2025光刻机行业国产替代进程、核心子系统突破与产业链标的分析报告（33页）.pdf

1、行业研究市场分析深度洞察行业分析报告2025INDUSTRY REPORT 2 0 2 5 光刻机行业国产替代进程、核心子系统突破与产业链标的分析报告 33.光学器件加工与检测技术国内领先茂莱光学：深耕精密光学二十载，光刻、2、汇成真空：国内领先 PVD 镀膜设备厂商，卡位光刻掩模版镀膜新赛道.333、波长光电：深耕精密光学元件，直写光刻镜头切入国产替代新赛道.334、福晶科技：非线性光学晶体全球龙头，切入光刻光学元件环节.34 1 33.相关标的相关标的四、四、29.需求、政策与外部环境共振三重驱动，国产光刻机迎来突破窗口期（三）27.设备龙头地位稳固EUV凭借ASML全球市场三分天下，（二

2、）25.通过代际跃升实现反超ASML 海外发展复盘：美日企业先后崛起，（一）25.全球龙头格局演进清晰，国产化迎追赶窗口全球龙头格局演进清晰，国产化迎追赶窗口三、三、23.首创双工件台奠定竞争优势ASML工作台：超精密运动控制核心，（三）20.多层膜反射镜构筑成像体系EUV透镜复杂度攀升，DUV光学系统：（二）18.垄断全球市场Gigaphoton与Cymer，EUV-DUV-光源系统：历经汞灯（一）17.光源、光学与工作台三大环节构成整机核心，光学系统价值量最高光源、光学与工作台三大环节构成整机核心，光学系统价值量最高二、二、15.曝光方式逐代升级，步进扫描投影奠定现代光刻主流、4 12.工

3、艺因子优化，光照与掩模优化协同推动制程极限延伸、3 11.）持续提升，浸没式技术突破折射率物理瓶颈NA数值孔径（、2 9 .演进EUV再到DUV光源波长（）不断缩短，从汞灯到、1 7 .光刻机五代升级持续提高分辨率，瑞利判据构成技术演进逻辑（二）6 .光刻环节承载电路图形化关键使命，价值量位居制造工艺环节前列（一）6 .光刻：晶圆制造核心工序，价值量最高的半导体设备环节光刻：晶圆制造核心工序，价值量最高的半导体设备环节一、一、录录 目目 WUQUmNsOnMrOsRtNvMnQrRbRcMbRoMqQtRnQiNoPpPeRpOmR8OrRwPvPoMtRuOtRqM 图表目录图表目录 图表

4、1 半导体制作工艺流程.6 图表 2 硅晶圆表面光刻胶线条成形的光刻工艺流程.6 图表 3 光刻工艺实现原理.6 图表 4 ASML 浸没式扫描光刻机 TWINSCAN1980Di 及投影系统光路示意.7 图表 5 2024 年全球半导体设备价值量占比.7 图表 6 光刻机历经五次历史迭代.8 图表 7 曝光系统光路示意图.8 图表 8 光刻技术中波长、数值孔径 NA 和工艺因子 k 的发展历史.8 图表 9 光刻机分辨率发展历程.9 图表 10 光刻应用中使用的辐射光谱.9 图表 11 半导体光刻光源及工艺节点对应关系.10 图表 12 ASML 下一代 High NA 的工艺将突破 2nm

5、 及以下节点.10 图表 13 不同数值孔径对同一掩模图形的成像效果.11 图表 14 介质折射率及光线入射角度决定数值孔径.11 图表 15 物镜直径与衍射角对光线接收的影响.11 图表 16 光线在玻璃、空气、水中的折射.12 图表 17 浸没式光刻系统示意.12 图表 18 干式光刻和水浸式光刻对比.12 图表 19 基于离轴照明的周期性线空图形光学分辨率增强基本原理.13 图表 20 典型投影光刻机标准照明形态.13 图表 21 基于规则的 OPC 示例.13 图表 22 基于模型的 OPC 的一般流程.13 图表 23 相移掩模技术类型.14 图表 24 相移掩模板 PSM 的实现原

6、理.14 图表 25 LELE/LFLE/SADP 多重曝光多重成型技术工艺流程.14 图表 26 根据接触方式可细分为硬接触、软接触和真空接触.15 图表 27 接触式光刻示意图.15 图表 28 接近式光刻示意图.15 图表 29 投影光刻示意图.16 图表 30 步进重复光刻示意图.16 图表 31 步进扫描光刻示意图.16 图表 32 EUV 光刻机总体结构及主要组成系统.17 图表 33 光刻机内部工作结构.17 图表 34 光刻机核心组成部分.17 图表 35 2024 年 ASML 部分主要供应商、关系规模及成本占比.18 图表 36 放电等离子体（DPP）光源发生原理.19 图