1、2023 年深度行业分析研究报告 目目 录录 1、HBMAI 算力核心载体,需求持续高速增长.-4-1.1、HBM 突破了内存容量与带宽瓶颈,性能优势突出.-4-1.2、AI 算力驱动 HBM 需求爆发.-7-1.3、HBM 加速迭代,存储大厂积极扩产.-8-2、HBM 制造工艺演进,上游设备材料迎来发展良机.-10-2.1、HBM 制造带来额外技术需求,TSV、键合等成为关键工艺.-10-2.2、海内外 HBM 产能有序建设,驱动上游设备订单增长.-21-2.3、HBM 扩产拉动上游材料需求,国产替代空间广阔.-27-3、HBM 产业链部分国产厂商梳理.-32-3.1、设备厂商.-32-3.
2、2、材料厂商.-34-3.3、存储厂商.-36-3.4、封测厂商.-37-图目录图目录 图 1、HBM 内存结构与封装技术图解.-4-图 2、HBM 与 GDDR5 技术对比.-4-图 3、HBM 发展历程.-6-图 4、2022-2024 年 HBM 各代需求占比.-7-图 5、2022-2026 年全球 AI 服务器出货量预估(单位:千台).-8-图 6、2024 年全球 CSP 对高阶 AI 服务器预计需求占比.-8-图 7、存储三大原厂 HBM 研发进度.-9-图 8、HBM in SiP.-10-图 9、HBM 工艺流程.-11-图 10、集成电路前道晶圆加工工艺.-11-图 11、
3、引线键合和 TSV 的堆叠封装对比.-12-图 12、硅通孔封装工序.-12-图 13、测试的参数种类.-13-图 14、CP 测试图示.-13-图 15、Bumping 工艺流程.-14-图 16、背面研磨减薄的流程图.-14-图 17、多层堆叠要求单个 DRAM 厚度极薄.-15-图 18、临时键合和解键合步骤.-15-图 19、UV 固化临时键合和激光解键合.-15-图 20、SK 海力士历代 HBM 产品的堆叠技术.-16-图 21、TCB 核心流程.-16-图 22、倒装键合回流焊流程.-17-图 23、回流焊工艺会产生的部分缺陷.-17-图 24、常用的底部填充方法.-18-图 2
4、5、HBM 中的 MR-MUF 方法的具体流程.-18-图 26、MR-MUF 和 TC-NCF 方法对比.-19-图 27、键合技术演进.-19-图 28、混合键合主要步骤.-20-JXhUwVdYmUdW6YhVaXlW6M8Q7NtRpPsQtPfQoOnOjMtRqO9PoPrQwMrRyQMYmQmN 图 29、混合键合的应用.-20-图 30、HBM 的封装成本构成.-21-图 31、2.5D 封装成本.-21-图 32、研磨减薄机内部结构及加工流程.-23-图 33、DISCO 研磨减薄机收入(亿日元).-23-图 34、典型的存储测试流程.-23-图 35、HBM 测试流程.-
5、23-图 36、封装中的电镀(以 Bumping 工艺为例).-24-图 37、直写光刻、接近/接触式光刻以及投影式光刻示意图.-24-图 38、不同的键合方法分类.-25-图 39、几种键合方法的对比.-25-图 40、Besi 应用于不同 Die Attach 工艺的设备种类.-25-图 41、3D chiplet 结构用到多种 die attach 工艺.-25-图 42、Die Attach 设备市场规模及 Besi 份额.-25-图 43、不同的晶圆键合方法.-26-图 44、超越摩尔定律相关键合设备市场规模.-26-图 45、无需介质层的混合键合图示.-26-图 46、混合键合的几
6、种方式.-26-图 47、采用混合键合后键合步骤有望增加.-27-图 48、混合键合未来规模预测.-27-图 49、环氧塑封料的应用及产品图示.-28-图 50、注塑成型和压缩成型法.-28-图 51、不同类型的环氧塑封料.-29-图 52、不同封装类型环氧塑封料竞争格局.-29-图 53、封装基板示意图.-29-图 54、不同类型封装基板市场规模.-29-图 55、ABF 材料在 FC BGA 产品中的应用.-30-图 56、2021 年封装基板市场格局.-30-图 57、不同应用的电镀液产品.-31-图 58、全球半导体电镀化学品市场规模.-31-图 59、Bumping 工艺流程使用到的