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Session 4Analog Techniques.pdf

上传人: 张** 编号:620808 2025-03-31 20页 21.45MB

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本文主要介绍了模拟技术在电路性能、功率效率和成本效益方面的应用。首先,介绍了高速模数转换器前端,然后展示了完全集成的频率管理模块。接下来,描述了用于超低功耗晶体振荡器的新的模拟导通角控制技术,以及具有改进温度系数的功率高效的RC振荡器。最后,提出了一种基于3nm FinFET技术的CMOS电压参考。 1. 高速模数转换器前端:采用12.8GS/s 4×时间交织采样技术,实现38GHz输入带宽,在30.2GHz输入频率下达到40.9dB SNDR,无需校准即可实现RF采样应用。 2. 完全集成的频率管理模块:实现1.8-3.0GHz的频率范围,在-40至95°C的温度范围内实现-47/+42ppm的不准确性,加速老化后实现-150/+70ppm的不准确性。 3. 超低功耗晶体振荡器:采用模拟幅度调节技术,实现0.36nW的功率消耗,在0.9V的电压下实现0.047mm²的设计,支持0.9至2V的宽电压范围。 4. 功率高效的RC振荡器:实现0.4μW/MHz的功率效率,温度系数为9.83 ppm/°C,从-40至125°C,面积为0.0085mm²。 5. 基于3nm FinFET技术的CMOS电压参考:实现0.8V的供电电压,31ppm/°C的温度系数,-40dB的直流至GHz电源抑制,面积为294μm²。
高速ADC前端设计如何实现? 集成频率管理模块有何优势? 低功耗晶振振荡器如何实现?
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