2020我国半导体CMP抛光垫产业市场竞争格局企业布局行业研究报告（20页）.docx

1、2020 年深度行业分析研究报告内容目录CMP 是集成电路制造关键制程，抛光垫是核心耗材5平坦化要求日趋复杂，CMP 为集成电路制造关键制程5抛光垫决定 CMP 基础效果，重要性持续提升9CMP 抛光垫具有技术、专利、客户体系等较高行业壁垒10海外龙头基本垄断全球抛光垫市场15抛光垫行业集中较高，被海外龙头高度垄断15契机已来，国内晶圆制造崛起，将重塑国产半导体产业链15替代开启，抛光垫国产化开启主成长周期17CMP 半导体材料国产替代公司梳理19鼎龙股份：CMP 抛光垫打破国外垄断，迎来 1-N 跨越式发展19安集科技：CMP 抛光液处于国内领先地位20江丰电子：积极布局 CMP 部件领域2

2、0图表目录图 1：化学机械抛光实物图5图 2：化学机械抛光示意图5图 3：未使用 CMP 和使用 CMP 效果模拟对比5图 4： 集成电路中 CMP 工艺位置5图 5：CMP 发展历程6图 6：不同产品对应的 CMP 工艺及步骤需求7图 7：SiO2 绝缘膜 CMP（没有停止层）8图 8：层间绝缘膜 CMP（有停止层）8图 9：浅沟槽隔离 CMP8图 10：多晶硅 CMP8图 11：金属膜 CMP 流程8图 12：晶圆制造材料细分占比9图 13：CMP 材料细分占比9图 14：CMP 工艺变化趋势：抛光垫重要性提升10图 15：CMP 中抛光原理10图 16：抛光垫工作原理10图 17：全球区

3、域 PAD 类相关专利分布11图 18：中国及国际近年来抛光垫专利申请量对比11图 19：全球范围内专利权利引用次数11图 20：鼎龙股份及子公司拥有抛光垫相关专利情况12图 21：惰性气体成孔示意图13图 22：惰性气体成孔主要流程要点13图 23：IC1000 的孔隙率13图 24：IC1010 的孔隙率13图 25：XY 网格状沟槽（IC1000）14图 26：同心圆状沟槽（IC1010）14图 27：抛光垫产品导入简要流程图14图 28：公司 CMP 竞争格局15图 29：大陆区域晶圆厂运营主体的目标产能(万片/月)16图 30：大陆区域晶圆厂项目建设梳理一览16图 31：主流晶圆产能

4、目标16图 32：大陆区域主要晶圆厂产能目标汇总(万片/月)17图 33：国产替代路径18图 34：全球及国内 CMP 市场规模18图 35：鼎龙股份 2015-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)19图 36：鼎龙股份产品营收及占比(2019E)19图 37：安集科技 2016-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)20图 38：安集科技 2016-2019(E)年毛利率及净利率趋势20图 39：江丰电子 2015-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)20图 40：江丰电子 2015-2019(E)年毛利率及净利率趋势20表 1：抛光工艺对比6表 2：CMP 抛光效果评判标准显现抛

5、光垫决定基础抛光性能9表 3：不同抛光垫材料参数对比13CMP 是集成电路制造关键制程，抛光垫是核心耗材平坦化要求日趋复杂，CMP 为集成电路制造关键制程CMP 全称为 Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是普通抛光技术 的高端升级版本。集成电路制造过程好比建房子，每搭建一层楼层都需要让楼层足 够水平齐整，才能在其上方继续搭建另一层楼，否则楼面就会高低不平，影响整体 可靠性，而这个使楼层整体平整的技术在集成电路中制造中用的就是化学机械抛光 技术。CMP 是通过纳米级粒子的物理研磨作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合，对 集成电路器件表面进行平滑处理，并使

6、之高度平整的工艺技术。当前集成电路中主 要是通过 CMP 工艺，对晶圆表面进行精度打磨，并可到达全局平整落差 100A。1000A。（相当于原子级 10100nm）超高平整度。而未经平坦化处理，晶片起伏随着层数增多变得更为明显，同层金属薄膜由于厚度不均导致电阻值不同，引起电 致迁移造成电路短路。起伏不平的晶片表面还会使得光刻时无法准确对焦，导致线 宽控制失效，严重限制了布线层数，降低集成电路的使用性能。图 1：化学机械抛光实物图图 2：化学机械抛光示意图资料来源: 3M 官网、经济研究所整理资料来源: 百度、经济研究所整理图 3：未使用 CMP 和使用 CMP 效果模拟对比图 4： 集成电路中