【东吴证券】半导体键合设备行业深度：先进封装高密度互联推动键合技术发展，国产设备持续突破-250305（44页）.pdf

1、半导体键合设备行业深度：半导体键合设备行业深度：先进封装高密度互联推动键合技术发展，先进封装高密度互联推动键合技术发展，国产设备持续突破国产设备持续突破证券研究报告请务必阅读正文之后的免责声明部分证券分析师：周尔双执业证书编号：S0600515110002联系邮箱：证券分析师：李文意执业证书编号：S0600122080043联系邮箱：2025年3月5日投资建议投资建议半导体封装技术不断发展，键合种类多元半导体封装技术不断发展，键合种类多元。键合（Bonding）是通过物理或化学的方法将两片表面光滑且洁净的晶圆贴合在一起，以辅助半导体制造工艺或者形成具有特定功能的异质复合晶圆。键合技术有很多种，

2、通常根据晶圆的目标种类可划分为晶圆-晶圆键合（Wafer-to-Wafer，W2W）和芯片-晶圆键合（Die-to-Wafer，D2W）；根据键合完成后是否需要解键合，又可分为临时键合（Temporary Bonding）和永久键合（Permanant Bonding）。传统封装方式主要为引线键合，实现电气互联。传统封装方式主要为引线键合，实现电气互联。传统封装需要依靠引线将晶圆与外界产生电气连接。将晶圆切割为晶粒后，使晶粒贴合到相应的基板架上，再利用引线将晶片的接合焊盘与基板引脚相连，实现电气连接，最后用外壳加以保护。2024年我国引线键合机进口市场空间约6.18亿美元，海外K&S（库力索法

3、）、ASM为半导体键合机龙头，国内奥特维等积极突破中。先进封装追求高密度互联，热压键合、混合键合为未来趋势。先进封装追求高密度互联，热压键合、混合键合为未来趋势。后摩尔时代下封装追求更高的传输速度、更小的芯片尺寸，键合技术经历了从最初通过引线框架到倒装（FC）、热压粘合（TCP）、扇出封装（Fan-out）、混合封装（Hybrid Bonding）的演变，追求更快的互联速度。混合键合仅需要铜触点，能够实现更高密度互联，工艺难点主要在于光滑度、清洁度和对准精度，先进HBM/NAND将陆续全面导入混合键合。根据BESI，2030年混合键合设备需求有望达28亿欧元，约200亿人民币。先进封装下晶圆变

4、薄，临时键合先进封装下晶圆变薄，临时键合&解键合应运而生。解键合应运而生。晶圆减薄工艺成为先进封装的核心工艺，超薄晶圆的诸多优点直接推动3D堆叠层数提高。在一些先进的封装应用中，需要将晶圆减薄至10m以下，晶圆减薄工艺需要引入临时键合、解键合以提供机械支撑。投资建议：投资建议：国内重点推荐拓荆科技（混合键合），迈为股份（混合键合、临时键合、解键合），芯源微（临时键合、解键合），奥特维（引线键合），建议关注百傲化学（芯慧联）；海外关注BESI、EVG、SUSS、ASMPT等。风险提示：风险提示：下游扩产不及预期，技术研发不及预期。目录目录传 统 封 装 方 式 主 要 为 引 线 键 合，实 现

5、 电 气 互 联传 统 封 装 方 式 主 要 为 引 线 键 合，实 现 电 气 互 联2半 导 体 封 装 技 术 不 断 发 展，键 合 种 类 多 元半 导 体 封 装 技 术 不 断 发 展，键 合 种 类 多 元145先 进 封 装 下 晶 圆 变 薄，临 时 键 合先 进 封 装 下 晶 圆 变 薄，临 时 键 合&解 键 合 应解 键 合 应运 而 生运 而 生先 进 封 装 追 求 高 密 度 互 联，热 压 键 合、混 合 键先 进 封 装 追 求 高 密 度 互 联，热 压 键 合、混 合 键合 为 未 来 趋 势合 为 未 来 趋 势3投 资 建 议投 资 建 议6风

6、险 提 示风 险 提 示数据来源：异质集成核心工艺晶圆键合综述，东吴证券研究所键合主要作用为将两片晶圆进行结合，分类标准多样键合主要作用为将两片晶圆进行结合，分类标准多样键合（键合（Bonding）是通过物理或化学的方法将两片表面光滑且洁净的晶圆贴合在一起，以辅助半导体制造工艺或）是通过物理或化学的方法将两片表面光滑且洁净的晶圆贴合在一起，以辅助半导体制造工艺或者形成具有特定功能的异质复合晶圆者形成具有特定功能的异质复合晶圆。键合技术有很多种，通常根据晶圆的目标种类可划分为晶圆晶圆-晶圆键合晶圆键合（Wafer-to-Wafer，W2W）和芯片）和芯片-晶圆键合（晶圆键合（Die-to-Waf