东微半导-深度报告:高性能功率器件的技术引领者-221228(25页).pdf

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东微半导-深度报告:高性能功率器件的技术引领者-221228(25页).pdf

1、请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告证券研究报告|20222022年年1212月月2828日日买入买入东微半导(东微半导(688261.SH688261.SH)高性能功率器件的技术引领者高性能功率器件的技术引领者核心观点核心观点公司研究公司研究深度报告深度报告电子电子半导体半导体证券分析师:胡剑证券分析师:胡剑证券分析师:叶子证券分析师:叶子021-608933060755-S0980521080001S0980522100003证券分析师:胡慧证券分析师:胡慧证券分析师:李梓澎证券分析师:李梓澎021-608713210755-S0980521080002S0980522

2、090001证券分析师:周靖翔证券分析师:周靖翔联系人:詹浏洋联系人:詹浏洋021-60375402010- S0980522100001基础数据投资评级买入(维持)合理估值306.60-338.00 元收盘价240.22 元总市值/流通市值16185/3576 百万元52 周最高价/最低价328.00/121.10 元近 3 个月日均成交额111.09 百万元市场走势资料来源:Wind、国信证券经济研究所整理相关研究报告东微半导(688261.SH)-汽车与工业级产品占比提升,产品技术保持领先 2022-10-28东微半导是国内高性能功率器件的头部设计公司东微半导是国内高性能功率器件的头部设

3、计公司,18-2118-21年公司扣非归母净年公司扣非归母净利润年均复合增速达利润年均复合增速达95.1%95.1%。公司专注于半导体器件结构技术创新,拥有多项半导体器件核心专利,以高压超级结MOSFET 为代表的产品打破了大功率直流充电桩等领域国外厂商的长期垄断。公司18-21年进入高速成长期,营业收入年均复合增速为72.3%;扣非归母净利润年均复合增速为95.1%。超级结超级结MOSFETMOSFET 国产化率仍低国产化率仍低,汽车汽车、新能源与新能源与5G5G 等应用等应用带来带来功率器件功率器件增量增量需求。需求。超级结MOSFET 是突破“硅极限”的高端功率器件,目前国产化率仅18%

4、,有较大的存量替代空间。此外,超级结MOSFET的耐压特性及导通性能主要适用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩及各类大功率电源中,因此在汽车、新能源与5G带来的增量场景驱动下,25年全球超级结MOSFET 市场有望由22 年10.5 亿美元增至12 亿美元。公司产品性能比肩国际一流厂商公司产品性能比肩国际一流厂商,研发成果转换效率高研发成果转换效率高。公司器件设计能力强,以公司超级结GreenMOS系列产品为例,通过自主器件设计和工艺优化,产品性能已达国际一流水平,是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一。21年公司研发人员占比达44%,人均营收贡献1043 万元,远超行业平均水平

5、,研发成果转换效率高。公司公司 1H221H22 汽车与工业级应用占比已超汽车与工业级应用占比已超 70%70%,客户覆盖各领域行业龙头,客户覆盖各领域行业龙头。截至 1H22,公司直流充电桩收入(YoY+60%)占比超 17%,光伏逆变器收入(YoY+300%)占比约10%,车载充电机收入(YoY+1350%)占比超 14%,各类工业及通信电源收入(YoY+58%)占比约21%;客户覆盖比亚迪、客户A、麦格米特、昱能科技与宁德时代等各领域龙头厂商。在多领域需求驱动下,公司 3Q22库存周转天数约为66.4 天,明显低于行业平均水平(111.6天)。公司器件产品不断革新,公司器件产品不断革新,

6、TGBTTGBT 与碳化硅等新产品打开多维增长空间与碳化硅等新产品打开多维增长空间。预计22-25 年全球IGBT 市场将12.1%复合增速增长至136 亿美元,碳化硅器件市场将以42%复合增速增长至43亿美元,行业处于加速渗透期。公司自主设计的新产品IGBT(TGBT)与超级硅已获客户认可并批量应用,碳化硅相关产品已推出,未来有望随行业发展加速渗透,成为公司新的增长点。盈利预测与估值盈利预测与估值:我们看好公司器件设计与工艺实现的技术能力,预计22-24年归母净利润有望实现 2.79/3.98/5.36 亿元,对应增速 89.8%/42.6%/34.9%。我们预计公司合理估值为306.7-3

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