电子行业深度研究：看好电动汽车800V高压系统受益产业链-211225（16页）.pdf

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1、 - 1 - 敬请参阅最后一页特别声明 市场数据市场数据(人民币）人民币） 市场优化平均市盈率 18.90 国金电子指数 8238 沪深 300 指数 4921 上证指数 3618 深证成指 14710 中小板综指 14199 相关报告相关报告 1.21 年折叠屏在 1 千美元以上机型渗透率达 10%-折叠屏手机点评 ，2021.12.23 5.Q2 溢价延续但 H2 收窄，龙头盈利锚能抬升-覆铜板涨价周期性研. ，2021.4.26 看好电动汽车看好电动汽车 800V 高压系统受益产业链高压系统受益产业链 投资建议投资建议 解决充电及续航焦虑，解决充电及续航焦虑，800V 系统应运而生。系统

2、应运而生。新能源汽车发展如火如荼，在动力性能、智能化、节省成本等方面优势明显，但电动汽车仍然面临续航里程焦虑的问题，为了延长续航里程，各大厂商纷纷加装电池，超过一定电量之后的加电池策略，续航边际收益降低。随着电池容量的增加，续航焦虑已经降低不少，充电焦虑开始浮出水面，快充能有效的解决充电及续航焦虑，新能源汽车 800V 高压平台方案应运而生。小鹏发布 G9，800V 平台采用SiC 器件，可实现充电 5 分钟，续航 200 公里；岚图 800V 系统可实现充电10 分钟，续航 400 公里；目前全球已推出或确定推出 800V 系统的汽车品牌多达 20 多家，基于 800V系统核心优势明显，我们

3、研判在电动汽车领域有望快速渗透，看好受益产业链。 行业观点行业观点 800V 高电压系统，碳化硅高电压系统，碳化硅深度受益深度受益。功率器件是电动汽车逆变器的核心能量转换单元，如果直流母线电压提升到 800V 以上，那么对应的功率器件耐压则需要提高到 1200V左右。 SiC具有高耐压特性，在 1200V的耐压下阻抗远低于 Si，对应的导通损耗会相应降低，同时由于 SiC可以在 1200V耐压下选择 MOSFET 封装，可以大幅降低开关损耗。根据 ST 数据，碳化硅器件损耗大幅低于 Si 基 IGBT，在常用的 25%的负载下，碳化硅器件损耗低于IGBT 80%，在 1200V 时优势更加明显

4、。90%的行车工况是在主驱电机额定功率 30%以内，处于碳化硅的高效区；SiC 主驱使得电源频率和电机转速增加，相同功率下转矩减小，体积减小。根据英飞凌、福特、奔驰、现代等公司研究数据，SiC 应用于 800V 系统，可整体节能 5-10%。此外，车载OBC、DC-DC、PDU 开始大规模应用碳化硅，车载 OBC 采用碳化硅器件，系统效率可提升 1.5% - 2.0%；配套的高压快充、超充电桩也增加了碳化硅的用量。Yole 预测，2026 年整个碳化硅功率器件的市场规模有望达到 50 亿美元，其中 60%以上用于新能源汽车领域。 隔离芯片量价齐升。隔离芯片量价齐升。800V 电驱动系统具有更高

5、的瞬态共模干扰，对于逆变器的隔离驱动芯片来说，需要能够承受超过 100kV/us 的共模瞬态干扰。随着800V 电压的提高，系统需要更高的原副边绝缘耐压需求。主要体现在两个方面，一个是绝缘工作电压。对于 800V 电压的系统来说，其跨隔离带的隔离芯片需要承受至少 800V 的绝缘工作电压，保证至少 15-20 年的工作寿命。整体来看，800V系统隔离芯片的使用量及价值量均有大幅的提升。 薄膜电容及高压直流继电器价值量提升。薄膜电容及高压直流继电器价值量提升。800V 系统 SiC 器件的应用，噪音对策变得越来越重要，有时会发生较大的浪涌电压。整体来看，800V 系统对薄膜电容的使用温度、使用电

6、压会提升，可靠性、稳定性要求也进一步提升，预测价值量也有一定程度的提升。800V 系统对高压继电器的要求进一步提高，原来树脂封装需改用陶瓷封装，800V 平台电压电流更高、电弧更严重，对耐压等级、载流能力、灭弧、使用寿命等性能要求提高，产品需要在触点材料、灭弧技术等多方面改进，价值量也有一定的提升。 推荐组合：推荐组合：三安光电、法拉电子、纳芯微、斯达半导体、时代电气。三安光电、法拉电子、纳芯微、斯达半导体、时代电气。 风险提示风险提示 800V系统渗透率不达预期，SiC成本居高不下，新能源车发展低于预期。 6508680871077407770780078306201225210325210