【上海证券】电子行业周报：美光EUV DRAM已开启导入，AI驱动先进制程产能快速扩张-250701（3页）.pdf

1、证券研究报告证券研究报告 行业周报行业周报 美光美光 EUV DRAM 已开启已开启导入导入，AI 驱动驱动先进先进制程制程产能产能快速快速扩张扩张 电子行业周报（电子行业周报（2025.06.23-2025.06.27）Table_Rating 增持（维持）增持（维持）Table_Summary 核心观点核心观点 市场行情回顾市场行情回顾 过去一周（06.23-06.27），SW电子指数上涨 4.61%，板块整体跑赢沪深 300 指数 2.66 个百分点，从六大子板块来看，其他电子、元件、半导体、消费电子、电子化学品、光学光电子涨跌幅分别为7.88%、6.66%、4.55%、3.99%、3.

2、53%、3.49%。核心观点核心观点 受受 AI 推动，预计到推动，预计到 2028 年先进芯片制造产能将增长年先进芯片制造产能将增长 69%。美国加州时间 2025 年 6 月 25 日，SEMI发布最新的300毫米晶圆厂展望报告（300mm Fab Outlook）。报告指出，全球前端半导体供应商正在加速扩张，以支持生成式人工智能（AI）应用的激增需求。根据报告，全球半导体制造行业预计将保持强劲增长势头，预计从 2024 年底到2028 年，产能将以 7%的复合年增长率增长，达到创纪录的每月 1110万片晶圆。推动这一增长的关键因素是先进工艺产能（7纳米及以下）的持续扩张，预计将从 202

3、4年的每月 85万片晶圆增长到2028年的历史新高 140 万片晶圆，增长约 69%，复合年增长率约为 14%，是行业平均水平的两倍。SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：“AI 继续成为全球半导体行业的变革力量，推动先进制造产能的显著扩张。AI 应用的迅速普及正在刺激整个半导体生态系统的强劲投资，凸显了其在推动技术创新和满足先进芯片激增需求方面的关键作用。”根据 SMEI 预计，先进工艺产能将从 2025 年到 2028 年保持强劲的14%复合年增长率，从 2025 年的每月 98.2 万片晶圆开始，同比增长15%。预计行业将在 2026 年达到一个重要的里程碑，产能首

4、次突破100 万片晶圆，达到每月 116 万片晶圆。2nm 及以下工艺的产能部署在整个预测期内显示出更激进的扩张，产能从 2025 年的每月不到 20万片晶圆，急剧增长到 2028 年的每月超过 50 万片晶圆，反映了在先进制造中 AI 应用推动的强劲市场需求。美光美光 1制程制程 LPDDR5X 良率提升速度超越上代良率提升速度超越上代，正式进入正式进入 EUV DRAM 制程时代制程时代。6 月 27 日，美光在最新的财报电话会议中宣布，已开始向客户提供采用导入极紫外光（EUV）光刻技术的新一代 1（1-gamma）制程的首批 LPDDR5X 内存样品。这也显示美光已正式进入EUV DRA

5、M 制程时代。美光 CEO Sanjay Mehrotra 指出，目前 1 DRAM 技术节点上进展非常顺利，良率爬升速度甚至超越 1（1-beta）节点纪录。美光在本季完成多项关键产品里程碑，包括首批基于 1 制程的 LPDDR5 DRAM 认证样品出货。据介绍，1 制程是美光第六代 10nm 级制程节点，拥有业界最快的 10.7 Gbps 速率，与前一代 1 相比性能提升 15%、功耗降低 20%。此外，1 的位密度增加30%，随着良率提升有望进而降低生产成本。展望未来，美光计划全面导入第六代 10nm级 1 制程，涵盖 DDR5、LPDDR5X、GDDR7 及数据中心相关内存产品线。Me

6、hrotra 强调，将在所有 DRAM 产品在线导入 1 制程，发挥此领先技术的最大效益。虽然美光尚未透露有多少层使用 EUV 技术，但推测可能主要用于原本需繁复多重曝光的关键层。美光已在日本启用首台 EUV 设备，并开始量产 1 DRAM，未来也将在日本与中国台湾扩大 EUV DRAM 产能。Table_Industry 行业行业:电子电子 日期日期:shzqdatemark Table_Author 分析师分析师:王红兵王红兵 SAC 编号编号:S0870523060002 分析师分析师:方晨方晨 Tel:021-53686475 E-mail: SAC 编号编号:S08705230600