1、行 业 研 究 2024.07.25 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 电 子 行 业 专 题 报 告 DUV 时代刻蚀和沉积设备重要性凸显 分析师 郑震湘 登记编号：S1220523080004 佘凌星 登记编号：S1220523070005 刘嘉元 登记编号：S1220523080001 行 业 评 级:推 荐 公 司 信 息 上市公司总家数 512 总股本(亿股)5,526.53 销售收入(亿元)13,148.90 利润总额(亿元)693.81 行业平均 PE 124.02 平均股价(元)24.68 行 业 相 对 指 数 表 现 数据来源：wind 方正证

2、券研究所 相 关 研 究 看好国产存储供应链机遇设备篇2024.07.08 模拟芯片库存拐点已至，AI 拉动电源相关需求2024.06.21 中国科技企业新估值体系的探讨2024.06.13 CIS 专题三：索尼&三星脚步放缓，国产龙头豪威高歌猛进2024.06.06 多重图形化及多重图形化及 NANDNAND 三维化驱动刻蚀、沉积设备占比提升。三维化驱动刻蚀、沉积设备占比提升。2004 年以来沉积和刻蚀类设备在 WFE 中占比呈上升趋势。刻蚀设备从 2004-2008 年的平均占比14.6%，提升至 2019-2023 年的 20.6%。沉积设备从 2004-2008 年的平均 19.9%，

3、提升至 2019-2023 年的平均 22.1%。我们认为份额提升的主要原因是 DUV 时代，逻辑和 DRAM 制程节点升级依靠多重图案化以及 NAND 三维化层数增加，工艺流程中对刻蚀和沉积的层数数量、难度的提升。20nm20nm 技术节点引入多重图形化技术，光刻机套刻精度、效率提升，沉积、刻蚀技术节点引入多重图形化技术，光刻机套刻精度、效率提升，沉积、刻蚀需求增加。需求增加。台积电 2011 年 28nm 制程节点规模量产后，2013 年 11 月，公司 16nm FinFET 节点开始风险量产。2014 年台积电 20nm 技术规模量产，且应用了创新的双重图形化技术。2015 年 16n

4、m FF+规模量产，2017 年和 2018 年分别规模量产 N10 和 N7 节点，从 2019 年开始首次使用 EUV 技术，第一代产品是 N7+。行业在 20nm 节点进入多重图形化技术阶段，多重图形化对光刻机的套刻精度、生产效率提出更高要求，我们看到 ASML 自 2008 年推出 TWINSCAN NXT:1950i 以后，NXT:1960Bi、NXT:1965Ci、NXT:1970Ci、NXT:1980Di 等均围绕套刻精度和每小时处理晶圆片数进行提升。此外，3D NAND 向着垂直方向的发展（层数增加），制造设备端对刻蚀（高深宽比刻蚀）和沉积设备亦显著增加。全球光刻进入全球光刻进

5、入 EUVEUV 时代。时代。光刻工艺作为集成电路制造过程中最直接体现其工艺先进程度的技术，根据瑞利定律，减小波长能够提高光刻系统分辨率。ASML 最先进 TWINSCAN EXE:5000，使用波长为 13.5 纳米的光，单次曝光能够实现 8nm分辨率。台积电自 2019 年开始用 EUV 规模量产 N7+制程节点。三星 2020 年宣布成功出货全球首批 100 万个基于 EUV 技术的 D1x DDR4 DRAM 模块。美光目前量产的 DRAM 均采用 DUV 光刻设备制造，公司已于 2024 年开始试生产基于 EUV光刻的 1 DRAM，并计划于 2025 年量产。2023 年 ASML

6、 EUV 光刻机 ASP 超过1.7 亿欧元，是 ArFi 约 7200 万欧元 ASP 的两倍以上。EUV 技术减少了多重图案化中的重复步骤，提升图案精度，从而提高性能和良品率，并缩短开发时间。中国大陆先进制程、存储扩产高弹性。中国大陆先进制程、存储扩产高弹性。BIS 升级出口管制措施，中国大陆无法获得 EUV 及先进 DUV 光刻机。以 ASML 的光刻机参数为例，公司所有 EUV 设备均使用 13.5nm 波长光源，都在限制出口中国大陆范围内。此外 ASML 表示预计自 2024 年开始不再能获得向中国大陆出货其 TWINSCAN NXT:2000i 及更高端型号设备的出口许可。中芯国际