3DNAND闪存对比2D具有寿命优势-行业数据

按空间结构分，NAND Flash 又可分为 2D 和 3D 结构两大类。2D NAND作为传统工艺，随着线宽不断缩小，串扰问题严重，因此 3D NAND 成为技术发展方向。3D NAND 通过多层垂直堆叠技术，既能够提高单位面积存储密度，又能改善存储单元性能，且具有更低成本的优势。三星电子于 2013 年率先开发出可商业化应用的 24 层 3D NAND，2020 年 3D NAND 高端先进制程进入 176 层阶段，各家原厂开始往 200 层以上进军。目前美光宣布其 232 层 NAND 闪存芯片已实现量产，成为全球首款突破 200 层大关的固态存储芯片。