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【公司研究】捷捷微电-公司首次覆盖报告:新品产能扩张受益国产替代-20200921(15页).pdf

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【公司研究】捷捷微电-公司首次覆盖报告:新品产能扩张受益国产替代-20200921(15页).pdf

1、电子电子/半导体半导体 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1 / 15 捷捷微电捷捷微电(300623.SZ) 2020 年 09 月 21 日 投资评级:投资评级:买入买入(首次首次) 日期 2020/9/18 当前股价(元) 33.08 一年最高最低(元) 48.90/19.49 总市值(亿元) 161.56 流通市值(亿元) 118.20 总股本(亿股) 4.88 流通股本(亿股) 3.57 近 3 个月换手率(%) 326.32 股价走势图股价走势图 数据来源:贝格数据 新品产能扩张,新品产能扩张,受益国产替代受益国产替代 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 刘翔(分析师)刘翔(分

2、析师) 盛晓君(联系人)盛晓君(联系人) 证书编号:S0790520070002 证书编号: S0790120080051 国产晶闸管龙头,国产晶闸管龙头,业绩快速成长业绩快速成长 公司深耕功率半导体行业 25 年,是国产晶闸管第一大供应商。公司立足功率半 导体,在晶闸管基础上不断拓展产品品类,获得快速成长。2015-2019 年公司营 收和归母净利润 CAGR 分别高达 29.3%和 23.81%。公司现有业务板块包括晶闸 管、防护器件、模块与组件、MOSFET、IGBT 芯片等。公司有望随着功率半导 体的国产化替代加深实现持续快速成长。 我们预计公司 2020-2022 年归母净利润 为

3、2.46/3.10/3.85 亿元,对应 EPS 为 0.50/0.64/0.79 元,当前股价对应 PE 为 65.7/52.1/41.9 倍。首次覆盖,给予“买入”评级。 IDM 模式保障长期发展模式保障长期发展,盈利能力突出盈利能力突出 公司运营采用 IDM 模式,业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造及封装测试等全业 务环节。IDM 模式一定程度上保障了芯片产能供应,对制造过程的品质监控及 检测有更深刻把控。此外,功率半导体领域创新变化相对较小,投入建设晶圆厂 长期效益较好, 有利于后进者追赶国际巨头。 晶圆厂昂贵的资金投入亦形成一定 壁垒。 公司产品售价端和成本端优势共同打造出色的盈利能力,

4、 毛利率和净利率 水平行业居前。公司毛利率水平常年处于 45%以上,净利率水平处于 28%以上, 均处于行业领先水平,大幅高于可比公司。 功率半导体国产替代空间巨大,公司功率半导体国产替代空间巨大,公司通过定增扩产能,通过定增扩产能,内生增长动力足内生增长动力足 国外大型半导体公司在我国半导体市场上长期处于优势地位, 据 IHS 数据, 2019 年中国的功率半导体市场达到 144.8 亿美元,主要市场份额为英飞凌、安森美、 德州仪器等海外企业占据。 MOSFET 和 IGBT 作为功率半导体分立器件的最主要 品种,国产替代空间巨大。2019 年 MOSFET 占公司整体营收的 15%,公司通

5、过 定增项目加码 MOSFET、IGBT、新型片式元件、光电混合集成电路封测等产能 建设,为业绩增长打下基础。 风险提示:风险提示:定增募资项目建设和投产不及预期;行业竞争加剧,毛利率下降; 疫情后宏观经济复苏不及预期,下游需求疲软。 财务摘要和估值指标财务摘要和估值指标 指标指标 2018A 2019A 2020E 2021E 2022E 营业收入(百万元) 537 674 875 1,130 1,408 YOY(%) 24.8 25.4 29.8 29.1 24.7 归母净利润(百万元) 166 190 246 310 385 YOY(%) 14.9 14.5 29.6 26.2 24.2

6、 毛利率(%) 48.9 45.1 46.2 46.2 47.1 净利率(%) 30.8 28.1 28.1 27.5 27.4 ROE(%) 12.3 8.4 10.1 12.0 13.7 EPS(摊薄/元) 0.34 0.39 0.50 0.64 0.79 P/E(倍) 97.5 85.2 65.7 52.1 41.9 P/B(倍) 12.0 7.2 6.6 6.3 5.8 数据来源:贝格数据、开源证券研究所 -40% 0% 40% 80% 120% 160% 2019-092020-012020-05 捷捷微电沪深300 开 源 证 券 开 源 证 券 证 券 研 究 报 告 证 券 研

7、 究 报 告 公 司 首 次 覆 盖 报 告 公 司 首 次 覆 盖 报 告 公 司 研 究 公 司 研 究 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2 / 15 目目 录录 1、 专注功率半导体,业绩快速成长 . 3 1.1、 国产晶闸管龙头,深耕行业廿五载. 3 1.2、 IDM 模式铸就壁垒,成本优势打造高盈利 . 4 2、 加码 MOSFET 及 IGBT 正逢时,新业务支柱雏形已现 . 7 2.1、 晶闸管和防护器件格局较为稳定, MOSFET 和 IGBT 前景广阔 . 7 2.2、 公司积极拓展产能加码新产品,营收增长可期 . 9 3、 国产替代

8、市场空间广阔,公司内生增长动力充足 . 11 4、 盈利预测与投资建议 . 12 4.1、 核心假设 . 12 4.2、 盈利预测与投资建议 . 12 5、 风险提示 . 12 附:财务预测摘要 . 13 图表目录图表目录 图 1: 公司专注功率半导体领域不断发展 . 3 图 2: 公司营收自 2016 年进入快速发展阶段. 3 图 3: 公司归母净利润保持增长 . 3 图 4: 公司实控人为黄善兵家族 . 4 图 5: 公司产品生产模式 . 5 图 6: 公司功率半导体芯片销售占比总体呈下降趋势 . 5 图 7: 公司产品系列较为丰富 . 6 图 8: 公司毛利率水平持续行业领先 . 6 图

9、 9: 公司净利率水平持续行业领先 . 6 图 10: 晶闸管的原理示意、符号及伏安特性. 7 图 11: 功率半导体分立器件技术参数不同,应用领域有所区别 . 8 图 12: 公司产品版图规划 . 10 图 13: 我国功率半导体市场主要由海外厂商占据 . 11 图 14: MOSFET 及 IGBT 在功率半导体分立器件及模组的全球市场份额占比大 . 11 表 1: 部分功率半导体厂商晶圆产能对比 . 5 表 2: 公司原材料成本占营业成本比重相对更低 . 6 表 3: 不同功率器件面世时间及性能特点 . 8 表 4: BJT/MOSFET/IGBT 器件特性对比 . 9 表 5: 公司定

10、增加码新产品产能建设 . 10 表 6: 公司预测市盈率水平处于合理区间 . 12 pOsNtMnRpRtPtPmRmOqOqP6MaO7NpNoOmOrRjMmMwPkPpNoP8OoOyRuOpOrPNZsOoM 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 3 / 15 1、 专注专注功率半导体,业绩快速成长功率半导体,业绩快速成长 1.1、 国产晶闸管龙头,深耕行业廿五载国产晶闸管龙头,深耕行业廿五载 江苏捷捷微电子股份有限公司成立于 1995 年,深耕行业 25 年,专注于半导体 分立器件、电力电子元器件的设计、制造和销售。公司现已成长为国内主要的功率 半

11、导体器件供应商,主要业务板块包括晶闸管、防护器件、模块与组件、MOSFET、 IGBT 芯片等。公司在晶闸管(又称可控硅,SCR)领域具有领先地位:公司是国内 研发最早、产品最齐全的厂家之一,在国内外市场享有较高品牌知名度和市场占有 率。公司成立以来不断进行产品研发和产能建设,实现稳步成长,于 2017 年在创业 板上市。 图图1:公司专注功率半导体领域不断发展公司专注功率半导体领域不断发展 资料来源:公司官网、公司年报、开源证券研究所 公司营收和净利润保持连续快速公司营收和净利润保持连续快速增长增长。公司营业收入连续多年保持正向增长, 其中 2016 年营收增速高达 37%,开启了连续几年的

12、高速增长模式。公司 2015-2019 年营收 CAGR 高达 29.3%。2020H1,公司实现营收 4.07 亿元,营收增速高达 42%。 公司归母净利润保持同步快速成长,2015-2019 年 CAGR 达 23.81%,2020H1 实现归 母净利润 1.17 亿元,增速达 37%。 图图2:公司营收自公司营收自 2016 年进入快速发展阶段年进入快速发展阶段 图图3:公司归母净利润保持增长公司归母净利润保持增长 数据来源:Wind、开源证券研究所 数据来源:Wind、开源证券研究所 0% 10% 20% 30% 40% 50% 0 200 400 600 800 营业收入(百万元)增

13、长率 0% 10% 20% 30% 40% 50% 0 50 100 150 200 归母净利润(百万元)增长率 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 4 / 15 公司实控人为公司实控人为黄善兵黄善兵、黄健及李燕黄健及李燕,股权结构稳定。,股权结构稳定。黄善兵先生为公司创始人 之一,其职业生涯专注于功率半导体领域:其于 1974-1995 年在启东市晶体管工作, 历任工人、科长、副厂长,并于 1995 年创立公司前身启东市捷捷微电子有限公司。 黄善兵及其子黄健、儿媳李燕间接及直接持有公司股份合计 39.21%,实现对公司的 控制,股权结构稳定。 图图4:公

14、司实控人为黄善兵家族公司实控人为黄善兵家族 资料来源:Wind、开源证券研究所 1.2、 IDM 模式模式铸就铸就壁垒壁垒,成本优势打造高盈利,成本优势打造高盈利 公司依托公司依托 IDM 模式开展业务,形成一定竞争优势和壁垒。模式开展业务,形成一定竞争优势和壁垒。IDM 即 Integrated Device Manufacturer 垂直整合制造商, 指业务范围涵盖芯片设计、 晶圆制造及封装测 试等全业务环节的集成电路企业组织模式。电力电子器件对工艺设计和工艺过程控 制的要求非常高, 制造工艺涵盖多道工序, 生产过程采用流水制造方式, 流程较长。 公司采用 IDM 经营模式,一定程度上保障

15、了芯片产能供应,对制造过程的品质监控 及检测有更深刻把控,有利于提高产品的可靠性和稳定性。此外,功率半导体领域 创新变化相对较小,投入建设晶圆厂长期效益较好,有利于后进者追赶国际巨头。 建设晶圆厂、封测厂需要投入大量的资金,形成一定的资金壁垒,阻碍了潜在竞争 者进入产业。 公司及其竞争对手大多采用公司及其竞争对手大多采用 IDM 模式模式,公司积极扩张晶圆产能公司积极扩张晶圆产能,进一步夯实自进一步夯实自 己己的晶圆制造基础的晶圆制造基础,为未来成长打下基础为未来成长打下基础。公司原有 4 英寸晶圆年产能 160 万片, 通过募投项目规划新增 90 万片/年,截至 2019 年底募投项目拟投入

16、资金投入完毕, 其中半导体防护器件建设项目已达预计效益,新建产线产能持续提升中。此外,公 司通过定增项目规划新建 4 英寸晶圆年产能 150 万片,6 英寸晶圆年产能 60 万片, 建成后公司晶圆生产能力将达到国内先进水平。 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 5 / 15 表表1:部分部分功率半导体厂商晶圆产能对比功率半导体厂商晶圆产能对比 公司公司 产品范围产品范围 业务模式业务模式 晶圆产线尺寸晶圆产线尺寸 产能产能 捷捷微电 晶闸管、MOSFET、IGBT 芯片、防护器件、模块 IDM 4 英寸、6 英寸(定增募 投项目) 4 英寸(160-250

17、 万片/年,另有 150 万 片/年在建) 、6 英寸(在建 60 万片/年) 扬杰科技 二极管、 晶闸管、 MOSFET IDM 4 英寸、6 英寸 4 英寸(1200 万片/年) 、6 英寸(48-60 万片/年) 新洁能 MOSFET/IGBT 芯片和 器件 采用 Fabless 模式, 已初步完成先进封装 测试生产线的建设 / / 华微电子 晶闸管、IGBT/MOSFET 芯片、二极管、模块 IDM 4 英寸、5 英寸、6 英寸、 8 英寸 各尺寸 336 万片/年, 8 英寸规划产能为 96 万片/年 台基股份 晶闸管、IGBT 芯片、模 块、整流管 IDM 4 英寸以下,6 英寸

18、6 英寸预计 24 万片/年 安世半导体 MOSFET、二极管、防护 器件 IDM 6 英寸、8 英寸、12 英寸 6、8 英寸(75 万片/年) 、12 英寸(预 计 36 万/年) 资料来源:各公司公告、各公司官网、开源证券研究所 依托依托公司自建晶圆厂公司自建晶圆厂, 公司公司现有业务分为功率半导体芯片和分立器件两大板块现有业务分为功率半导体芯片和分立器件两大板块, 芯片自用比例芯片自用比例整体整体呈现上升趋势呈现上升趋势。其中功率半导体芯片是决定功率半导体分立器件 的核心,在经过后道工序封装后,成为功率半导体分立器件成品。近年来公司半导 体芯片的自用比例总体呈现上升趋势,对外销售呈总体

19、下降趋势。2019 年,公司功 率半导体芯片的销售收入占总营收的 23.05%,相对 2014 年的 36.65%下降明显。 图图5:公司产品生产模式公司产品生产模式 图图6:公司功率半导体芯片销售占比总体呈下降趋势公司功率半导体芯片销售占比总体呈下降趋势 资料来源:公司招股书 数据来源:Wind、开源证券研究所 具体产品系列来看,公司产品包括晶闸管、防护器件、具体产品系列来看,公司产品包括晶闸管、防护器件、MOSFET、IGBT 以及以及 模块与组件产品模块与组件产品。公司产品以晶闸管为主,2019 年占整体营收的 49%左右,其余产 品占比呈上升趋势,覆盖面较广。 0% 20% 40% 6

20、0% 80% 100% 201420152016201720182019 2020H1 功率半导体分立器件功率半导体芯片其他 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 6 / 15 图图7:公司产品系列较为丰富公司产品系列较为丰富 资料来源:公司年报、公司招股书、开源证券研究所 公司公司产品售价端和成本端优势共同打造出色的盈利能力产品售价端和成本端优势共同打造出色的盈利能力,毛利率和净利率水平,毛利率和净利率水平 行业居前。行业居前。公司毛利率水平常年处于 45%以上,净利率水平处于 28%以上,均处于 行业领先水平,大幅高于可比公司。公司盈利水平突出,是售价端

21、和成本端共同作 用的结果。售价端,功率器件客户成本敏感性小,对可靠性要求高,可靠性决定了 价格。公司主要产品晶闸管可靠性高,与国外品牌直接竞争,相对国外品牌性价比 高,具有一定的定价权,产品毛利率水平约 50%。在成本端,公司产品生产过程中 良率水平高,直接降低了生产成本。此外,公司通过工艺创新、简化生产工艺、集 约化和精细化管理,在生产的各个环节节约材料、降低成本。与可比公司相比,公 司营业成本中的原材料成本占比较低。 图图8:公司毛利率水平持续行业领先公司毛利率水平持续行业领先 图图9:公司公司净利率水平持续行业领先净利率水平持续行业领先 数据来源:Wind、开源证券研究所 数据来源:Wi

22、nd、开源证券研究所 表表2:公司原材料成本占营业成本比重相对更低公司原材料成本占营业成本比重相对更低 公司公司 半导体器件原材料占营业成本比重半导体器件原材料占营业成本比重 半导体芯片原材料占营业成本比重半导体芯片原材料占营业成本比重 捷捷微电 71% 33% 扬杰科技 76% 59% 台基股份 64% 数据来源:各公司年报、开源证券研究所 0% 20% 40% 60% 201420152016201720182019 2020H1 捷捷微电新洁能扬杰科技 台基股份华微电子 -100% -50% 0% 50% 捷捷微电新洁能扬杰科技 台基股份华微电子 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必

23、参阅正文后面的信息披露和法律声明 7 / 15 2、 加码加码 MOSFET 及及 IGBT 正逢时正逢时,新业务支柱雏形,新业务支柱雏形已现已现 2.1、 晶闸管晶闸管和防护器件和防护器件格局较为稳定格局较为稳定, MOSFET 和和 IGBT 前景前景广阔广阔 晶闸管技术成熟晶闸管技术成熟,性价比高性价比高,特性是能在高电压、大电流条件下工作,特性是能在高电压、大电流条件下工作。晶闸管 是晶体闸流管(Thyristor)的简称,又称可控硅整流器,面世于 20 世纪 60 年代,是 功率半导体分立器件中技术成熟的产品。 图图10:晶闸管的原理示意、符号及伏安特性晶闸管的原理示意、符号及伏安特

24、性 资料来源: 晶闸管能在高电压、大电流条件下工作,其在所有半导体功率分立器件中耐压 容量最高(可达 12KV 以上) 、电流容量最大(可到 6000A 以上) 。正是由于其高电 压、大电流、导通损耗极低的特性,可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控 制和变换,其功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电流,实 现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等作 用。晶闸管的出现,使半导体技术从弱电进入了强电领域,成为工业、交通运输、 军事科研、商业及民用电器等各方面广泛采用的电子元器件。 预计未来预计未来晶闸管市场空间晶闸管市场空间较为稳定。较为稳定。尽管

25、后期全控型、高频率、集成化、模块 化功率半导体分立器件逐步产生并迅速发展,晶闸管依然是迄今为止能承受电压和 电流容量相对较高的功率半导体分立器件。相对于其他功率半导体分立器件,晶闸 管具有制造成本较低、体积小、重量轻、相应配套电路结构简单的特点,其性价比 优势和可靠性优势保证了晶闸管的广泛应用空间和不可替代性,预计未来晶闸管市 场空间将保持稳定。 半导体防护器件种类较多半导体防护器件种类较多,由于使用场合广泛,市场需求量大,市场规模较为,由于使用场合广泛,市场需求量大,市场规模较为 稳定。稳定。半导体防护器件主要有半导体放电管(TSS) 、瞬态抑制二极管(TVS) 、静电 防护元器件(ESD)

26、 、集成防护器件、Y 电容、压敏电阻等,可应用于仪器仪表、工 业控制、汽车电子、手持终端设备、户外安防、电脑主机等各类需要防浪涌冲击、 防静电的电子产品内部,以保护内部昂贵的电子电路,总体市场规模呈现稳步增长 态势。 随着电力电子器件功率密度和高频化提升随着电力电子器件功率密度和高频化提升, 适应更高开关频率的器件适应更高开关频率的器件 MOSFET (金属(金属-氧化物半导体场效应晶体管)氧化物半导体场效应晶体管)及及 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)(绝缘栅双极型晶体管)分别于分别于 20 世世 纪纪 70 年代和年代和 80 年代面世年代面世。 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅

27、正文后面的信息披露和法律声明 8 / 15 表表3:不同功率器件面世时间及性能特点不同功率器件面世时间及性能特点 基材基材 代表产品代表产品 面世时间面世时间 技术特点技术特点 系统应用特性系统应用特性 硅基半导 体 功率二极管 20世纪50年代 不可控型 结构简单,但只能整流使用, 不可控制导通、关断 晶闸管 20世纪60年代 半控型器件 开关使用, 不易驱动, 损耗大, 难以实现高频化变流 功率三极管 20世纪50年代 全控型器件 开关使用成功率放大使用,不 易与驱动控制,频率较低 平面型功率 MOSFET 20世纪70年代 易于驱动,工作频率高,但芯 片面积相对较大,损耗较高 沟槽型功率

28、 MOSFET 20世纪80年代 易于驱动,工作频率高,热稳 定性好,损耗低,但耐压低 IGBT 20世纪80年代 开关速度高,易于驱动,频率 高,损耗很低,具有耐脉冲电 流冲击的能力 超结功率 MOSFET 20世纪90年代 易于驱动,频率超高,损耗极 低,最新一代功率器件 屏蔽栅功率 MOSFET(SGT) 21 世纪 打破了硅限,大幅降低了器件 的导通电阻和开关损耗 宽禁带材 料半导体 SiC、GaN 半导体功 率器件 21 世纪 / / 资料来源:新洁能招股说明书、开源证券研究所 晶闸管晶闸管、MOSFET 及及 IGBT 等各类功率半导体分立器件的性能参数不同等各类功率半导体分立器件

29、的性能参数不同,对应对应 下游应用有所区别下游应用有所区别,预计仍将长期共存。,预计仍将长期共存。从发展动能来看,从发展动能来看,MOSFET 及及 IGBT 的发的发 展前景更为广阔展前景更为广阔。 图图11:功率半导体分立器件功率半导体分立器件技术参数不同,技术参数不同,应用领域有所区别应用领域有所区别 资料来源:三菱电机官网 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 9 / 15 MOSFET 发展的驱动动力主要来自发展的驱动动力主要来自通信通信及消费电子领域及消费电子领域。 MOSFET 具有开关频 率高、 导通电阻小、 损耗低、 驱动电路简单、 热阻特

30、性佳等优点, 特别适合用于 PC、 手机、行动电源、车载导航、电动交通工具、UPS 电源等电源控制领域。通信设备 的更新换代,汽车电子传感器的增加,以及 5G 基础建设带来的基站设备的增加都将 大规模的提高 MOSFET 的用量。 IGBT 的发展动力主要来自新能源汽车的发展动力主要来自新能源汽车、风电及光伏等新能源领域风电及光伏等新能源领域,发展动能,发展动能 强劲强劲。IGBT 则是由双载子接面电晶体 (BJT) 和 MOSFET 组成的复合式半导体功 率元件,兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通电阻两方面的优点。IGBT 驱 动功率小,非常适合应用于直流电压为 600V

31、及以上的变流系统,如交流电机、变 频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。 据英飞凌数据,IGBT 约占新能源汽车电控系统成本的 37%,是电控系统中最核 心的电子器件之一。未来新能源汽车的市场规模有望继续扩张,将持续带动 IGBT 市场的需求提升。 据 IHS Markit 预测,2020 年,全球新增太阳能光伏装机将达到 142GW,同比增 长 14,未来十年全球太阳能安装量将继续保持两位数的增长率。据全球风能理事 会(GWEC)预测, 2020-2024 年随着全球越来越多的国家开拓风电事业以及风电成本 持续下滑,全球风能产业将保持快速发展态势,预计到 2024 年全球风电装机容量将 同比

32、 2019 年增长 54%,利好 IGBT 市场发展。 表表4:BJT/MOSFET/IGBT 器件特性对比器件特性对比 器件特性器件特性 BJT MOSFET IGBT 电压 1Kv 1kV 电流 500A 500A 输入驱动方式 电流驱动 电压驱动 电压驱动 输入阻抗 低 高 高 输出阻抗 低 中 低 开关速度 慢(s) 快(ns) 中 成本 低 中 高 资料来源:中国产业信息网、开源证券研究所 2.2、 公司积极拓展产能加码新产品,营收增长可期公司积极拓展产能加码新产品,营收增长可期 公司公司为为抓住抓住 MOSFET、IGBT 及新型功率半导体器件的机会及新型功率半导体器件的机会,积极

33、进行相关研积极进行相关研 发及产能布局发及产能布局。公司中短期进行 MOSFET 及 IGBT 器件的研发和产能建设,目标将 其建设为又一支柱型业务。长期来看,公司将跟踪研究宽禁带半导体功率器件,充 分利用公司在功率半导体分立器件领域的技术、渠道及品牌优势,完善产品版图, 使产品之间形成互补。 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 10 / 15 图图12:公司产品版图规划公司产品版图规划 资料来源:公司招股书 公司利用定增募投项目公司利用定增募投项目,加码加码 MOSFET/IGBT 等产品的产能布局等产品的产能布局,为进一步成为进一步成 长打下基础长打下

34、基础。公司拟投入募集资金 5.31 亿元进行电力电子器件生产线建设。该项目 建设期为 24 个月,主要产品为电力电子器件功率 MOSFET、IGBT、快恢复二极管 (FRD) 、晶闸管等。预计项目建成达产后年产值为 6.21 亿元。此外,公司拟投入募 集资金 1.90 亿元进行新型片式元器件、光电混合集成电路封测生产线生产线建设项 目。该项目建设期为 24 个月,主要产品包括贴片式压敏电阻、贴片式二极管和交、 直流光电耦合混合电路。项目建成达产后预计年产值为 2 亿元。 表表5:公司定增加码公司定增加码新产品产能建设新产品产能建设 募资建设项目募资建设项目 拟投入资金拟投入资金 产品产品 产能

35、规划产能规划 预期收益预期收益 电力电子器件生产线 建设 5.31 亿元 电力电子器件功率 MOSFET、 IGBT、快恢复二极管(FRD) 、 晶闸管 电力电子芯片生产线 1 条,年产 60 万片 6 英寸芯片; 封装线 5 条, 年产自封电力电子器件 30 亿只; 新建技 术研发及检测 1 条和实验室 1 个 年产值 6.21 亿元 新型片式元器件、光 电混合集成电路封测 生产线生产线建设 1.90 亿元 贴片式压敏电阻、 点片式二极管 和交/直流光电耦合混合电路 年产 4 英寸圆片 150 万片,器件 20.9 亿只,其中贴片 压敏电阻 1.6 亿只,贴片式二极管 17.5 亿只,交直藕 1

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