天岳先进-深度报告：中国半绝缘型SiC衬底龙头发力导电片！-220516（19页）.pdf

1、 http:/ 1/19 请务必阅读正文之后的免责条款部分 Table_main 深度报告 天岳先进天岳先进(688234) 报告日期：2022 年 5 月 16 日 中国半绝缘型中国半绝缘型 SiC 衬底龙头衬底龙头发力导电片发力导电片！ 天岳先进深度报告 table_zw 公司研究半导体材料 ：蒋高振 执业证书号：S1230520050002 吴若飞 执业证书号：S1230521070003 ：021-80106844 021-80106844 ： 报告导读报告导读 以 GaN/SiC 为代表的第三代半导体正凭借着其击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、 抗辐射能力强等优势在新能源汽车、

2、5G 等战略新兴领域大展拳脚。从产业链来看，衬底是 SiC 产业渗透率提升爆发的核心赛道，天岳先进作为国内半绝缘型 SiC 衬底龙头，有望将成功经验复制至导电型 SiC 领域，成为国内 SiC 衬底的平台型龙头企业，充分受益 SiC产业爆发。 投资要点投资要点 SiC 性能优异性能优异，发展前景广阔，发展前景广阔 SiC 作为第三代半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势， 以 SiC 为衬底制成的半导体器件可以更好满足高温、 高压、大功率等条件下的应用需求，能更好适配新能源等应用场景。根据 Yole，2025年全球以导电型 SiC 衬底制备的器件市场规模有望达

3、到 25.62 亿美元，其中，新能源汽车和光伏及储能是 SiC 器件主要的应用市场。 SiC 衬底衬底处于价值量最高环节， 衬底的低成本化也是处于价值量最高环节， 衬底的低成本化也是 SiC 器件爆发的器件爆发的痛点痛点 从目前 SiC 器件的成本结构来看，SiC 衬底成本占比 47%，外延的成本占比23%。从产业链价值分布来看，衬底由于工艺技术难度大，处于 SiC 整体价值量最高环节。正因如此，SiC 器件降成本曲线的下降的关键在于 SiC 衬底的低成本化长期来看，伴随着 SiC 尺寸的提升、晶片良率的提升，SiC 衬底的生产成本有望下降，从而带动 SiC 整体器件价格的下行，而这也将成为

4、SiC 渗透率进一步提升、大规模应用的关键。未来我们认为 SiC 衬底的低成本化将是SiC 行业需求爆发的关键所在。 半绝缘型半绝缘型 SiC 龙头龙头发力导电片，发力导电片，享受行业发展享受行业发展黄金机遇期黄金机遇期 天岳先进成立于 2010 年，目前是全球半绝缘型 SiC 衬底龙头（2020 年半绝缘型 SiC 衬底全球市占率 30%） ，产品主要为 4 英寸半绝缘型 SiC 衬底。相比半绝缘型衬底，导电型 SiC 衬底在新能源汽车、光伏等领域未来需求空间更大，国产化率也更低，因此公司 IPO 募资 20 亿元建设 6 英寸导电型碳化硅衬底项目，发力导电型 SiC 衬底。该项目将于 20

5、22 年试生产，预计 2026 年实现全面达产（对应 6 寸导电型 SiC 衬底 30 万片/年） 。我们认为，随着公司在导电型SiC 端的发力，公司有望凭借技术、先发优势，成为国内 SiC 衬底的平台型企业，在 SiC 衬底这个黄金赛道实现大规模的国产替代，成为国内的综合性 SiC衬底龙头企业。 盈利预测及估值盈利预测及估值 我 们 预 计 公 司 未 来 三 年 营 收 分 别 为 6.75/9.41/13.01 亿 元 ， 同 比 增 长35.71%/39.36%/38.26%；实现归母净利润 1.19/1.75/2.38 亿元，同比增长32.50%/46.52%/36.42%。 由于

6、SiC 行业目前处于行业的爆发前期， SiC 相关业务目前收入占比都相对较低，利润端的贡献更小，但成长性非常强，结合 SiC 行业成长阶段与行业特点，我们采用 PS 估值，参考可比公司，公司目前 PS 较行业均值较高，但考虑到公司在半绝缘碳化硅衬底市场的龙头地位，公司发展值table_invest 评级评级 增持增持 上次评级 首次评级 当前价格 ￥50.75 LastQuaterEpsLastQuaterEps 单季度业绩单季度业绩 元元/ /股股 3Q/2021 0.01 4Q/2020 -0.07 table_stktrend 公司简介公司简介 公司是一家国内领先的宽禁带半导体(第三代半