半导体行业深度:技术差距逐渐缩小DRAM芯片国产化替代进程曲折、前途光明-220330(27页).pdf

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半导体行业深度:技术差距逐渐缩小DRAM芯片国产化替代进程曲折、前途光明-220330(27页).pdf

1、 敬请阅读末页之重要声明 技术差距逐渐缩小,技术差距逐渐缩小,DRAM 芯片国产化替代进程曲芯片国产化替代进程曲折、前途光明折、前途光明 相关研究:相关研究: 1.供需失衡或将延续,IOT及车规半导体蓄势待发 2021.12.30 行业评级:行业评级:增持增持 近十二个月行业表现近十二个月行业表现 % 1 个月 3 个月 12 个月 相对收益 -2.1 -4.6 34.8 绝对收益 -11.7 -21.1 16.9 注:相对收益与沪深 300 相比 分析师分析师:王攀 证书编号:证书编号:S0500520120001 Tel:(8621) 50293524 Email: 联系人:联系人:王文瑞

2、 Tel:(8621) 50293694 Email: 地址地址:上海市浦东新区银城路88号中国人寿金融中心10F湘财证券研究所 核心要点:核心要点: DRAMDRAM 为存储器行业支柱性产品,为存储器行业支柱性产品,在半导体产业举足轻重在半导体产业举足轻重 2021 年 DRAM 的销售额占全球存储器市场规模的 61.2%。 半导体存储器 2021 年在半导体产业中市占率为 27.7%。 DRAM 为半导体产业的主力产品之一。 DDR5DDR5 新品入市,新品入市,D DRAMRAM 行业新一轮上升周期开启。受益于行业新一轮上升周期开启。受益于DRAMDRAM 市场迭代滞后于技术演变,市场迭

3、代滞后于技术演变, DDR4DDR4 及及 LPDDR4LPDDR4 系列系列中期内市中期内市场主流产品地位不改场主流产品地位不改 DDR5 产品于 2021 年 Q4 入市,为 DRAM 行业带来新一轮 1 年左右的上行周期,三巨头三星、海力士及美光受益。 DRAM 市场具有产品市场迭代滞后于技术迭代的特性, 预计 2022 年至 2024 年 DDR4 及 LPDDR4 系列产品仍为市场主流,受供需关系影响价格不会出现显著变动,国产 DDR4 芯片处于产能爬坡阶段,出货量提升带动行业规模增长。 利基型利基型 DRAMDRAM 市场市场,受受供需供需趋于紧俏趋于紧俏影响,影响,价格价格趋于平

4、稳趋于平稳 需求端受下游物联网设备、WIFI-6、可穿戴设备等消费电子等需求带动,持续景气。供给端韩系大厂计划逐步退出 DDR3 供给叠加2022 年其余新增产能供给尚未大幅放量,供需趋于紧俏;价格预计呈平稳态势。产线放量叠加国产化替代助推国产 DDR3 出货上行,国内利基型 DRAM 设计板块受益。 国产化国产化替代替代替代替代空间巨大,空间巨大,国内存储器设计企业未来可期国内存储器设计企业未来可期 十四五规划要求中国芯片自给率要在 2025 年达到 70%,2021 年国内存储芯片市场规模约为 450 亿美元,IC Insights 数据显示自给率不足 5%,国内存储器市场国产化替代空间巨

5、大。 投资建议投资建议 建议持续关注半导体行业。 DRAM 市场具有产品市场迭代滞后于技术迭代的特性,预计 2024 年之前 DDR4 及 LPDDR4 系列产品仍为市场主流,受供需关系影响价格不会出现显著变动。利基型 DRAM市场中 DDR3 成为主力,下游需求持续景气,受供需关系影响预计2022 年 DDR3 价格稳定。 国产化替代叠加产线放量助推国产 DDR3及 DDR4 系列产品中短期出货及业绩上行; 国内存储设计企业受益于技术迭代周期的拉长及自身技术研发的快速追赶,差距逐渐缩小;技术壁垒的搭建护航国内存储企业发展前行。建议关注 DRAM芯片设计板块及接口设计板块,维持行业增持评级。

6、风险提示风险提示 下游需求下滑;内外部宏观政策变动;系统性风险;企业产能扩产及技术研发进度不及预期。 证券研究报告证券研究报告 2022 年年 03 月月 30 日日 湘财证券研究所湘财证券研究所 行业研究行业研究 半导体行业深度半导体行业深度 2 敬请阅读末页之重要声明 行业研究 正文目录 1 DRAM 为存储器行业支柱性产品,IDM 为产业链主流模式 . 5 2 DRAM 市场迭代滞后于技术演变,DDR4 及 LPDDR4 系列中期仍为市场主流产品 . 9 3 主流 DRAM 供给:韩美系大厂高度垄断,国内企业夹缝中成长 . 14 4 主流 DRAM 需求端:智能手机和服务器需求上行,提振

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