长光华芯-公司深度跟踪报告：光芯片IDM平台新征程-230407（43页）.pdf

1、 证券研究报告证券研究报告 请务必阅读正文之后请务必阅读正文之后第第 42 页起的免责条款和声明页起的免责条款和声明 c 光芯片光芯片 IDM 平台新征程平台新征程 长光华芯（688048.SH）深度跟踪报告2023.4.7 中信证券研究部中信证券研究部 核心观点核心观点 丁奇丁奇 云基础设施行业 首席分析师 S1010519120003 胡叶倩雯胡叶倩雯 消费电子行业 首席分析师 S1010517100004 徐涛徐涛 科技产业联席 首席分析师 S1010517080003 杨泽原杨泽原 计算机行业首席 分析师 S1010517080002 通过复盘光芯片巨头通过复盘光芯片巨头 II-VI，

2、我们发现其为材料、技术平台型企业，通过复用底，我们发现其为材料、技术平台型企业，通过复用底层材料、技术和并购下游产品线实现对广泛应用场景的覆盖和自身价值量的提层材料、技术和并购下游产品线实现对广泛应用场景的覆盖和自身价值量的提升。我们认为，长光华芯有望实现相似的发展轨迹，以其全球领先的高功率激升。我们认为，长光华芯有望实现相似的发展轨迹，以其全球领先的高功率激光芯片为支点，通过在材料体系和工艺技术上长时间的积累形成的材料、技术光芯片为支点，通过在材料体系和工艺技术上长时间的积累形成的材料、技术平台，有望实现横向的应用拓展和纵向的产品、产业链整合并快速发展。我们平台，有望实现横向的应用拓展和纵向

3、的产品、产业链整合并快速发展。我们上调公司评级到上调公司评级到“买入”，给予“买入”，给予 2023 年年 80 x PE，对应目标，对应目标价价 135 元。元。国际视角：全球领先的光芯片企业都是平台型企业，国际视角：全球领先的光芯片企业都是平台型企业，II-VI 公司通过连续并购形公司通过连续并购形成了自身的材料平台成了自身的材料平台。纵观 II-VI/相干公司的发展历史，因为光产业技术、材料研发周期长，为了在多路径、复杂应用的市场中保持竞争力，公司通过不断并购逐渐形成自身的材料平台，具备了从 ZnS/ZnSe、SiC 到 GaAs、InP 的材料基础以及丰富晶圆以及外延生长技术和产线。随

4、后公司通过并购 Finisar 和Coherent 完善了自身在光通信、激光领域的产品矩阵，形成覆盖材料、组件、子系统、系统和服务的价值链，并为下游的广泛应用奠定了夯实的技术基础，触及了近 650 亿美元的市场。建平台：高功率产品为支点，底层技术为基础，人才为核心，资本为纽带建平台：高功率产品为支点，底层技术为基础，人才为核心，资本为纽带。在量产产品方面，长光华芯已做到全球最高功率，其单管和巴条产品在功率和效率上都处于全球领先。底层技术平台方面，长光华芯建成了全球唯二、国内唯长光华芯建成了全球唯二、国内唯一的一的 6 吋吋高功率半导体激光芯片晶圆垂直整合生产线高功率半导体激光芯片晶圆垂直整合生

5、产线，并在芯片设计、关键设备、工艺技术和原材料方面实现自主可控。长光华芯也在按照 II-VI 的路径进行材料技术平台布局，其具备国内首家其具备国内首家 IDM GaAs 芯片芯片 6 吋吋产线和产线和 3 吋吋 InP 产产线线，正在开发的 GaN 产品线有望在产品线有望在 2 年内产生收入年内产生收入，同时在 SiC 方面积极考方面积极考虑布局虑布局。从工艺上看，外延生长决定性能、Fab 决定功率天花板、这二者都需要长期工艺经验积累，具备较高壁垒，并为长光华芯向更大功率进发打下基础。公司百余名研发人员中有多位国家级技术专家人才及二十余名博士，在本土半导体工艺人才不够丰沛的前提下，团队经多年培

6、养而成，形成人才壁垒。同时，公司通过投资、参股、筹备产业基金的形式借助资本力量持续发展，并培育产业链土壤。扩品类：横向扩展三大芯片领域扩品类：横向扩展三大芯片领域+纵向高功率垂直延伸一体化纵向高功率垂直延伸一体化。参考国际厂商，具备技术平台后，因为产品的底层技术复用性强，产品线的扩张成本将大具备技术平台后，因为产品的底层技术复用性强，产品线的扩张成本将大幅降低。幅降低。具体来说，半导体激光器底层多为 GaAs/InP/GaN 材料，工艺也多为设计+外延生长+Fab 制造+封测，其中外延生长和 Fab 制造能力有望完全复用，设计和封测环节则需进一步考虑应用产品的情况。对于长光华芯而言，在在技术平