东海证券报告指出,AI终端算力提升正驱动散热需求全面升级。2025年中国AI手机出货量预计1.18亿台,同比增长59.8%,整体市场占比40.7%。GPU热设计功率(TDP)从2005年约100W攀升至2025年约700W,预计2035年突破1000W。数据中心冷板冷却方案占液冷市场91%,2023年中国智算中心投资规模达897亿元同比增长90%以上。热界面材料(TIM)作为主流散热方案必要参与者,在AI终端散热体系中的价值量持续提升。
AI手机爆发,TIM在智能手机散热中不可或缺
2024年全球智能手机市场增长7%摆脱连续两年下滑。自2023年下半年起,vivo、OPPO、荣耀、华为、小米纷纷发布AI大模型,向生成式AI手机进化。IDC预测2025年全球生成式AI手机出货量同比+73.1%,2028年将达9.12亿部。2025年中国AI手机出货量1.18亿台,整体市场占比40.7%。
以智能手机为例,以石墨膜和VC均热板为主的散热设计系统逐渐成为主流趋势。热界面材料作为填充电子元件与散热器之间空气的关键材料,在AI手机更高算力芯片的散热方案中不可或缺。随着新一代更高算力旗舰芯片的使用,30TOPs以上NPU算力的中高端芯片普及,TIM导热系数要求从3.5W/mK向6.5W/mK升级。
以智能手机为例,以石墨膜和VC均热板为主的散热设计系统逐渐成为主流趋势。热界面材料作为填充电子元件与散热器之间空气的关键材料,在AI手机更高算力芯片的散热方案中不可或缺。随着新一代更高算力旗舰芯片的使用,30TOPs以上NPU算力的中高端芯片普及,TIM导热系数要求从3.5W/mK向6.5W/mK升级。
新能源汽车三电系统,导热胶需求2033年增16倍
新能源汽车的不同部件需要不同的TIM产品。在电池系统中,导热胶粘剂广泛应用于PACK密封、结构粘接、结构导热、电池灌封等方面。聚氨酯导热结构胶因其粘接强度和经济成本优势成为众多电池厂选择。
电控系统方面,现下最大趋势是从Si IGBT过渡到SiC MOSFET,结温从150℃升至175℃甚至200℃,对高性能TIM需求有望持续提高。用于EV电力电子器件的典型TIM2热导率约3.5W/mK,安森美VE-Trac中应用的霍尼韦尔PTM7000热导率达6.5W/mK。电机系统则应用高导热胶对定子进行整体灌封。IDTechEx预计导热胶2033年市场将较2020年增长16.1倍。
电控系统方面,现下最大趋势是从Si IGBT过渡到SiC MOSFET,结温从150℃升至175℃甚至200℃,对高性能TIM需求有望持续提高。用于EV电力电子器件的典型TIM2热导率约3.5W/mK,安森美VE-Trac中应用的霍尼韦尔PTM7000热导率达6.5W/mK。电机系统则应用高导热胶对定子进行整体灌封。IDTechEx预计导热胶2033年市场将较2020年增长16.1倍。
数据中心智算升级,GPU TDP突破700W
2023年中国智算中心市场投资规模达897亿元,同比增长90%以上。预计2028年中国智算中心市场投资规模有望达2886亿元,较2023年增长超3倍。GPU TDP从2005年约100W攀升至2025年约700W,预计2035年突破1000W。
冷板冷却(直接芯片冷却)是数据中心主导液冷解决方案,2022年冷板式数据中心市场规模约91.5亿元,应用比例达91%。冷板直接安装在热源(芯片组、CPU等)顶部,中间有一层TIM增强传热。冷板日益普及将推动数据中心TIM需求增长,尤其是用于处理器和芯片组的TIM。IDTechEx预测2022-2034年数据中心TIM市场规模将增长18倍。
冷板冷却(直接芯片冷却)是数据中心主导液冷解决方案,2022年冷板式数据中心市场规模约91.5亿元,应用比例达91%。冷板直接安装在热源(芯片组、CPU等)顶部,中间有一层TIM增强传热。冷板日益普及将推动数据中心TIM需求增长,尤其是用于处理器和芯片组的TIM。IDTechEx预测2022-2034年数据中心TIM市场规模将增长18倍。
5G基站功耗为4G的2.5-3.5倍,EMI屏蔽TIM需求上升
5G使用更高频率和更短波长,功耗约为4G的2.5-3.5倍,天线和相关电子器件尺寸缩小带来更大散热挑战。截至2024年底我国5G基站425.1万个,较上年末净增87.4万个,占移动电话基站总数33.6%。《5G规模化应用“扬帆”行动升级方案》要求2027年底每万人拥有5G基站数达38个,未来三年仍有约25%增长空间。
5G带来更多电磁干扰挑战,需要既能提供EMI屏蔽又能提供高热导率的EMI TIM。传统板级屏蔽(BLS)内部和外部都有一层TIM,新方案可直接在芯片上使用单层TIM和EMI吸收器与散热器接触,提高整体散热性能并降低制造复杂性。
5G带来更多电磁干扰挑战,需要既能提供EMI屏蔽又能提供高热导率的EMI TIM。传统板级屏蔽(BLS)内部和外部都有一层TIM,新方案可直接在芯片上使用单层TIM和EMI吸收器与散热器接触,提高整体散热性能并降低制造复杂性。
| 终端类型 | 算力/功耗趋势 | 散热方案 | TIM需求 |
|---|---|---|---|
| AI手机 | NPU算力30TOPs+,芯片功耗提升 | 石墨膜+VC均热板 | 导热系数3.5→6.5W/mK |
| AI PC/服务器 | GPU TDP 700W→1000W+ | 冷板液冷(占91%) | 数据中心TIM增长18倍 |
| 新能源汽车 | SiC MOSFET结温200℃ | 导热胶+导热硅脂 | 导热胶2033年增16.1倍 |
| 5G基站 | 功耗为4G的2.5-3.5倍 | EMI屏蔽TIM | 未来3年基站增25% |
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