保服务需求同步提升。

HBM设备国产化率仍处于较低水平，但国内企业已在部分环节实现突破。CMP环节华海清科、CMP抛光液鼎龙股份具备国产替代能力；薄膜沉积和混合键合环节拓荆科技已实现出货；电镀设备盛美上海达到国际水平。TSV刻蚀、TCB热压键合等核心环节国产化仍为空白。在HBM需求高速增长（IDTechEx预测2035年销售额较2024年增长15倍）的背景下，国产设备企业有望受益于国内存储厂商扩产和国产替代进程。