【研报】半导体行业NOR深度报告：存储芯片研究框架-210119（66页）.pdf

1、存储芯片研究框架 NOR深度报告 证券研究报告 半导体行业 2021年1月19日 目录 一、NOR Flash投资逻辑框架 NOR Flash产业链：成熟制程产业链 NOR Flash的供需展望：供需失衡，涨价持续 NOR Flash投资地图：中国占主导地位 二、NOR Flash：利基存储器焕发新春 三、NOR Flash：市场空间及竞争格局剖析 四、知己知彼：全球NOR Flash厂商详解 NOR Flash投资地图 方正证券研究所整理 汽车电子 IOT 穿戴式设备 VR/AR AMOLED 5G基站 手机摄像 N O R 五 巨 头 其 他 中 国 大 陆 企 业 32-1024 Mb

2、1-128 Mb 32 Mb+ 64-128 Mb 8-16 Mb 2-3 Gb 32 Mb+ 中国NOR新增市场规模 18.9 亿元 2018年 55.8 亿元 2022年 市 场 份 额 NOR Flash产业链：成熟制程产业链 全球NOR设计厂商全球NOR晶圆厂全球NOR封测厂 NOR Flash的供需展望：供需失衡，涨价持续 NOR Flash作为硬件层，支撑着汽车电子、5G、工业领域等方面应用软件层的启动，它的价值不可 取代，特别在一些高可靠性应用场景如汽车电子的存储芯片需要满足AEC-Q100车规认证，5G基站 需要满足至少工业级甚至车规级的标准，目前只有NOR的可靠性是符合的，N

3、OR在这些领域中已 经成为了刚需。 在需求端，无线耳机、汽车电子、AMOLED、5G等领域快速增长，推升NOR芯片需求大幅拉升。 在供给端，中芯国际产能满载，策略上偏向逻辑芯片，旺宏和华邦电产能持续紧张。我们认为，综 合来看，将导致NOR出现5%的供给短缺。结合供需分析和市场整体供应方的库存时间由过去的4周 降至1周，预计NOR的报价将在未来2个季度上涨5%左右。 方正证券研究所整理 NOR对行业的底层支撑 NOR 应用层 硬件层 汽车电子 IoT AR/VR 5G 智能穿戴 AMOLED 路由器 家庭网关 手机摄像 数字机顶盒 主板BIOS 人工智能 工 具 箱 NOR的供给（万片/月） -

4、10% -5% 0% 5% 10% 15% 0 2 4 6 8 10 12 201720182019E2020E 目录 一、NOR Flash投资逻辑框架 NOR Flash特性及与NAND的对比 NOR 供给侧分析：大厂持续退出，供给持续紧张 NOR Flash定义与U型发展史 二、NOR Flash：利基存储器焕发新春 三、NOR Flash：市场空间及竞争格局剖析 四、知己知彼：全球NOR Flash厂商详解 NOR 需求测分析：七大需求剖析 NOR Flash的定义和晶体管结构对比 NOR和NAND晶体管结构 NANDNOR 4F10F ，方正证券研究所整理 NOR Flash是采用“

5、或非”逻辑门电路的可被电子删除和重编的电子非易失性计算机存储媒介。 闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有 二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄露，所以闪存具有记忆能力。 闪存与场效应管一样是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿 过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而 NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用 热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。 闪存将信息存储在由浮栅晶体管制成的存储单元中。在NOR闪存中，每个存

6、储器单元的一端连接 到源极线，另一端直接连接到类似于NOR门的位线。在NAND闪存中，几个存储器单元（通常是8 个单元）串联连接，类似于NAND门。 闪存基本晶体管结构 单元 阵列 布局 横截面 单元大小 NOR Flash的发展史和发展趋势：“U型”反转 NOR的节点发展史 公告，英特尔，Gartner，Flash Memory Summit，方正证券研究所整理 NOR的发展史：受英特尔于1978年发明EEPROM的启发，东芝的富士雄在1980年取得突破，申请了 simultaneously erasable EEPROM的专利，并随后取名为Flash。之后，富士雄在1984年提出NOR F