【公司研究】华特气体-半导体特种气体国内领先者产品品类持续扩张成长进入快车道-210531（32页）.pdf

1、气相沉积，是指通过气体混合的化学反应，在硅片表面层级一层纳米级厚度的固体薄膜的工艺，通常包括气体传输至沉积区域、前驱体附着在硅片表面、粘附、扩散、前驱体表面反应、副产物从表面移除、副产物从反应腔移除等多个步骤。根据成膜材料的不同，沉积气体材料又可分为硅类化合物(硅烷、乙硅烷、TEOS、HCDS 等)、氮系反应气体(氨气、氧化亚氮等)、高介电常数(high-k)材料(铪、锆等金属卤化物或有机烷类衍生物)、导体材料(六氟化钨等)。刻蚀清洗，则是指选择性的从硅片表面去除不需要的材料的过程，包括液态的化学试剂进行的湿法刻蚀和气体的干法刻蚀。相较而言，干法刻蚀具有各向异性明显(在垂直方向的刻蚀速率远大于

2、横向速率)、特征尺寸控制良好、均匀性好、刻蚀速率高、良率高等优点，在先进制程中干法刻蚀愈加普遍。刻蚀硅片的气体主要包括氟基气体，如四氟化碳、六氟化硫、三氟化氮、碳酰氟等。铝和金属复合层刻蚀通常选用氯基气体，如四氯化碳、氯气等。掺杂，是指将需要的杂质掺入特定的半导体区域，以改变半导体电学性质，形成 pn 结、电阻等，掺杂工艺包括扩散、离子注入等，常用的三价掺杂气体(B2H6、BBr3、BF3、TMB等)、五价掺杂气体(PH3、AsH3 等)。根据 Linx 统计，各用途气体中，用于反应室清洁气体占总金额的 31%、沉积硅、氧化硅、氮化硅气体占比 24%、非硅材料沉积气体占比 17%、介电层和金属层刻蚀气体占比15%、掺杂气体占比 10%、其他气体占比 3%。就具体的产品来看，用于刻蚀和清洗的三氟化氮、用于沉积工艺的硅烷等都是单一产品市场空间较大的产品。随着半导体的技术迭代，低温沉积、高沉积率制程、高纵深比结构的可流动 CVD 薄膜和更具均匀性的高选择性深沟槽刻蚀等新应用出现，将催生新的特种气体产品需求，拓宽特种气体的应用领域。