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流动污染源的来源以及测定

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1、要求,现阶段,芯片技术节点不断提升,从55nm,40nm,28nm至14nm,7nm及以下,对晶圆表面污染物的控制要求越来越高,往往光刻,刻蚀,沉积等重复性工序前后都需要一步清洗工序。

2、要在光刻,刻蚀,沉积等关键工序前后进行清洗,去除晶圆沾染的化学杂质,减小缺陷率,而在封装阶段,需根据封装工艺进行TSV清洗,UBMRDL清洗等,上述清洗工序的技术要求是影响芯片成品率,品质及可靠性最重要的因素之一,在半导体硅片的制造过程中。

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