【申港证券】电子行业研究周报:中芯国际毛利率及产能指标修复,存储资本支出或对位元出货支撑有限-251118(12页).pdf

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2、Q3 实现营收 23.82 亿美元、环比增长 7.8%,超出此前指引。毛利率 22.0%、环比上升 1.6 个百分点,高于此前指引。产能利用率上升至 95.8%、环比增长 3.3 个百分点,25Q3 月产能超过 100 万片。公司三季度出货量、平均单价均实现环比增长,产能利用率提高、产品结构调整,使得毛利率超出指引。公司在 25Q1 业绩说明会表示,公司厂务年度维修、设备验证中出现的影响公司生产指标的事项预计延续三到五个月,三季度产能及毛利等指标如期修复。公司晶圆收入中,消费电子、工业与汽车、电脑与平板占比环比提高,公司表示,国内客户产品加速在海外市场拓展份额,各类消费电子供应链需求旺盛,使得

3、消费电子季度收入贡献环比提高,手机收入贡献环比有所下降源于客户需求量的季节性调整,AI 芯片晶圆代工相关的电脑与平板分类收入贡献环比小幅提高,公司表示产线仍处于供不应求的状态。公司预期国际财务报告准则下的 25Q4 指引为季度收入环比持平至上升 2%,毛利率介于 18%至 20%的范围内。我们认为,在 AI 算力需求提升和半导体自主可控大背景下,国产代工有望在更先进制程和更大产量层面继续提升,国际龙头向更先进制程的产能结构调整也为国产代工留出空间,建议关注中芯国际、华虹公司的预期及估值提升。存储大厂频传提价,产业存储大厂频传提价,产业 2026 年资本支出或对位元产年资本支出或对位元产出支撑有

4、限,供需紧张出支撑有限,供需紧张局面有望延续。局面有望延续。根据芯智讯和 DigiTimes,近期闪迪将其 11 月 NAND Flash闪存合约价格提高 50%,公司在 9 月已宣布对 NAND Flash 合约价调涨 10%,涨价对下游存储供应链带来冲击,促使创见、宜鼎和宇瞻科技等存储模组制造商暂停出货并重新评估报价。本月三星电子将某些 DRAM 芯片(DDR5)的价格相比 9 月份上涨 60%。TrendForce 集邦咨询调查显示,随着存储器平均销售价格持续提升,DRAM与 NAND Flash 后续的资本支出将会持续上涨,但对于 2026 年的位元产出增长支撑有限。DRAM 和 NA

5、ND Flash 产业的投资重心正逐渐转变,从单纯地扩充产能,转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及 HBM 等高附加价值产品。Samsung 和 SK Hynix/Solidigm(思得)将缩减或限制 NAND Flash资本支出,优先将投资转向 HBM 和 DRAM 领域。TrendForce 认为,NAND Flash 市场的供不应求状态预计将延续 2026 年全年。建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动,以及 HBM 对混合键合等封装技术和高端产能的带动,建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。投资策略:投资策略:在 AI

6、 算力需求提升和半导体自主可控大背景下,国产代工有望在更先进制程和更大产量层面继续提升,国际龙头向更先进制程的产能结构调整也为国产代工留出空间,建议关注中芯国际、华虹公司的预期及估值提升。建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动,以及 HBM 对混合键合等封装技术和高端产能的带动,建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。风险提示:风险提示:贸易摩擦加剧,需求复苏不及预期,产能扩张不及预期,竞争加剧 评级评级 增持增持(维持维持)2025 年 11 月 18 日 王伟 分析师 SAC 执业证书编号:S1660524100001 行业基本资

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