中国银河证券：第三代半导体行业深度报告（82页）.pdf

1、创造财富担当责任股票代码：601881.SH06881.HK中国银河证券股份有限公司中国银河证券股份有限公司CHINAGALAXYSECURITIESCO.,LTD.CHINAGALAXYSECURITIESCO.,LTD.第三代半导体行业深度报告电力电子器件领域，碳化硅大有可为银河证券电子团队2022.10.31分析师：高峰：gaofeng_ 分析师登记编码：S0130522040001王子路：wangzilu_分析师登记编码：S0130522050001创 造 财 富/担 当 责 任2第三代半导体：更先进的材料第三代半导体：更先进的材料，更优异的产品特性更优异的产品特性。第三代半导体材料是

2、指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此SiC材料具备更高效率和功率密度。从产业链来看，衬底是价值链核心，在成本SIC SBD器件中，衬底价值量占比达到47%。我们认为，衬底价格下降是推动碳化硅产业链发展的核心环节，衬底行业的发展也是未来SiC产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。市场空间仍待开发市场空间仍待开发，产业链成熟度逐步提升产业链成熟度逐步提升。从市场空间上来看，根据Yole数据，预计2027年市场空间将超过60

3、亿美元，仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，GAGR达到34%，从细分行业需求来看，新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。从供给端来看，目前整体产业链受限于SiC衬底产能、对衬底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸衬底转移等因素，同时在外延膜生产设备基本依靠海外、厚度与掺杂浓度均匀性等因素，外延生产同样存在壁垒。多因素导致国内SiC市场短期仍表现为供不应求局面。海外厂商为主导海外厂商为主导，国内企业正加速追赶国内企业正加速追赶。从行业竞争角度来看，美欧日为主导，海外厂商例如Wolfspeed已突破8英寸节点，国内企业还处于4、6英寸

4、衬底导入阶段。但是国内企业目前正在加速追赶，在专利和市占率持续提升，国内碳化硅产业化带有“学研”基因极为突出，包括天岳、天科合达均为始于院校研究所。渗透率提升市场空间打开渗透率提升市场空间打开，短期分歧不改长期趋势短期分歧不改长期趋势。市场对SiC产业呈现众多分歧，包括长期系统成本与单一成本成本分歧、技术进步对产业链冲击以及多制造环节的自主可控等，但我们认为针对新兴产业来说，随着未来长期衬底价格下降，SiC器件接受度和渗透率迎提升，短期分歧不改行业长期成长。投资投资建议建议SiC行业近期飞速发展，海外多家厂商具备先发优势，短期内在产品、产能和良率等方面均领先国内企业，但随着国内市场对SiC行业

5、重视程度提高，技术不断进步，未来有望实现对海外厂商的弯道超车。建议关注国内SiC产业链处于领先地位的优质厂商，IDM全产业链布局：三安光电，国内优秀衬底厂商：天岳先进、天科合达；在设计环节具备优秀壁垒的：斯达半导、时代电气、新洁能、士兰微、东微半导等，以及布局封装材料厂商：博敏电子风险提示风险提示地缘政治风险及宏观经济发展不及预期，产能扩张周期不及预期，材料端产能及良率提升不及预期，下游行业推广渗透率不及预期，碳化硅器件成本下降程度不及预期核心观点目录创 造 财 富/担 当 责 任一第三代半导体：更先进的材料，更优异的产品特性三海外厂商为主导，国内企业正加速追赶五重点公司分析与投资建议二市场空

6、间仍待开发，产业链成熟度逐步提升四渗透率提升市场空间打开，短期分歧不改长期趋势六风险提示创 造 财 富/担 当 责 任4实现对电能高效转换和控制是电力电子领域关键步骤资料来源：中国银河证券研究院表：主要应用领域中关键的电力电子装置表：主要应用领域中关键的电力电子装置应用领域应用领域电力电力电子装置（系统）电子装置（系统）电力电压直流输电系统柔性交流输电系统（有源电力滤波器、动态电压补偿器、电力调节器、短路电流限制器等）能源大功率高性能DC/DC交流器、大功率风力发电机的力磁控制器、永磁风力发电机并网逆变器、光伏并网逆变器等。交通运输大功率牵引电机、变频网速装置；电力牵引供电系统电能质量控制装置