【华鑫证券】天岳先进（688234）-公司事件点评报告：SiC衬底材料全球领导者，有望受益于终端AI芯片技术迭代-250907（5页）.pdf

1、 20252025 年年 0909 月月 0707 日日 SiCSiC 衬底材料全球领导者衬底材料全球领导者，有望受益于终端，有望受益于终端 AIAI芯片技术迭代芯片技术迭代 天岳先进天岳先进（688234.SH688234.SH）公司事件点评报告公司事件点评报告 买入买入(维持维持)事件事件 分析师：吕卓阳分析师：吕卓阳 S1050523060001 联系人：石俊烨联系人：石俊烨 S1050125060011 基本数据基本数据 2025-09-05 当前股价（元）77.28 总市值（亿元）369 总股本（百万股）477 流通股本（百万股）430 52 周价格范围（元）45.88-77.28

2、日均成交额（百万元）435.03 市场表现市场表现 资料来源：Wind，华鑫证券研究 相关研究相关研究 1、天岳先进（688234）：基本面拐点进一步明确，单季度收入利润创新高2024-09-22 2、天岳先进（688234）：收入持续增长，基本面拐点进一步明确2024-05-07 3、天岳先进（688234）：2023Q4收入利润双增，产能爬坡顺利拐点明确2024-01-31 公司发布 2025 年半年报：2025 年上半年公司实现营业收入7.94 亿元，同比下降 12.98%；实现归母净利润 0.11 亿元，同比下降 89.32%;实现扣非归母净利润-0.11 亿元，同比下降 111.37

3、%。投资要点投资要点 公司业绩承压公司业绩承压，大尺度大尺度 SiCSiC 衬底衬底研发力度提升研发力度提升 2025 年第二季度，公司实现营业收入 3.86 亿元，同比下降 20.63%，环比下降 5.42%;实现归母净利润 0.02 亿元，同比下降 95.77%，环比下降 72.27%；实现扣非归母净利润-0.15 亿元，同比下降 127.63%，环比下降 504.37%。公司业绩承压主要原因系公司为持续加大碳化硅衬底材料在下游应用的渗透，提高公司产品市场占有率，衬底销售价格同比下降。研发方面，公司加大对大尺寸衬底研发投入，2025 年上半年，公司研发费用 7584.67 万元，同比增加

4、34.94%，主要用于大尺寸碳化硅衬底产品技术攻关以及 AR 眼镜等新兴应用领域的拓展。SiCSiC 材料材料满足满足 AIAI 芯片性能需求，终端芯片性能需求，终端 AIAI 大客户大客户引领中介层引领中介层材料升级材料升级 英伟达计划在 2027 年前将下一代 Rubin GPU 的 CoWoS 先进封装中介层材料从硅替换为碳化硅。台积电已联合日本 DISCO等设备商研发 SiC 中介层制造技术，首代 Rubin GPU 将沿用硅中介层，当新设备到位之后，预计英伟达将推动 SiC 中介层的导入。SiC 做中介层的核心优势在于：1）散热性能突破：单晶 SiC热导率达 490W/mK，可解决

5、CoWoS 封装中高带宽内存的散热挑战。2）封装体积缩小：SiC 耐化学性强，支持湿法刻蚀制备高深宽比通孔，可以通过非直线通孔设计缩短互连距离，使 2.5D 封装效果逼近 3D 封装。从需求端来看，根据行家说三代半，一片 12 英寸晶圆分别可生产 21 个 3 倍光罩尺寸和 5 个 8 倍光罩尺寸的中介层，我们假设采用 3 倍光罩尺寸的中介层，2024-2026 年的需求分别为 1809 片/月、3952 片/月和 5333 片/月；假设采用 8 倍光-20020406080(%)天岳先进沪深300公公司司研研究究 证证券券研研究究报报告告 证券研究报告证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明

6、 2 诚信、专业、稳健、高效 罩尺寸的中介层，2024-2026 年的需求分别为 7600 片/月、16600 片/月和 22400 片/月。从供给端来看，4H-SiC 单晶衬底、热沉级以及多晶 SiC 衬底可以用作 SiC 中介层。目前，天科合达、同光股份等 12 家厂商已率先实现 12 英寸 N 型 4H-SiC 单晶衬底的研发和量产。从商业化的角度来看，12 英寸碳化硅有望成为先进封装的散热性能突破关键技术，先进封装将成为碳化硅的赛道，但是碳化硅要导入中介层材料市场，要突破 12 英寸切磨抛的关键技术。此外，SiC 中介层相较于硅材料价格仍然较高，亟待厂商后续降本方案。碳化硅衬底头部企业