【开源证券】电子行业点评报告：周期上行叠加工艺突破，存储芯片设备国产替代加速-251109（3页）.pdf

1、电子电子 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1/3 电子电子 2025 年 11 月 09 日 投资评级：投资评级：看好看好（维持维持）行业走势图行业走势图 数据来源：聚源 AI 算力自主可控的全景蓝图与投资机遇2026 年度投资策略半导体篇-2025.11.3 宏观扰动落地，继续关注算力/存储/消费电子板块行业周报-2025.11.2 科技立国，把握算力、存力、AI 终端投资机会行业周报-2025.10.26 周期周期上行叠加上行叠加工艺突破，工艺突破，存储芯片设备国产替代加速存储芯片设备国产替代加速 行业点评报告行业点评报告 陈蓉芳（分析师）陈蓉芳（分析师）陈瑜熙（分析师）陈瑜熙（分

2、析师） 证书编号：S0790524120002 证书编号：S0790525020003 国产设备取得突破国产设备取得突破+两存上市缓解资金压力，两存上市缓解资金压力，存储存储扩产有望扩产有望步入步入高增高增 2025 年两存扩产进度缓慢，我们认为主因设备限制与资金压力。一方面，长存于今年年初被纳入实体清单，导致进口设备采购困难，一定程度上限制了产能的扩张。另一方面，目前长鑫、长存已分别完成股改与上市辅导，IPO 财务压力下，预计将阶段性控制 Capex 规模，主动控制投资节奏。我们认为，出口限制导致的验证受限与 IPO 前财务压力共同制约了设备需求的释放。不过往后看，国内设备公司已经逐步在关键

3、工艺设备上取得积极进展，同时长鑫长存资金压力也有望在 IPO 后得到明显缓解，国产存储扩产有望迎来高速增长。AI 需求需求带动的带动的存储存储短缺短缺或将或将至少至少持续至持续至 2027 年，扩产的必要性在提升年，扩产的必要性在提升 在 AI 超级周期的拉动之下，存储芯片正面临短缺。从需求层面看，AI 服务器对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为 3 倍，2025 年 AI 对存储的需求占比来到 40%，未来或将进一步提升。此外 HDD 的产能紧张也导致 SSD 为代表的半导体存储渗透加速；供给层面而言，三星、海力士等原厂均表示未来将把大

4、部分资本开支投向持续紧缺的 HBM 及高利润率的产品。结果而言，据半导体产业观察，传统 DRAM 可能在 2027 年后才开始回稳，NAND 与高容量存储需求可能会持续至 2028 年甚至更久，因此我们认为国内存储厂商扩产有望在缺货的情况之下带动份额扩张，扩产的必要性在提升。国产设备在国产设备在关键工艺逐渐实现突破关键工艺逐渐实现突破，存储设备国产化率有望快速提升存储设备国产化率有望快速提升 从工艺层面而言，存储扩产将会显著带动刻蚀与薄膜设备需求，如 3D NAND 涉及的关键工艺包含 ONON 交替沉积、高深宽比通孔刻蚀、孔壁 ONO 沉积、台阶刻蚀、狭缝刻蚀等；而 DRAM 涉及的关键工艺

5、包括多重曝光、电容高深宽比刻蚀和沉积、HKMG 沉积等。具体而言，ONON 沉积涉及反复的刻蚀和沉积循环；高深宽比刻蚀为保证垂直度和侧壁保护、高选择比、刻蚀速率等，需要更复杂的离子源设计、更多的腔室及更精确的控制能力，带动设备价值量提升；ONO 沉积需保持薄膜均匀性和膜厚控制，涉及到多类工艺的的 ALD，带动薄膜沉积设备需求。最后多重曝光和 Gate Last HKMG 分别涉及重复的刻蚀沉积循环和复杂的伪栅替代工艺，均会带动薄膜沉积和刻蚀设备的用量。此外，在工艺步骤增加的趋势下，过程控制与电学测试设备需求也有望提升。当前国产设备公司在各类工艺取得突破，如北方华创、中微公司部分高深宽比刻蚀设备

6、已经在下游客户产线实现量产，拓荆科技应用于先进制程的薄膜沉积机台也已在 Q3 实现量产，同时中科飞测明场纳米图形晶圆缺陷检测设备也已进入先进产线验证。因此，持续突破下，存储设备国产化率有望步入增长快车道。主要主要受益标的受益标的 刻蚀设备：刻蚀设备：北方华创、中微公司；薄膜沉积设备：薄膜沉积设备：拓荆科技、北方华创、微导纳米、迈为股份等；过程控制过程控制设备：设备：中科飞测、精测电子等；后道设备：后道设备：长川科技、精智达、矽电股份等。风险提示：风险提示：下游晶圆厂扩产不及预期、行业竞争格局加剧等。-29%-14%0%14%29%43%58%2024-112025-032025-07电子沪深3