电子行业：SiC成本逐步下降行业有望迎来爆发拐点-220813（26页）.pdf

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1、 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 Table_Main 证券研究报告|行业深度 电子 2022 年 08 月 13 日 电子电子 优于大市优于大市（维持维持）证券分析师证券分析师 陈海进陈海进 资格编号：S0120521120001 邮箱： 研究助理研究助理 市场表现市场表现 相关研究相关研究 SiC 成本逐步下降，行业成本逐步下降，行业有望有望迎来爆发迎来爆发拐点拐点 Table_Summary 投资要点：投资要点：SiC 具有优秀的材料特性具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是一种化合物半导体材料，被称为第三代半导体材料。由于 SiC 具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度、低

2、本征载流子浓度，使得 SiC 功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC 器件适用于高压、高频场景，且可以缩小系统体积。衬底是产业链核心环节。衬底是产业链核心环节。SiC 产业链主要包括衬底、外延、器件制造、封测等环节，而衬底的成本占比较高，是核心环节。根据衬底电阻率的不同，SiC 衬底可以分为导电型、半绝缘型衬底，分别应用于功率器件、射频通信领域。国产厂商目前在导电型衬底领域市占率较低，但山东天岳在半绝缘型衬底领域占有一席之地。随着各厂商产能的扩充，SiC 衬底价格在逐步下降。SiC 应用方兴未艾应用方兴未艾。根据 Yole 的预测，2027 年全球 SiC 器件市场规模达到

3、63 亿美元，较 2021 年的复合增速为 34%，其中汽车 SiC 市场预计增长到 50 亿美元，占比提升到 79%。除汽车之外，能源、工业也是 SiC 的重要应用下游。随着特斯拉在 Model 3 的主逆变器中首次采用全 SiC 功率器件，越来越多的厂商开始发布搭载 SiC 器件的车型。除汽车领域外，SiC 器件也应用到光伏逆变器、轨交牵引逆变器中。国产国产 SiC 器件在快速追赶。器件在快速追赶。从 SiC 的器件形态来看，目前主要分为 SiC 二极管、SiC MOSFET以及 SiC 模组，而 SiC IGBT仍在研发中。SiC 肖特基二极管发展较为成熟，国内外有多家公司已有量产。Si

4、C MOSFET最早由 Cree（现 Wolfspeed）在 2011 年推出，海外多家厂商随后进行几轮迭代。对比来看，国产 SiC MOSFET的导通电阻和品质因素较国外产品稍差，不过在快速追赶中。高压领域下高压领域下 SiC器件预计将逐步显现系统成本优势器件预计将逐步显现系统成本优势。根据 CASA Research 统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，650V SiC SBD 报价在20182020 年的复合降幅达到 25%，而 650V SiC MOSFET的复合降幅为 32%。由于 SiC 器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。考虑到 SiC 对系统成本的减

5、少，例如减少散热组价和缩小体积，我们预计在高电压场景下，SiC 器件将有更大优势。投资建议：投资建议：建议关注衬底领域产品获得下游认可、产能扩产进度较快的天岳先进天岳先进、东尼电子东尼电子、露笑科技露笑科技等；SiC 器件领域建议关注产品进展较快的斯达半导斯达半导、时代电时代电气气、士兰微士兰微、扬杰科技扬杰科技、新洁能新洁能等；SiC 封装、设备领域建议关注博敏电子博敏电子、北方北方华创华创等。风险提示：风险提示：下游需求发展不及预期、SiC 成本下降速度不及预期、行业竞争加剧风险。-24%-20%-15%-10%-5%0%5%10%2021-072021-112022-03沪深300 行业

6、深度 电子 2/26 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 内容目录内容目录 1.SiC 产业链逐步成熟.5 1.1.SiC 具有优秀材料特性，适用于高压、高频场景.5 1.2.SiC 衬底是产业链核心环节.7 1.3.SiC 外延提升器件参数稳定性.10 1.4.国产 SiC 器件在快速追赶海外龙头.10 1.5.SiC 制造中长晶环节具有较高壁垒.12 2.SiC 应用方兴未艾.15 2.1.SiC 器件市场高速发展.15 2.2.新能源汽车是 SiC 的主要应用场景.16 2.3.SiC 器件提升光伏逆变器的转换效率.18 2.4.轨交中 SiC 器件逐步得到应用.19 3.SiC 持