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5G之射频前端：三维度下的三改变（25页）.pdf

编号：51920

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5G之射频前端：三维度下的三改变（25页）.pdf

5G带来的工艺改变在基站侧与终端侧也不一致，GaN有望成为基站射频的主流技术。终端侧，GaAs技术由于成熟度高，性能足够且成本较低，5G时代也将占据主流地位;而基站侧，GaN技术有望成为PA的主流技术。相较于基于Si的横向扩散金属氧化物半导体(Si LDMOS)和GaAs，在基站端GaN射频器件更能有效满足5G的高功率、高通信频段和高效率等要求。当频率扩展到Sub-6GHZ，适用于3GHZ以下的LDMOS不再满足5G规范，GaN PA(以及部分LNA等)更有可能成为基站建设的主力。根据Yole估计，大多数低于6GHz的宏网络单元实施将使用GaN器件，到2023年，GaN RF器件市场规模达到13亿美元。GaN在基站建设成本上亦有很大下降潜力。以基站的相控天线阵列为例，其成本包括射频元件、PCB和天线本身，使用GaN前端可以使天线阵列大小减小8倍，也能大大减少相应的材料成本。仅分析射频元件，目前在4英寸SiC晶圆上制备的GaN材料是8英寸SiGe的4.5倍，随着6英寸GaN产线的大批量投产，GaN成本有望下降至SiGe的3倍。两种工艺的成本比较如表。与全SiGe结构相比，6英寸GaN技术可以节省35%的整体原材料成本。在SiGe工艺下，虽然每台设备的与硅相关的成本较低，但是整体系统成本要高很多。

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