民生证券台积电报告显示，全球半导体先进制程竞赛正进入2nm时代的关键窗口期。台积电2nm（N2）制程已完成试生产，良率达60%，预计2025年第四季度实现量产。N2较N3E密度提升15%，同功耗下性能提升10%-15%，同速下功耗降低25%-30%。三星预计2025年推出SF2，英特尔计划2025年推出14A。晶体管架构从FinFET向GAA Nanosheet全面迁移，开启新一轮技术迭代周期。

2nm制程标志着半导体制造从FinFET时代迈入GAA（环绕栅极）时代。台积电、三星、英特尔三大巨头均在2nm节点投入巨额研发资源。台积电N2采用GAA Nanosheet晶体管结构，结合NanoFlex创新技术允许设计人员在同一设计中灵活选择不同高度的元件组合，实现性能、功耗和面积的最优平衡。三星SF2同样采用GAA技术，但路线从3nm的GAA早期版本（MBCFET）演进而来。英特尔14A则结合GAA和PowerVia背侧供电技术。三家技术路径各有侧重，但台积电在量产时间、良率控制和客户导入方面保持领先。

台积电N2相比N3E实现了全面的技术指标提升：晶体管密度提高15%，在相同功耗条件下性能提升10%-15%，在相同频率和复杂度条件下功耗降低25%-30%。N2首次引入GAA Nanosheet晶体管取代沿用多年的FinFET结构，解决了3nm以下FinFET物理尺寸缩放受限的问题。NanoFlex创新技术允许在同一设计中使用不同高度的元件——较低高度元件减少芯片面积提高能效，较高高度元件实现性能最大化。台积电表示N2P作为N2强化版计划2026年推出，预计性能再提升5%、能耗再降5%-10%。

据中国台湾《工商时报》报道，每片300mm 2nm晶圆定价有望超过3万美元，较3nm晶圆（1.85万-2万美元）和4/5nm晶圆（1.5万-1.6万美元）大幅提升。2nm高定价反映GAA工艺的研发成本分摊和产能稀缺性。2024年前三季度台积电3nm收入83亿美元（占晶圆代工收入15%）、5nm收入190亿美元（占34%），两者合计占比近50%。随着2nm于2025年底量产、2026年放量，预计2026-2027年2nm将成为收入贡献的重要一极，推动台积电整体ASP和毛利率进一步提升。

台积电计划在2026年底推出A16（1.6nm）工艺，成为首个“埃米级”工艺节点。A16将首次引入背侧供电网络技术（BSPDN），结合GAAFET纳米片晶体管，在N2P基础上性能再提升8%、功耗再降低15%-20%。BSPDN将电源传输网络移至晶圆背面，释放正面布线资源，降低IR压降和电阻电容延迟。台积电、英特尔、三星均在埃米节点布局，台积电A16预计2026年底风险试产、2027年量产，英特尔14A预计2025年推出、14A-E于2027年跟进，三星SF1.4预计2027年推出。

表：台积电N3、N2、A16工艺关键参数对比

工艺节点	对比基准	功耗降幅	性能提升	密度提升
N3	N5	25-30%	10-15%	~1.6x
N3E	N5	34%	18%	1.3x
N2	N3E	25-30%	10-15%	1.15x
N2P	N2	5-10%	5%	1.15x
A16	N2P	15-20%	8%	1.07x