图5接触或接近式及投影式光刻技术原理-行业数据

（1）接触式与接近式光刻机是最早的方式，这样的工艺尺寸在μm 级别。1）上世纪 60年代接触式光刻机诞生，它的掩膜版直接与光刻胶层接触，是最简单的光刻设备，目前依然有小批量的产品制造和实验室研究，主要应用于 5μm 以上的工艺。这种光刻机掩膜版上的图形与曝光产生的图像基本是一比一的关系，一次性可以曝光整个衬底。由于未通过透镜对光进行处理，所以极大地减少了光的衍射效应；但是在接触过程中，衬底与掩膜版之间的光刻胶直接接触，导致极其容易产生污染，降低了产品的良率同时也减少了掩膜版的寿命，所以引进了接近式光刻机。2）与接触式光刻机相比，接近式光刻机为了避免掩膜版与光刻胶直接接触产生污染，所以在掩膜版和光刻胶中间填充了氮气的间隙。掩膜版漂浮在氮气上方，由于掩膜版与光刻胶距离越远，光越分散，所以在接近式光刻机里。最小分辨率尺寸是与间隙成正比的，间隙越小，最小分辨率尺寸就越小，也就是分辨率越高。通常情况，掩膜版与光刻胶的最小间隙控制在 2μm 到 3μm 之间。