【上海证券】电子行业周报：2024年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求乐观，台积电加码2/3nm先进制程-250519（3页）.pdf

1、证券研究报告证券研究报告 行业周报行业周报 2024 年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求乐观乐观，台积电加码台积电加码 2/3nm 先进制程先进制程 电子行业周报（电子行业周报（2025.05.12-2025.05.16）Table_Rating 增持（维持）增持（维持）Table_Summary 核心观点核心观点 市场行情回顾市场行情回顾 过去一周（05.12-05.16），SW电子指数下跌 0.75%，板块整体跑输沪深 300 指数 1.86 个百分点，从六大子板块来看，消费电子、光学光电子、元件、其他电子、半导体、电子化学品涨跌幅分别为1.12%、0.26%、0

2、.19%、-1.49%、-1.69%、-1.79%。核心观点核心观点 SiC 衬底市场衬底市场 2024 年营收年减年营收年减 9%，但长期需求乐观，但长期需求乐观。5 月 12 日，根据 TrendForce 集邦咨询最新研究显示，受 2024 年汽车和工业需求走弱，SiC衬底出货量成长放缓，与此同时市场竞争加剧、产品价格大幅下跌，导致 2024 年全球年全球 N-type（导电型）（导电型）SiC 衬底产业营收年减衬底产业营收年减9%，为，为 10.4亿美元亿美元。从主要厂商的市占情况来看，Wolfspeed仍维持第一名，2024 年市占率达 33.7%。尽管近年面临较大的运营挑战，Wol

3、fspeed 仍是 SiC 材料市场最重要的供应商，并引领产业向 8 英寸衬底转型。中国厂天科合达和天岳先进近年发展迅速，2024 年二者市占率相差无几，分别以 17.3%和 17.1%位列第二、三名。从衬底尺寸观察，由于现行主流的 6英寸 SiC衬底价格快速下降，以及 8英寸 SiC前段制程的技术难度较高，加上市场环境剧烈变化，预计 6 英寸衬底将持续占据SiC衬底市场的主导地位。但8英寸衬底是进一步降低SiC成本的必然选择，且有助 SiC 芯片技术升级，吸引各大厂商积极投入。在此情况下，在此情况下，TrendForce集邦咨询预估集邦咨询预估 8英寸英寸SiC衬底的出货份衬底的出货份额将于

4、额将于 2030 年突破年突破 20%。关税关税引致新一轮备货潮，三星或将引致新一轮备货潮，三星或将调涨调涨 DRAM芯片芯片价格价格。5月13日，据韩国媒体 ETNews 报道，受到美国关税战掀起客户提前备货潮的带动，三星电子因客户需求高涨，决定顺势调涨 DRAM 芯片的价格。报道称，三星已经在跟客户签订的新合约中大幅调涨 DDR5、DDR4 DRAM报价。其中，DDR4的涨价幅度为20%、DDR5则涨价5%，但会因客户不同而略有差异。2024年DRAM产业供给过剩，导致DRAM均价普遍下跌。根据部分机构统计，2024年下半年DRAM均价大跌约21%。但是随着消费电子市场需求的逐渐回暖，以及

5、 AI对于 DRAM需求的持续增长，推动了 DRAM 价格今年开始回升。叠加 4 月以来美国关税政策引发的骨牌效应，推动了相关企业抢在关税生效前提前备货，让三星产品需求大增，促使该公司调涨价格。台积电台积电 2025 年将年将新新建建 9 座工厂，座工厂，3nm 产能将增加产能将增加 60%。5 月 15 日，据台媒经济日报报道，台积电院士、营运/先进技术暨光罩工程副总经理张宗生于 5 月 15 日在台积电技术论坛中国台湾专场上提到，台积电 2025 年将在中国台湾与海外扩建 9 个厂，其中包含 8 个晶圆厂以及1个先进封装厂。张宗生指出，2025年3nm产能预计年增加60%，2025 年下半

6、年将开始量产 2nm。CoWoS 持续扩充，海外美国厂与日本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到，AI 驱动晶圆需求持续放大，台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与海外扩建 9 个厂，包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去平均每年盖 5 个厂，中国台湾方面台中 Fab 25 厂预计 2028 年量产2nm 与更先进技术，高雄预计建五座晶圆厂包含 A16 与更先进制程技术。Table_Industry 行业行业:电子电子 日期日期:shzqdatemark Table_Author 分析师分析师:王红兵王红兵 SAC 编号编号:S0870523060002 分析师分析师: