1、 敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告|行业深度报告 2024 年 04 月 01 日 推荐推荐（维持）（维持）半导体半导体行业行业深度跟踪深度跟踪报告报告 TMT 及中小盘/电子 美国美国 BIS 对中出口管制条令对中出口管制条令最早于最早于 2022 年年 10 月颁布，月颁布，对半导体部分算力芯片、对半导体部分算力芯片、先进制造先进制造设备设备等进行限制；等进行限制；BIS 于于 2023 年年 10 月月 17 日发布更新版日发布更新版出口管制条令，出口管制条令，对半导体算力和先进制造领域限制进一步深化，规定更加明确对半导体算力和先进制造领域限制进一步深化，规定更加明确，并并于于 11

2、 月月 17日正式日正式实施；实施；2024 年年 3 月月 29 日，美国日，美国 BIS 再次发布新规，再次发布新规，补充补充了了对对计算机计算机、服务器服务器等整机产品的限制，等整机产品的限制，并增加对部分国家或地区的“推定拒绝”并增加对部分国家或地区的“推定拒绝”措施措施以及以及对特定产品对特定产品采取采取“批准推定”“批准推定”或或“逐案审查”，“逐案审查”，预计预计于于 4 月月 4 日开始实施日开始实施。在。在美美国国半导体出口管制逐步半导体出口管制逐步趋严趋严情况下，算力和情况下，算力和先进先进制造领域国产化有望进一步制造领域国产化有望进一步提速，建议关注国内算力、先进封装及关

3、键半导体设备、零部件等领域标的提速，建议关注国内算力、先进封装及关键半导体设备、零部件等领域标的。美国美国 BIS 公布公布算力算力芯片和半导体芯片和半导体先进先进制造等领域的出口管制新规，制造等领域的出口管制新规，整体趋严，整体趋严，预计预计 4 月月 4 日日开始实施。开始实施。1）2023 年年 10 月新规：月新规：2023 年 10 月 17 日，美国BIS 发布关于半导体算力芯片及先进制造领域的出口管制条例，以对 2022 年10 月的出口管制条例进行补充，已于 11 月 17 日正式实施。在算力方面，条令对 AI 芯片性能参数进行更为严格的规定，并将壁仞科技、摩尔线程等 13家中

4、方企业列入实体清单；在半导体先进制造领域，对光刻、沉积、刻蚀、离子注入、外延、清洗、退火等核心设备，以及配套的掩膜版、晶圆处理系统等核心材料和零部件进行细致的出口管制规定；2）本次新规：）本次新规：2024 年 3月 29 日，美国 BIS 再次发布新一版的出口管制条令，对中国澳门和 D:5 国家组实行“推定拒绝”措施，对于符合特定要求的产品，则分别实施“批准推定”或“逐案审查”措施；同时，新规对算力领域的限制扩大至计算机和服务器整体产品等，但对半导体先进制造领域并未做出太多补充修订，仅明确了个别参数和单位等的说明。本次出口管制修正版预计于 4 月 4 日正式实施。美国美国 BIS 新规新规在

5、算力领域管制范围略有扩大，在算力领域管制范围略有扩大，增加增加对对符合条件符合条件的的计算机和计算机和服服务器等组装务器等组装整机产品的整机产品的管制管制。2023 年 10 月份美国 BIS 法规对于用于 AI 训练的高算力芯片提出使用 TPP（总处理性能）和 PD（性能密度）两项指标进行更严格的管制，3A090 规定下主流的 GB200/H100/H800/A100/A800 等训练芯片和 L40s 等推理芯片均受到出口管制，10 月 17 日文件更是将壁仞和摩尔线程等列入实体名单。上周五新规文件更新表示，对于包含满足 3A090.a 和3A090.b 限制要求的计算机或服务器整机组装类产

6、品，同样实施出口管制。半导体半导体先进先进制造领域出口管制围绕光刻、沉积、刻蚀等关键设备以及配套的制造领域出口管制围绕光刻、沉积、刻蚀等关键设备以及配套的零部件和材料。零部件和材料。本次新规和上一版变动不大，调整主要为个别单位等的修正，仍是围绕光刻、沉积、刻蚀、离子注入、外延等核心半导体设备，以及掩膜版、晶圆处理系统等关键零部件和材料。1）光刻设备：）光刻设备：对曝光式光刻机，新规对光源波长小于 193nm，或光源波长大于 193nm，但分辨率45nm 以及最大 DCO2.4nm 的设备进行管制；新规还对符合条件和掩模制造设备、激光直写光刻机和 45nm 以下的压印式光刻机进行出口管制；2）沉