科技动态点评:SEMICON Taiwan:AI驱动下CPO、先进工艺和近存计算的投资机会-250919(19页).pdf

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1、 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分,请务必一起阅读。1 证券研究报告 科技科技 SEMICON Taiwan:AI 驱动下驱动下 CPO、先进工艺和近存计算的投资机会先进工艺和近存计算的投资机会 华泰研究华泰研究 科技科技 增持增持 (维持维持)黄乐平,黄乐平,PhD 研究员 SAC No.S0570521050001 SFC No.AUZ066 +(852)3658 6000 陈旭东陈旭东 研究员 SAC No.S0570521070004 SFC No.BPH392 +(86)21 2897 2228 于可熠于可熠 研究员 SAC No.S0570525030001 SFC No

2、.BVF938 +(86)21 2897 2228 行业走势图行业走势图 资料来源:Wind,华泰研究 重点推荐重点推荐 股票名称股票名称 股票代码股票代码 目标价目标价 (当地币种当地币种)投资评级投资评级 台积电 TSM US 320.00 买入 资料来源:华泰研究预测 2025 年 9 月 19 日中国内地 动态点评动态点评 过去一周,我们参加了 SEMICON Taiwan,并密集走访了英伟达、谷歌、台积电等 AI 算力产业链关键公司,参加了硅光、先进工艺等主题论坛。通过本次活动,我们认识到:1)基于先进封装的多芯片互联技术、2)先进工艺代工、3)近存计算或是实现 AI 大规模计算的三

3、大关键技术。未来三年,我们认为,1)先进封装有望在 2027 年迈入硅光 CPO 时代;2)先进工艺有望迈入 2nm 时代,背面供电、深沟槽等是核心技术;3)近存计算逐步从2.5D 迈向 3D,CUBE 等多元技术路线涌现。建议关注台积电(硅光+先进工艺)有望在 AI 驱动下继续享受量价齐升的红利,产业链其他相关公司还包括:TEL/Advantest/ASMPT(半导体设备企业)、华邦电/兆易/芯原(近存计算)等。#1:多多芯片芯片互联或是算力扩展关键,互联或是算力扩展关键,CPO 有望有望 2027 年大规模商用年大规模商用 通过这次论坛,我们认识到,多芯片互联是实现 AI 算力扩展的关键。

4、随着AI 系统架构从 Scale up 向 Scale out 演进,并进一步扩展至数据中心间的大规模集群互联,传统铜互连在高频高速传输场景下的信号衰减与功耗问题日益凸显,而 CPO 作为硅光与先进封装的融合方案,能够在保持高带宽密度的同时降低传输损耗,或将成为突破算力扩展瓶颈的关键技术路径,有望于2027 年实现大规模商用。本次论坛上,台积电推出 COUPE 硅光平台,有望于 2026 年底率先问世,长期或将成为和插拔式光模块同等重要的互联方案。#2:先进工艺即将步入先进工艺即将步入 2nm 时代,关注背面供电、深沟槽等新技术时代,关注背面供电、深沟槽等新技术 先进工艺平台是提升 AI 芯片

5、计算性能、降低功耗的关键技术。台积电在论坛中指出,其 2nm 工艺平台(N2)2025 年下半年将进入大规模量产阶段。后续将在 N2 基础上推出 1.6nm 平台(A16),导入背面供电等技术,进一步优化功耗表现,有望成为 AI 芯片厂商下一代产品的工艺平台。通过这次论坛,我们确认台积电在先进工艺代工上相比三星、Intel 等同业的技术优势在继续扩大,有望继续享受量价齐升的投资机会;ASML/AMAT/LAM/TEL等设备企业在台积电的先进工艺产业链中占据重要地位。#3:近存计算驱动近存计算驱动芯片芯片从从 2.5D 走向走向 3D,多元技术路线涌现,多元技术路线涌现 本次论坛上,海力士等指出

6、,以 HBM 为代表的近存计算技术解决了逻辑芯片和存储之前的高速访问问题,是AI芯片的关键技术之一。展望2026-2027,一方面,现有的 HBM 技术从目前的 12 层(HBM3E)向 16 层(HBM4/HBM 4E)演进,进一步提高数据中心用 AI 芯片的性能;另一方面,1)以华邦电/兆易等提出的 3D 堆叠方案 CUBE,2)基于 Chiplet 和开源的 RISC-V架构等的 AI 芯片方案(知名架构师 Jim Keller/芯原)也受到广泛关注。我们认为,1)美光/海力士等存储厂商在 HBM4 升级趋势中处于 AI 产业链的重要环节,2)ASMPT/Advantest 等后道设备企

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