2024光刻机行业市场格局、国产替代现状及相关标的分析报告（107页）.pdf

1、2 0 2 4 年深度行业分析研究报告 40102040305光刻：集成电路制造核心环节光刻：集成电路制造核心环节技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促光刻产业升级光刻产业升级市场：一超两强格局稳定，新建晶圆厂市场：一超两强格局稳定，新建晶圆厂+产线扩产拉动需求产线扩产拉动需求破局：师夷长技以制夷，星星之火可燎原破局：师夷长技以制夷，星星之火可燎原相关标的相关标的目录目录 5分目录分目录01光刻：集成电路制造核心环节光刻：集成电路制造核心环节1.1 1.1 光刻三剑客：光刻机光刻三剑客：光刻机+光刻胶光刻胶+光掩膜光掩膜1.2 1.

2、2 光刻机：通过光源将光掩膜上图形投射于硅片光刻机：通过光源将光掩膜上图形投射于硅片1.3 1.3 光刻胶：在曝光区发生光固化反应光刻胶：在曝光区发生光固化反应1.4 1.4 光掩膜：图形转移工具或母版光掩膜：图形转移工具或母版1.5 1.5 集成电路制造流程集成电路制造流程1.6 1.6 集成电路制造资本开支结构集成电路制造资本开支结构1.7 1.7 光刻工艺：各步骤环环相扣，光刻机代表产线先进程度光刻工艺：各步骤环环相扣，光刻机代表产线先进程度1.8 1.8 发展历程：投影光刻机为当前发展历程：投影光刻机为当前ICIC制造主流选择制造主流选择02技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动

3、，共促光刻产业升级技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促光刻产业升级2.1 2.1 分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定2.2 2.2 光源波长（光源波长（）光源光源2.2.1 2.2.1 原理：其他条件不变下，光源波长越短，光刻机分原理：其他条件不变下，光源波长越短，光刻机分辨率越高辨率越高2.2.2 2.2.2 发展：高压汞灯光刻光源发展：高压汞灯光刻光源深紫外光光源深紫外光光源极紫外极紫外光光源光光源2.2.3 2.2.3 核心技术（核心技术（EUVEUV光源）：光源）：LLPLLP光源较为稳定，且碎屑光源较为稳定，且碎屑量

4、较低，适用于大规模量产量较低，适用于大规模量产2.2.3 2.2.3 核心技术（核心技术（EUVEUV光源）：高功率、转换效率为光源）：高功率、转换效率为EUVEUV光光刻必要条件刻必要条件2.2.3 2.2.3 核心技术（核心技术（EUVEUV光源）：液滴光源）：液滴SnSn靶易于操控，转换效靶易于操控，转换效率较高率较高 6分目录分目录02技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促光刻产业升级技术：光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促光刻产业升级2.2.3 2.2.3 核心技术（核心技术（EUVEUV光源）：加入预脉冲可以极大提高光源）：加入预脉冲可以极大提高CECE，双脉

5、冲成为主流双脉冲成为主流2.2.4 2.2.4 现状：现状：CymerCymer与与GigphotonGigphoton几乎垄断全球激光光刻机几乎垄断全球激光光刻机光源产业，科益虹源弥补技术空白光源产业，科益虹源弥补技术空白2.2.5 2.2.5 趋势：输出功率、脉冲能量整体呈现上升趋势，光趋势：输出功率、脉冲能量整体呈现上升趋势，光谱线宽呈现收窄趋势谱线宽呈现收窄趋势2.2.6 2.2.6 弯道超车：稳态微聚束弯道超车：稳态微聚束(SSMB)(SSMB)为极紫外光的产生提为极紫外光的产生提供新方法供新方法2.3 2.3 数值孔径（数值孔径（NANA）物镜物镜2.3.1 2.3.1 原理：其他

6、条件不变下，数值孔径越大，光刻机分原理：其他条件不变下，数值孔径越大，光刻机分辨率越高辨率越高2.3.2 2.3.2 路径（物镜结构）：从路径（物镜结构）：从“双腰双腰”到到“单腰单腰”，引入，引入非球面镜片非球面镜片2.3.2 2.3.2 路径（投影方式）：折反式使用较少光学元件实现路径（投影方式）：折反式使用较少光学元件实现更大数值孔径并实现场曲矫正更大数值孔径并实现场曲矫正2.3.2 2.3.2 路径（像方介质折射率）：浸没式光刻提供更大焦路径（像方介质折射率）：浸没式光刻提供更大焦深并支持高深并支持高NANA成像成像 2.3.3 2.3.3 制造：物镜加工精度确保光线高精度聚焦制造：物