【东吴证券】存储测试机专题：AI算力催生HBM带动测试机新需求，国产设备商加速突破-260702（50页）.pdf

1、存储测试机专题：存储测试机专题：AI算力算力催生催生HBM带动测试机新需求，带动测试机新需求，国产设备商加速突破国产设备商加速突破证券研究报告请务必阅读正文之后的免责声明部分首席证券分析师：周尔双执业证书编号：S证券分析师：李文意执业证书编号：S2026年7月2日投资要点：投资要点：存储持续涨价存储持续涨价&两存上市在即，看好存储未来扩产持续性。两存上市在即，看好存储未来扩产持续性。自2024年底以来，在AI算力需求拉动下，DRAM与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道，DDR4（8Gb）2024年底到2026年6月涨幅超17倍，DDR5（16Gb）2025年11月至2026年6月底

2、涨幅约4.9倍。长鑫存储2025年营收618亿元，2026Q1营收同比+719%，产能利用率长期维持90%以上，资本开支持续高位。中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著，后续扩产空间广阔。AI算力催生算力催生HBM需求，需求，HBM成为成为AI芯片主流方案。芯片主流方案。AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍，Trendforce预计2026年达275万台。HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术，在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。2025年HBM市场基本由SK海力士（占据市场份额58.3%）、三星和美光占据，海外龙头已陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储预计20

3、27年实现HBM3e量产。HBM堆叠对测试机提出堆叠对测试机提出KGSD等新需求，存储测试机需求量价齐升。等新需求，存储测试机需求量价齐升。HBM采用3D堆叠架构，测试重心前移至KGSD测试环节，测试道数由传统DRAM的34道提升至15道以上，存储测试机需求约为传统DRAM的56倍。HBM对测试设备在供电能力、时序精度、高并行测试能力及测试算法等方面均提出更高要求。存储测试机国产化率极低，国产替代空间广阔。存储测试机国产化率极低，国产替代空间广阔。存储测试机市场2025年由爱德万（占据市场份额61%）和泰瑞达（占据市场份额24%）主导，国内国产化率仅8-10%，显著低于其他测试设备细分赛道，是

4、半导体设备自主可控的重要短板。地缘政治环境复杂化背景下，国产替代逻辑强化，国内厂商正加速布局。投资建议投资建议：重点推荐国内存储测试机领先布局厂商，重点推荐【长川科技长川科技】、建议关注【精智达精智达】、【联讯仪器联讯仪器】、【悦芯科技悦芯科技（未上市）（未上市）】。风险提示：风险提示：封测设备需求不及预期、技术研发不及预期、行业竞争加剧。2目录目录四、投资建议四、投资建议五、风险提示五、风险提示二、二、AI算力催生算力催生HBM芯片需求，多采用堆叠技术芯片需求，多采用堆叠技术提升容量和带宽提升容量和带宽三、三、HBM堆叠对测试机提出堆叠对测试机提出KGSD等新需求，国等新需求，国产测试机厂商

5、迎来黄金机遇期产测试机厂商迎来黄金机遇期一、存储持续涨价一、存储持续涨价&两存上市在即，看好存储未来两存上市在即，看好存储未来扩产持续性扩产持续性1.1 存储持续涨价存储持续涨价&两存上市在即，看好存储未来扩产持续性两存上市在即，看好存储未来扩产持续性自自2024年底以来，在年底以来，在AI大模型训练与推理算力需求爆发、全球数据中心服务器大规模扩容的强劲拉动下，存大模型训练与推理算力需求爆发、全球数据中心服务器大规模扩容的强劲拉动下，存储芯片供需格局持续趋紧，储芯片供需格局持续趋紧，DRAM与与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道。现货价格均进入快速上行通道。其中，DRAM涨幅尤为显

6、著，DDR4（8Gb 2666Mbps）现货平均价由2024年底的约8.1美元飙升至2026年6月底约140美元，涨幅超过17倍；DDR5（16Gb）自2025年11月产生现货报价以来，价格由20美元快速上涨至2026年6月底的117.5美元，涨幅约4.9倍，新一代高速内存正加速渗透AI服务器市场，成为算力扩容的核心瓶颈。NAND Flash同样呈现强势反弹，64Gb MLC现货价由2024年底的约4.3美元回升至2026年6月的约28.2美元，涨幅约6.5倍；32Gb MLC同期由约2.3美元上涨至14美元，涨幅约6.2倍。整体来看，随着AI算力基础设施建设方兴未艾，服务器对高带宽、大容量存