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SESSION 32 Isolated Power and Gate Drivers.pdf

上传人: 张** 编号:620865 2025-03-31 246页 20.19MB

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本文主要介绍了以下内容: 1. 提出了一种动态RON减小的双向GaN负载开关,具有涌流保护和尖峰抑制功能。 2. 该开关采用单片GaN技术,与分立的双向GaN相比,具有更小的RON。 3. 开关在关断过程中,由于源极无法提供偏置,会发生过应力。通过关断选择器可以解决过应力问题,但会增加控制设计的复杂性。 4. 提出了一种新的GaN门驱动器,包括驱动电流限制器和尖峰减小的关断电路,可以防止GaN在导通过程中受到涌流的影响,并在关断过程中保护芯片器件不受过冲电压的损害。 5. 测试结果显示,该开关在导通和关断过程中均能有效减小RON,并具有较好的涌流保护和尖峰抑制性能。
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