1、碳纳米管晶圆为后摩尔时代提供颠覆性解决方案苏州烯晶半导体科技有限公司|碳纳米管晶圆产业化开拓者和使能者Suzhou Carbon Semiconductor Technology Co.,Ltd.Copyright 2026 Suzhou Carbon.All rights reserved.010304产业背景核心产品与技术产业化进展应用前景0205公司介绍目录2Copyright 2026 Suzhou Carbon.All rights reserved.301产业背景Copyright 2026 Suzhou Carbon.All rights reserved.宏观格局|AI新工业革

2、命的“五层蛋糕”竞赛中国发电量全球第一，基础产能雄厚vs.美国增长平缓中国需将能源优势转化为高效、可控的算力。中国高端算力自主供给严重不足 vs.美国掌握尖端设计、制造与生态芯片层的失控可能导致系统性的产业风险，这是产业发展的最核心瓶颈与最大风险源。中国建设成本低于欧美，部署速度快 vs.美国技术先进但成本高中国基建的“硬实力”依赖外部芯片，供应链安全存在隐忧。中国开源生态活跃，应用创新迅速 vs.美国尖端闭源模型领先 中国模型的训练规模与迭代速度受尖端算力供给制约。应用模型基建芯片能源中国优势确立美国大幅领先中国效率领先美国前沿引领中国规模领先中国商业化落地速度与渗透规模全球领先 vs.美国

3、在垂直领域保持深度应用的繁荣需要可持续、可负担的算力基石作为支撑。*参考来源：黄仁勋AI新工业革命五层蛋糕模型4Copyright 2026 Suzhou Carbon.All rights reserved.2010-20122012-20142014-20162024-20252018-20212020-20222016-20192031（预测）2022-202332/28 nmIntelTSMCSamsungGlobal FoundriesUMCSMICHLMCIBMSTMPanasonic22/20 nmIntelTSMCSamsungGlobal FoundriesUMCSMICHL

4、MCIBM16/14 nmIntelTSMCSamsungGlobal FoundriesUMCSMIC10 nmIntelTSMCSamsung7 nmIntelTSMCSamsungSMIC5/4 nmIntelTSMCSamsung3 nmIntelTSMCSamsung2 nmIntelTSMCSamsungIBM1 nmIntelTSMCSamsungFinFET（成熟量产工艺）CFET（尚未量产）*参考来源：IDTechEX 半导体晶圆厂制程技术路线图技术路径受阻制程经济失速产业格局固化进入先进节点后，玩家从十余家三巨头垄断（台积电/三星/英特尔）硅基微缩成本指数级飙升3 nm晶圆

5、厂成本$200亿续命摩尔定律 器件架构复杂度 良率成本承压硅基瓶颈|制程路线的启示：硅基芯片的“物理极限”与“经济死墙”成熟制程先进制程成熟制程（7 nm制程通过多次曝光实现）受限于EUV而制程停滞格局严重失衡硅基制程的代际领先，使美国掌握技术标准与生态的定义权。5量产时间制程节点晶圆厂商主流器件架构国际大厂国内水平Nanosheet（复杂堆叠工艺）Copyright 2026 Suzhou Carbon.All rights reserved.架构革命|结构决定下限，材料决定上限Nanosheet适用于3nm以下技术节点，面临成品率低和成本高的双重挑战。CNT（碳纳米管）以超薄体、高迁移率、

6、低寄生等优势成为最具潜力的沟道材料。硅基器件结构超越硅基YearPPA2D TMDFinFETNanosheetCFET*CNT：carbon nanotubes*参考来源：TSMC VLSI(2022)6Copyright 2026 Suzhou Carbon.All rights reserved.战略破局|碳纳米管：集成电路的终极选项3D立体工艺CNT-CMOS 3D异构集成3D集成架构“硅逻辑+CNT+存储”垂直堆叠，低温工艺保护下层电路。产线验证已在 SkyWater 200 mm产线 基于 90-130 nm成熟工艺成功制造，证实可行性与成本优势。平面工艺碳基CMOS工艺经济效益S