半导体行业走进“芯”时代系列之七十六~HBM之“设备材料”深度分析：HBM迭代3D混合键合成设备材料发力点-240304（79页）.pdf

1、证券研究报告证券研究报告本报告仅供华金证券本报告仅供华金证券客户客户中的专业投资者参考请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明中的专业投资者参考请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点走进“芯”时代系列之七十六HBM之“设备材料”深度分析走进“芯”时代系列之七十六HBM之“设备材料”深度分析分析师：孙远峰 S0910522120001分析师：王海维 S09105230200052024年3月4日半导体行业深度报告领先大市-A（维持）半导体行业深度报告领先大市-A（维持）2请仔细阅读在正文之后的重要法律声明HBM技术迭代，技

2、术迭代，3D混合键合助力设备材料混合键合助力设备材料HBMHBM加速迭代，市场空间足：加速迭代，市场空间足：HBMHBM突破突破“内存墙内存墙”，实现高带宽高容量，成为，实现高带宽高容量，成为AIAI芯片最强辅助，我们认为芯片最强辅助，我们认为HBMHBM将持续迭代，将持续迭代，I/OI/O口数量以及单口数量以及单I/OI/O口速口速率将逐渐提升，率将逐渐提升，HBM3HBM3以及以及HBM3eHBM3e逐渐成为逐渐成为AIAI服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4HBM4于于202620

3、26年发布。年发布。20242024年全球年全球HBMHBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。HBM3HBM3海力士率先引入海力士率先引入MR-MUFMR-MUF，HBM4HBM4剑指混合键合：剑指混合键合：当前当前HBMHBM采用采用“TSV+BumpingTSV+Bumping”+TCBTCB键合方式堆叠（键合方式堆叠（TSVTSV一般由晶圆厂完成，封测厂可在堆叠环节一般由晶圆厂完成，封测厂可在堆叠环节进行配套），但随着堆叠层数的增加散热效率很差，进行配套），但随着堆叠层数的增加散热效率很差，TCBTCB不再满足需求，海

4、力士率先引入不再满足需求，海力士率先引入MR-MUFMR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片之间用液态环氧模塑回归大规模回流焊工艺，芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，导热率比料作为填充材料，导热率比TC-NCFTC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4HBM4会引入混合键合会引入混合键合Hybrid BondingHybrid Bonding方案，取消互连凸块。方案，取消互连凸块。我们预判我们预判当前当前HBMHBM主流依然是主流依然是TCBTCB压合，压合，MR-MUFMR-MUF方案为过渡方案，未来混合键合是大趋势。方案为过渡方案，未来混

5、合键合是大趋势。液态塑封料液态塑封料LMCLMC依然是晶圆级封装至关重要的半导体材料之一。依然是晶圆级封装至关重要的半导体材料之一。混合键合与混合键合与TSVTSV是是3D3D封装的核心，封装的核心，HBMHBM“连接连接”与与“堆叠堆叠”带来设备材料端发展新机遇：带来设备材料端发展新机遇：混合键合分为晶圆对晶圆混合键合分为晶圆对晶圆W2WW2W和芯片对晶圆和芯片对晶圆D2WD2W，3D NAND3D NAND使使用用W2WW2W，典型案例为长鑫存储的，典型案例为长鑫存储的XstackingXstacking，CMOSCMOS层层+存储层采用存储层采用W2WW2W混合键合方案，预计混合键合方案

6、，预计HBMHBM未来亦会采用未来亦会采用W2WW2W方案，方案，W2WW2W与与D2WD2W方案相比一般应用于方案相比一般应用于良率非常高的晶圆，避免损失。根据我们产业链研究，混合键合将充分带动永久键合设备与减薄良率非常高的晶圆，避免损失。根据我们产业链研究，混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP+CMP需求，根据需求，根据BESIBESI官方数据，预计存储领域未官方数据，预计存储领域未来贡献混合键合设备明显增量，保守预计来贡献混合键合设备明显增量，保守预计20262026年需求量超过年需求量超过200200台，减薄台，减薄+CMP+CMP亦成为重要一环。当前亦成为重要一环。当前HBM