【公司研究】中微公司-高端半导体设备领军者研发实力加速国产替代进程-20200503[51页].pdf

1、 Table_StockInfo 2020 年年 05 月月 03 日日 证券研究报告证券研究报告公司研究报告公司研究报告 持有持有 （首次首次） 当前价： 168.06 元 中微公司（中微公司（688012） 机械设备机械设备 目标价： 元（6 个月） 高端半导体设备领军者，高端半导体设备领军者， 研发实力加速国产替代进程研发实力加速国产替代进程 投资要点投资要点 西南证券研究发展中心西南证券研究发展中心 分析师：倪正洋 执业证号：S1250520030001 电话：021-58352138 邮箱： 相对指数表现相对指数表现 数据来源：Wind 基础数据基础数据 总股本(亿股) 5.35 流

2、通 A 股(亿股) 0.51 52 周内股价区间(元) 60.08-233.77 总市值(亿元) 899.89 总资产(亿元) 52.20 每股净资产(元) 7.06 相关相关研究研究 Table_Report 国产高端半导体设备领军者，高研发推动公司收入、业绩高增长。国产高端半导体设备领军者，高研发推动公司收入、业绩高增长。公司是国产 半导体设备领军企业，主营刻蚀设备和 MOCVD 设备，公司 CCP、ICP 和深硅 刻蚀设备技术比肩国际龙头，已被广泛应用于国际一线客户 65 纳米到 5 纳米 工艺，18 年下半年氮化镓基 LED MOCVD 设备全球市占率超 6 成。19 年公司 营业收入

3、为 19.5 亿元，同比+18.8%，归母净利润 1.9 亿元，同比+107.5%，毛 利率为 34.9%，净利率为 9.7%。2019 年公司研发投入营收占比为 21.8%，高 研发铸就高技术壁垒，推动公司营收、业绩高增长。 刻蚀技术刻蚀技术向向 ICP 发展发展，与薄膜沉积共同推动先进工艺进步。，与薄膜沉积共同推动先进工艺进步。刻蚀设备分为湿法 刻蚀和干法刻蚀，后者为当前主流，且不断向低压、高密度等离子浓度的 ICP 方向演进。薄膜沉积设备与刻蚀作用机理相反，受光刻机 EUV 波长限制，3D NAND 极高深宽比和逻辑芯片的先进制程工艺需要靠刻蚀和薄膜沉积的多重掩 膜版技术突破，两种设备市

4、场增速分列半导体设备前两名。 复盘三大国际刻蚀公司发展路径，公司龙头基因显著。复盘三大国际刻蚀公司发展路径，公司龙头基因显著。泛林半导体、AMAT 和 TEL 为全球前三大刻蚀设备生产商，其中泛林半导体全球市占率过半。公司与 泛林半导体都从专精刻蚀设备入手，以自主研发实力不断突破 ICP 等刻蚀先进 技术。 同时公司面临 TEL曾面对的国产替代之路和 AMAT战略中的多元化之路。 在技术水平相当的情况下，我们期待公司各项规模指标迎头赶上国际巨头。 公司产品市占率不断提升公司产品市占率不断提升，研发新工艺研发新工艺迎接国产替代市场迎接国产替代市场。公司产品技术国际 领先，在国内晶圆厂中市占率不断

5、提升。以长江存储为例，公司 2020 年 Q1 在 长江存储刻蚀设备中市占率 22%，较 19 年提升 9.7pp。19 年国内刻蚀设备市 场规模达 226 亿元，UV LED、Micro/Mini LED 等新需求推动用 MOCVD 增长。 随着公司在逻辑芯片大马士革和 3D NAND 极高深宽比刻蚀工艺以及 UV LED、 Micro/Mini LED 用 MOCVD 的研发不断推进，公司市占率有望继续提升。 盈利预测与投资建议。盈利预测与投资建议。基于公司产品技术达国际先进水平，研发实力强，在半 导体设备国产替代背景下市占率有望持续提升，预计 2020-2022 年归母净利润 分别为 2

6、.58 亿元、3.94 亿元、5.32 亿元，首次覆盖给予“持有”评级。 风险提示：风险提示：半导体行业周期波动、新产品客户验证不及预期、知识产权风险。 指标指标/年度年度 2019A 2020E 2021E 2022E 营业收入（百万元） 1946.95 2578.41 3448.97 4353.07 增长率 18.77% 32.43% 33.76% 26.21% 归属母公司净利润（百万元） 188.56 258.12 393.66 531.96 增长率 107.51% 36.89% 52.51% 35.13% 每股收益 EPS（元） 0.35 0.48 0.74 0.99 净资产收益率 R