1、证券研究报告|行业周报 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 gszqdatemark 电子电子 周观点:周观点:AI 持续高景气,持续高景气,存力演绎进行时存力演绎进行时 NAND Flash 供应商加速转进大容量供应商加速转进大容量 Nearline SSD。当前 HDD 市场面临显著供应缺口,这一现状反过来推动 NAND Flash 厂商加速技术迭代,积极投入 122TB 乃至 245TB 等超大容量近线(Nearline)SSD 的生产。新一代热辅助磁记录(HAMR)技术产线初期需投入高昂成本,不仅造成产能扩张瓶颈,还迫使供应商将成本压力转嫁至客户端,导致 ASP Per
2、GB 从过往的 0.012-0.013 美元升至 0.015-0.016 美元,HDD 最核心的成本优势被大幅削弱。NAND Flash 借助 3D 堆栈技术的持续演进,产能提升速度远超 HDD;且随着堆栈层数从上百层向 200 层以上突破,晶圆存储位元密度不断提高,预计 2026 年 2Tb QLC 芯片产能将逐步释放,成为拉低 Nearline SSD 成本的核心力量。我们认为 Nearline SSD 对 HDD 的替代效应将进一步提升 NAND 的需求,AI 驱动下存储需求动能不断。三星三星 25Q3 业绩超预期,业绩超预期,2027 年将量产年将量产 HBM4E。三星 25Q3 业绩
3、超预期,营收重回存储供应商之首。三星 25Q3 营业利润为 12.1 万亿韩元(约85 亿美元)超预期,营收攀升约 9%至 86 万亿韩元。根据 Counterpoint咨询,三星电子 2025 年 Q3 的存储营收达 194 亿美元,重返全球最大的存储供应商之首。本季度三星的优异表现主要受益于市场对其传统 DRAM与 NAND 的强劲需求。在下一代产品方面,三星电子在 2025 年 OCP 全球峰会上宣布 HBM4E 计划于 2027 年实现量产。存储价格大幅上涨,威刚存储价格大幅上涨,威刚 10 月开始惜售月开始惜售。DRAM 市场,SSD 成本急剧上升,现货有限,市场部分暂停报价。其中
4、DRAM 市场价格创下年度最大单周涨幅,看涨情绪高涨,炒作势头依然强劲。Flash 颗粒成交价普遍较合约价溢价 20%以上;USB 颗粒市场货较少,价格走强。威刚 10 月开始惜售,陈立白表示 DRAM 三大原厂的库存仅能维持 2 至 3 周的正常供应。我们认为存储市场价格的持续上涨主要系 AI需求带来的供需紧缺以及 AI存储产能挤占下其他领域的供给减少,存储价格有望续涨。存储涨价已反应至终端,存储涨价已反应至终端,vivo X300 系列售价较前代普遍上调系列售价较前代普遍上调。预计四季度存储原厂将对移动终端用 NAND(Mobile NAND)及 LPDDR5X 等产品实施价格上调。存储芯
5、片作为关键硬件,其价格上涨带来的成本压力已在近期发布的部分旗舰手机定价中有所体现。以近日推出的 vivo X300 系列为例,在相同存储配置下,该系列机型售价较上一代 vivo X200 系列高出 100-300 元,且新增 16GB+256GB 版本,定价 4699 元;而 vivo X300 Pro 系列与 vivo X200 Pro 系列相比,12GB+256GB、16GB+512GB 版本售价保持一致,但 16GB+1TB 版本售价上调了 500 元。OCP 大会召开,大会召开,AI 新方案频出新方案频出。2025 年 OCP 正式召开,本届峰会上,围绕 AI 主题,多家大厂展出创新产
6、品或解决方案,涉及 GPU、AI 服务器、液冷散热、存储器等。其中,英伟达正式发布800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure白皮书,预计在最新 Vera Rubin GPU平台与 Kyber 系统架构中,首次采用 800VDC 供电体系,单机柜功率从200KW 升至 1MW。此外,十二家公司宣布成立 ESUN 工作组。增持增持(维持维持)行业走势行业走势 作者作者 分析师分析师 郑震湘郑震湘 执业证书编号:S0680524120005 邮箱: 分析师分析师 佘凌星佘凌星 执业证书编号:S0680525010004 邮箱: