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3D-METRO:使用基于无晶体管 3D 金属 ROM 的内存计算宏在芯片上部署大规模变压器模型.pdf

上传人: 芦苇 编号:651762 2025-05-01 27页 1.95MB

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本文提出了一种新型的无晶体管3D金属ROM基础的计算内存储器(CiM)架构——3D-METRO,旨在提高ROM-CiM的密度,并完全部署大语言模型(LLM)在28nm CMOS工艺的3cm²芯片上。3D-METRO使用金属层构建整个ROM阵列和相应的差分读出,解决了传统晶体管基ROM-CiM的密度限制问题。文章通过比较实验和系统级指标,展示了3D-METRO在能量效率和面积效率上的优势,以及其在各种任务中的可靠性。3D-METRO实现了超过100倍的密度提升,28倍的系统级能量改进,以及5.8倍的面积效率提升。实验结果显示,该设计在保持低误差率的同时,实现了高密度的存储和计算。
"3D-METRO如何提高ROM-CiM的密度?" "无晶体管3D金属ROM如何提高计算效率?" "3D-METRO在各种任务中的准确性和能效如何平衡?"
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