先进功率科技赋能高效高密度功率转换解决方案.pdf

1、用于高效和高密度功率转换的先进电源技术Justin Tang议程1功率离散产品组合2HV MOSFET和封装创新3ST SiC MOSFET和封装创新4ST GaN生产5二极管与整流器6问答2功率RF智能电源模块电源模块碳化硅GaN FET碳化硅二极管LDMOS,DMOS28 V，1000 VSLLIMM*500 V，600 VACEPACK*650 V，1200 VSiC MOSFET650 V，1200 V硅基氮化镓100 V，650 V（研发中）SiC二极管650 V，1200 V肖特基15 V至200 VFERD45 V至100 V超高速200 V至1200 V高压功率MOSFET低压

2、功率MOSFETIGBT功率双极晶体管高可靠性且节省空间SCR可控硅平面与MDmesh*250V至1700VSTripFET*-100 V至200 VIGBT600/650 V,1200 V功率双极晶体管15V至1700V抗辐射双极与MOSFET60 V，200 V400 V至1200 V0.25 A至80 AIGT 5 A至50 mA600 V至1200 V0.8 A至40 A，IGT 3 mA-50 mA功率离散解决方案技术组合总览3RFR-H*STMicroelectronics International NV或其附属公司在欧盟和/或其他地区的注册和/或未注册商标HV MOSFET与先

3、进封装M2400至650 V反激，PFC，LLC谐振高端电源PFC硬开关拓扑，TTF主要拓扑M5550-650 VDM2400-650 VDM6400至650 VTV SMPS、快速充电器、适配器LED照明、微型逆变器电动汽车/充电主要应用M6 600-650 VM9250-650 VDM9600至650 V半桥、全桥ZVS、LLC 高端电源PFC硬开关拓扑，LLC软开关服务器、电信数据中心、5G发电站、太阳能、医疗、电机控制K5/DK5-K6800至1700 V反激拓扑LED驱动器、LED照明、辅助SMPS、电动汽车、医疗MDmesh系列高压MOSFET系列超结MDmesh*和STMESH沟

4、槽2024年1月T*600 VDT*600 V STMicroelectronics International NV或其附属公司在欧盟和/或其他地区的注册和/或未注册商标。*开发中高压硅MOSFET6M2/DM2平衡了成本和性能以用于各种电源应用M6/DM6超结技术，在谐振变换器和软开关应用中实现高效率K5/DK5第一项 1000 V超结技术，用于超高压应用K6超高压市场中业界最低的RDS(on)适用于超高压范围400 V,500 V,600 V，650 V600 V，650 V800 V,900 V,950 V,1050 V,1200 V,1500 V,1700 V800 V,950 V,

5、1050 V,1200 V,1500 V,1700 VM9/DM9实现更高功率密度和效率250 V,600 V,650 VM5高功率PFC和紧凑型解决方案中的出色RDS(on)550 V，650 V最新系列MDmesh：用于工业和多段系统的最完整产品组合电信数据中心太阳能和储能系统MDmesh M9/DM9系列250、600和650 V MDmesh M9/DM9超结MOSFET，实现最高应用效率令人印象深刻的超低FoM（RDS(on)x Qg），可实现更高的功率水平和功率密度，适合更紧凑的解决方案改良的硬和软开关和更高系统稳健性，采用快速嵌入式二极管7-32%TO-220PowerFLAT

6、8x8DPAKTO247-LLMDmesh M5MDmesh M9-28%-28%-34%（电压为650 V时）单位面积的RDS(on)极低适用于硬开关拓扑谐振高功率密度系统的最佳选择功率损耗突出的RDS(on)*面积过程降低开关能耗缩短开关时间提高开关频率 降低了分布电压VTH 1 V 减少了泄漏电流IGSS 更高VGS AMR（30 V）稳健性静态dV/dt 120 V/nsdv/dt稳健性 50 V/ns（M9）dv/dt稳健性 120 V（DM9）di/dt稳健性 1300 A/s（DM9）250、600和650 V MDmesh M9/DM9系列特性8快速器件（低Trr）增加对临界电