【公司研究】中微公司-公司首次覆盖报告：大国重器蓄势待发国产替代正当逢时-20200518[17页].pdf

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1、机械设备机械设备/专用设备专用设备 1 / 17 中微公司中微公司（688012.SH） 2020 年 05 月 18 日 投资评级：投资评级：增持增持（首次首次） 日期 2020/5/15 当前股价(元) 210.15 一年最高最低(元) 233.77/60.08 总市值(亿元) 1,124.01 流通市值(亿元) 108.05 总股本(亿股) 5.35 流通股本(亿股) 0.51 近 3 个月换手率(%) 544.32 股价走势图股价走势图 数据来源：贝格数据 大国重器蓄势待发，国产替代正当逢时大国重器蓄势待发，国产替代正当逢时 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 段小虎（分析师）段小虎（分

2、析师） 李子卓（分析师）李子卓（分析师） 证书编号：S0790520020001 证书编号：S0790520030006 我们长期看好公司的“优质赛道我们长期看好公司的“优质赛道+过硬综合实力”过硬综合实力” ，首次覆盖首次覆盖给予“增持”评级给予“增持”评级 公司是国产半导体设备明星企业：1）行业层面：全球半导体市场有望于 2020 年 回暖；半导体产业向中国转移，国内存储、Foundry 厂商新建产线陆续投产、扩 产，封测厂商配套新增晶圆制造产能投入产线建设，将拉动对上游设备的需求； IC 制造工艺的制程越先进、 复杂程度越高， 对刻蚀工艺的使用频率、 技术要求越 高，将促使刻蚀设备用量的

3、增加以及技术的升级；2）公司层面，技术国内领先、 国际先进， 已有产品获得海内外客户高度认可， 持续与下游客户配合开发更高端 应用，为中长期业绩增长储备势能。我们看好公司未来的发展前景，预计公司 2020/2021/2022 年可分别实现 EPS 0.47/0.54/1.03 元，对应 PE 448/387/204 倍，首 次覆盖，给予“增持”评级。 堪称国内半导体设备最高水平，持续新品开发储备增长势能堪称国内半导体设备最高水平，持续新品开发储备增长势能 国际市场，高端刻蚀设备已占一席之地，CCP 市占率 1.4%，虽销售规模与三巨 头差距较大，但部分技术已达国际同类产品标准；国内市场，具有突

4、出竞争力， 在本土主流存储、Foundry 厂的招标采购比例超过 15%，且市占率加速提升。具 体来看：1）逻辑 IC 方面，高端刻蚀设备已运用在国际知名客户 65-7nm 生产线 上；根据先进 IC 厂需求，已开发出 5 nm 设备用于若干关键步骤加工，并已获行 业领先客户批量订单； 配合客户需求， 开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士 革在内的刻蚀工艺，可涵盖 5nm 以下刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。2） 3D NAND 方面，CCP 可应用于 64 层量产；根据存储器厂需求正在开发新一代 可涵盖 128 层关键刻蚀应用以及对应极高深宽比的刻蚀设备和工艺。3）ICP 已 在多个逻辑、

5、 存储厂的生产线上量产， 并根据客户需求进行下一代产品技术研发， 以满足 7nm 以下逻辑芯片、1X 纳米 DRAM 芯片和 128 层以上 3D NAND 芯片 等产品的 ICP 刻蚀需求，并进行高产出的刻蚀设备的研发。 风险提示：风险提示：全球疫情拖累半导体市场复苏、国产化进展缓慢、新产品开发验证 不及预期、涉及行政专利诉讼案件的进展或引发市场情绪波动。 财务摘要和估值指标财务摘要和估值指标 指标指标 2018A 2019A 2020E 2021E 2022E 营业收入(百万元) 1,639 1,947 2,599 3,528 4,805 YOY(%) 68.7 18.8 33.5 35.

6、7 36.2 归母净利润(百万元) 91 189 251 291 552 YOY(%) 203.7 107.5 33.0 15.9 90.1 毛利率(%) 35.5 34.9 34.7 35.0 35.5 净利率(%) 5.5 9.7 9.6 8.2 11.5 ROE(%) 4.3 5.0 6.3 6.8 11.4 EPS(摊薄/元) 0.17 0.35 0.47 0.54 1.03 P/E(倍) 1237.0 596.1 448.3 386.8 203.5 P/B(倍) 53.1 30.0 28.1 26.2 23.2 数据来源：贝格数据、开源证券研究所 -50% 0% 50% 100% 1

7、50% 200% 2019-052019-092020-01 中微公司沪深300 开 源 证 券 开 源 证 券 证 券 研 究 报 告 证 券 研 究 报 告 公 司 首 次 覆 盖 报 告 公 司 首 次 覆 盖 报 告 公 司 研 究 公 司 研 究 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 2 / 17 目目 录录 1、 等离子刻蚀/MOCVD 设备获海内外客户高度认可，乘行业东风业绩高速增长 . 3 1.1、 国内半导体设备明星企业，深耕等离子刻蚀设备、MOCVD 设备领域引领技术发展 . 3 1.2、 “优质赛道+过硬综合实力”推动业绩持续高增长 . 5 2、 刻蚀设备面临发展良机，MOC

8、VD 期待新兴应用市场崛起 . 7 2.1、 刻蚀设备：公司国际市场突破、国内市场领先，刻蚀设备行业面临三大发展机遇 . 7 2.1.1、 CCP 和 ICP 是等离子刻蚀设备中应用最广泛的两类设备 . 7 2.1.2、 全球刻蚀设备市场：CCP 拥有一席之地，部分技术水平达国际同类产品标准. 9 2.1.3、 中国刻蚀设备市场：具有突出竞争力，市占率加速提升 . 9 2.1.4、 “新应用市场+全球性产业转移+制造工艺进步”使国内刻蚀设备市场面临黄金发展机遇 . 10 2.2、 MOCVD 设备：公司 GaN 基 LED 领域市占率全球领先，Mini LED 等新应用市场有望逐步扩大 . 1

9、1 3、 代表国内半导体设备最高水平，持续新品开发未来增长可期 . 12 3.1、 汇聚优秀管理团队及技术人才，核心技术实现国际先进、国内领先 . 12 3.2、 持续开发新一代高端应用，为业绩增长储备势能 . 12 4、 盈利预测与投资建议 . 13 5、 风险提示 . 14 附：财务预测摘要 . 15 图表目录图表目录 图 1： 公司持续引领国内半导体设备技术的发展 . 4 图 2： 公司营业收入保持高速增长（亿元） . 5 图 3： 公司归母净利润保持高速增长（亿元） . 5 图 4： 主营业务收入主要来源于以刻蚀设备、MOCVD 设备为主的专用设备 . 6 图 5： 公司中国大陆地区收

10、入占比 83% . 6 图 6： 公司研发投入水平高 . 6 图 7： 毛利率有下降趋势 . 7 图 8： 管理费用率上升、销售/财务费用率下降 . 7 刻蚀在 CMOS 工艺中用于去除多余材料 . 7 干法刻蚀为刻蚀技术的主流工艺 . 8 干法刻蚀机按等离子技术不同可分为 ICP 及 CCP 刻蚀机 . 8 图 12： 晶圆制造环节的刻蚀设备约占所有设备的 19.4% . 9 刻蚀设备的全球参与者以泛林半导体、东京电子以及应用材料为主 . 9 2019 年中国半导体设备市场销售额 135 亿美元（亿美元） . 10 图 15： 公司在国内刻蚀设备市场中有突出市场竞争力. 10 10 纳米多重

11、模板工艺增加刻蚀次数 . 11 NAND 层数增加要求刻蚀技术可加工更高深宽比 . 11 表 1： 公司自成立以来推出以等离子刻蚀设备、MOCVD 设备为主的多型号产品 . 3 表 2： 公司客户资源优质 . 4 表 3： ICP 与 CCP 刻蚀机适用的工序存在区别 . 8 表 4： 先后承担五个国家科技发展重大专项研发项目 . 12 表 5： 公司估值水平高于可比上市公司平均估值水平 . 13 pOqPmNnOnQnMxOoMuMsOyQ8O8Q8OtRnNpNoOlOoOsPfQnMwP9PqQzQxNqQmNMYrNoM 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 3 / 17 1、 等离子刻蚀

12、等离子刻蚀/MOCVD 设备获海内外客户高度认可，乘行业设备获海内外客户高度认可，乘行业 东风业绩高速增长东风业绩高速增长 1.1、 国内半导体设备明星企业，深耕等离子刻蚀设备、国内半导体设备明星企业，深耕等离子刻蚀设备、MOCVD 设备领设备领 域引领技术发展域引领技术发展 中微公司聚焦用于集成电路、中微公司聚焦用于集成电路、LED 芯片（也包括先进封装、芯片（也包括先进封装、MEMS）等微观器）等微观器 件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和 MOCVD 设备等关键设备的研发、生设备等关键设备的研发、生 产和销售。产和销售。 公司的等离子体刻蚀设备

13、已在国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、 7 纳米 和 5 纳米的集成电路加工制造及先进封装中有具体应用；公司的 MOCVD 设备在行 业领先客户的生产线上大规模投入量产，已成为世界排名前列、国内占领先地位的 氮化镓基 LED 设备制造商。公司自成立至今，已开出多款等离子体刻蚀设备以及 MOCVD 设备： 1）等离子体刻蚀设备）等离子体刻蚀设备 自 2004 年成立伊始，公司首先开发甚高频去耦合等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台 Primo D-RIE、双反应台 Primo AD-RIE 和单反应台 Primo SSC AD-RIE 三代刻蚀设备，

14、涵盖 65nm、 45nm、 32nm、28nm、22nm、14nm、7nm 和 5nm 微观器件的众多刻蚀应用； 2012 年，公司开发电感性等离子体刻蚀设备，到目前为止已成功开发单反 应台 Primo nanova 刻蚀设备，并同时开发双反应台电感性等离子体刻蚀设 备，主要涵盖 14nm、7nm 到 5nm 关键尺寸的刻蚀应用； 公司还针对集成电路先进封装、MEMS 的市场需求，开发了应用于这些领 域的电感性等离子体深硅刻蚀设备。 公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实 现量产， 美国商务部在2015年宣布解除了对我国等离子体刻蚀设备多年的出口管制。 2）薄膜

15、沉积设备）薄膜沉积设备 2010 年，公司开始开发 MOCVD 设备，其是 LED 器件加工中最关键的设备。 公司到目前已开发了三代 MOCVD 设备， 主要用于蓝绿光 LED 和功率器件等生产加 工， 包括第一代设备 Prismo D-Blue、 第二代设备 Prismo A7 及第三代更大尺寸设备。 3）VOC 设备设备 公司还于 2016 年推出 VOC 设备，用于平板显示生产线等工业用的空气净化。 表表1：公司自成立以来推出公司自成立以来推出以以等离子刻蚀设备、等离子刻蚀设备、MOCVD 设备设备为主的多型号产品为主的多型号产品 产品类型产品类型 型号 推出时间 应用领域 等离子体 刻

16、蚀设备 CCP Primo D-RIE 2007 年 65-16nm IC 制造 Primo AD-RIE 2011 年 45-7nm 逻辑 IC 制造 Primo AD-RIE-e (AD-RIE 增强型) 2017 年 7nm 以下逻辑 IC 制造 Primo SSC AD-RIE 2013 年 16nm 以下 2D 闪存芯片制造 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 4 / 17 产品类型产品类型 型号 推出时间 应用领域 Primo SSC HD-RIE 2016 年 64 层及以上的 3D 闪存芯片制造 ICP Primo nanova 2016 年 14nm 及以下的逻辑 IC；19n

17、m 以下存储器件和 3D 闪存芯片制造 Primo TSV 2010 年 用于深硅刻蚀，包括先进封装、CMOS图像传感器、MEMS、功率器件、等离 子切割等 MOCVD 设备 PrismoD-Blue 2013 年 蓝绿光 LED 外延片及功率器件生产 Prismo A7 2017 年 蓝绿光 LED 外延片生产 VOC 设备 2016 年 平板显示生产线等工业用的空气净化 资料来源：公司招股说明书、开源证券研究所 图图1：公司持续引领国内半导体设备技术的发展公司持续引领国内半导体设备技术的发展 资料来源：公司招股说明书 公司客户资源优质。公司客户资源优质。经过多年的努力，公司凭借其在刻蚀设备

18、及 MOCVD 设备 领域的技术和服务优势，已成功进入了部分海内外主流半导体制造企业，具有相对 优质的客户资源。公司刻蚀设备的用户包括台积电、中芯国际、联华电子、华力微电 子、海力士、长江存储等集成电路制造商（或半导体封测厂商） ；MOCVD 设备的客 户包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等 LED 芯片及功率器件制造商。 公司获得众多重量级奖项。公司获得众多重量级奖项。2018 年，在美国领先的半导体产业咨询公司 VLSI Research 对全球半导体设备公司的“客户满意度”调查和评比中，公司综合评分全球 第三， 等离子体刻蚀设备单项评比名列第二， 薄膜沉积设备单项评比名列第一；

19、2019 年，公司综合评分保持全球第三，并在芯片制造设备专业型供应商和专用芯片制造 设备供应商评比中均名列第二，同时，全球晶圆制造设备商评级为五星级公司仅有 五家，中微公司便是其中之一。这体现了公司在产品竞争力和客户满意度等方面的 优势。 表表2：公司客户资源优质公司客户资源优质 类别类别 客户类别客户类别 重要代表客户重要代表客户 刻蚀设备 集成电路制造商 半导体封测厂商 台积电、中芯国际、联华电子、华力微电子、海力士、长江 存储、华邦电子、晶方科技、格罗方德、博世、意法半导体 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 5 / 17 类别类别 客户类别客户类别 重要代表客户重要代表客户 MOCVD

20、设备 LED 芯片/功率器 件制造商 三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电 资料来源：公司公告、开源证券研究所 1.2、 “优质赛道“优质赛道+过硬过硬综合实力”推动业绩持续高增长综合实力”推动业绩持续高增长 受益优质赛道及综合能力， 公司营收、 归母净利润持续高速增长。受益优质赛道及综合能力， 公司营收、 归母净利润持续高速增长。 公司 2016-2019 年，主营业务收入整体呈现高速增长的态势，由 2016 年的 6.1 亿元，上升至 2019 年 的 19.5 亿元， CAGR 约 47.2%， 主要得益于： 1） 中国半导体行业处于加速发展阶段， 2） 公司持续研发投入并不断推出新产

21、品， 3） 公司拥有优质的客户资源和良好市场品 牌；其中 2019 年，在全球贸易争端不断、世界经济增长持续放缓、国内经济下行压 力加大的背景下，全球半导体产业、LED 产业及设备产业呈现大幅下滑态势，公司 收入增速虽有所降低，但仍旧取得了 18.8%的较高增长。公司归母净利润在 2017 年 实现扭亏为盈，2017-2019 年的归母净利润大幅增长，由 2017 年的 0.3 亿元，上升至 2019 年的 1.9 亿元，CAGR 约 151.0%。 图图2：公司营业收入保持高速增长（亿元）公司营业收入保持高速增长（亿元） 图图3：公司归母净利润保持高速增长（亿元）公司归母净利润保持高速增长（

22、亿元） 数据来源：Wind、开源证券研究所 数据来源：Wind、开源证券研究所 公司主营业务收入公司主营业务收入主要主要来源于以刻蚀设备、来源于以刻蚀设备、MOCVD 设备为主的专用设备，以设备为主的专用设备，以 中国大陆地区中国大陆地区收入收入为主。为主。 分业务来看， 在公司的主营业务收入中以专用设备为主， 此 外还有备品备件、 设备维护等收入， 2019 年， 上述收入/占主营业务比例， 依次为 15.9 亿元/81.5%、 3.4亿元/17.4%以及0.21亿元/1.1%。 在设备收入中， 以刻蚀设备、 MOCVD 设备为主，2018 年，上述专用设备收入/占设备收入比例依次为 5.7

23、 亿元/40.5%、8.3 亿元/59.5%。分地域来看，公司的大部分收入在中国大陆地区，2019 年，实现收入/ 占收入比例为 16.2 亿元/83.0%，此外在港澳台及海外实现收入/占收入比例为 3.3 亿 元/16.9%。 6.1 9.7 16.4 19.5 59.5% 68.7% 18.8% 0 5 10 15 20 25 30 2016201720182019 营业总收入YOY -2.4 0.3 0.9 1.9 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 2016201720182019 归属母公司股东的净利润YOY 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 6 / 17 图图4：主营业务收入

24、主营业务收入主要主要来源于以刻蚀设备、来源于以刻蚀设备、 MOCVD 设设 备为主的专用设备备为主的专用设备 图图5：公司公司中国大陆地区收入中国大陆地区收入占占比比 83% 数据来源：Wind、开源证券研究所 数据来源：Wind、开源证券研究所 公司研发投入大，是保障长期核心竞争力的基础。公司研发投入大，是保障长期核心竞争力的基础。公司研发投入较大，2019 年 金额达到 4.3 亿元，占营业收入比例 21.8%。其中费用化、资本化金额占研发投入比 例分别为 2.5 亿元/58.7%、1.8 亿元/41.3%。公司所处的半导体设备制造行业属于高 新技术产业， 持续的研发的投入、 新品推出是支

25、持业绩不断增长的基础条件， 较高的 研发投入为公司长期保持竞争力提供了基础保障。 图图6：公司研发投入水平高公司研发投入水平高 数据来源：Wind、开源证券研究所 毛利率下滑并非盈利能力下降，主要由于低毛利率业务快速发展。毛利率下滑并非盈利能力下降，主要由于低毛利率业务快速发展。公司毛利率 呈现小幅下滑趋势，由 2016 年的 42.5%下降至 2019 年的 34.9%，但总体维持良好水 平；其中 2017、2018 年下降幅度较大，累计达到 7.0pct，主要是由于产品结构变化 （毛利率相对较低的 MOCVD 设备 Prismo A7 销量大幅提升） 、市场策略变化导致； 2019 年下降

26、幅度不大，仅有 0.6pct。 管理费用率有所上升，销售费用率、财务费用率下降。管理费用率有所上升，销售费用率、财务费用率下降。公司 2019 年管理费用率 17.6%，较 2017 年上升 3.0pct；销售费用率 10.1%，较 2017 年下降 6.6pct；财务费用 率-0.1%，较 2017 年下降 1.9pct。 15.87 , 81.5% 3.38 , 17.4% 0.21 , 1.1% 0.01 , 0.1% 专用设备 备品备件 设备维护 其他业务 5.66 , 40.5% 8.32 , 59.5% 刻蚀设备 MOCVD设备 2019年数据2018年数据 16.16 , 83.

27、0% 3.30 , 16.9% 0.01 , 0.1% 中国大陆 港澳台地区及海外地区 其他业务(地区) 3.0 3.3 4.0 4.3 49.5% 34.0% 24.6% 21.8% 0 2 4 6 8 2016201720182019 研发支出研发支出/营收 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 7 / 17 图图7：毛利率有下降趋势毛利率有下降趋势 图图8：管理费用率上升管理费用率上升、销售销售/财务费用率下降财务费用率下降 数据来源：Wind、开源证券研究所 数据来源：Wind、开源证券研究所 2、 刻蚀设备刻蚀设备面临发展良机，面临发展良机，MOCVD 期待新期待新兴兴应用市场应用市场崛

28、起崛起 2.1、 刻蚀设备：刻蚀设备：公司国际市场突破、国内市场领先公司国际市场突破、国内市场领先，刻蚀设备行业面临刻蚀设备行业面临 三大发展机遇三大发展机遇 2.1.1、 CCP 和和 ICP 是等离子刻蚀设备中应用最广泛的两类设备是等离子刻蚀设备中应用最广泛的两类设备 刻蚀是用化学或者物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程，通刻蚀是用化学或者物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程，通 常在显影检查后进行，目的是在涂胶的硅片上正确复制掩膜图形。常在显影检查后进行，目的是在涂胶的硅片上正确复制掩膜图形。光刻胶层在刻蚀 工艺中不受显著侵蚀，被光刻胶覆盖的部分因受到保护而未被刻

29、蚀，没有覆盖的部 分将被刻蚀掉。刻蚀可以看做在硅片上复制所需图形最后的转移工艺步骤。 刻蚀在刻蚀在 CMOS 工艺工艺中中用于去除多余材料用于去除多余材料 资料来源：宽禁带半导体技术创新联盟 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺，干法刻蚀和湿法刻蚀，其中干法刻蚀在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺，干法刻蚀和湿法刻蚀，其中干法刻蚀 是亚微米尺寸下刻蚀器件最主要的方法。是亚微米尺寸下刻蚀器件最主要的方法。干法刻蚀也称等离子体刻蚀，是指使用气 态的化学刻蚀剂与硅片上未被光刻胶覆盖的材料发生物理或化学反应（或两者均有） ， 以去除暴露的表面材料的过程。通常，反应生成物具有可挥发性，可被抽离出反应 腔。湿

30、法刻蚀，是指采用液体化学试剂（酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面 材料的过程。早期的刻蚀工艺多采用湿法刻蚀，但因其在线宽控制和刻蚀方向性等 多方面的局限，3m 之后的工艺大多采用干法刻蚀，湿法刻蚀仅用来腐蚀硅片上的 某些层或残留物的清洗（湿法刻蚀在下文清洗设备部分阐述） 。干法刻蚀系统中，刻 蚀作用是通过化学作用或物理作用，或者共同作用来实现的，其中物理和化学混合 作用能使刻蚀获得好的线宽控制和较好的选择比，因而在大多数干法刻蚀工艺中被 42.5% 38.6% 35.5% 34.9% -39.2% 3.1% 5.5% 9.7% 2016201720182019 毛利率净利率 16.7% 1

31、3.2% 10.1% 14.6% 15.2% 17.6% 1.8% 0.6% -0.1% 5.8% 7.2% 12.0% 201720182019 销售费用率管理费用率财务费用率研发费用率 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 8 / 17 采用。 干法刻蚀为刻蚀技术的主流工艺干法刻蚀为刻蚀技术的主流工艺 资料来源：开源证券研究所 根据被刻蚀材料的种类，刻蚀设备可分为硅刻蚀设备、金属刻蚀设备和介质刻根据被刻蚀材料的种类，刻蚀设备可分为硅刻蚀设备、金属刻蚀设备和介质刻 蚀设备三大类。以等离子体产生和控制技术进行区分，电容耦合等离子体刻蚀设备蚀设备三大类。以等离子体产生和控制技术进行区分，电容耦合等离

32、子体刻蚀设备 （CCP）和电感耦合等离子体刻蚀设备（）和电感耦合等离子体刻蚀设备（ICP）是各类等离子体刻蚀设备中应用最广）是各类等离子体刻蚀设备中应用最广 泛的两类设备。泛的两类设备。 硅刻蚀用于去除硅的场合， 如刻蚀多晶硅栅及硅槽电容； 金属刻蚀主 要是在金属层上去除合金复合层， 制作出互联线； 介质刻蚀用于介质材料的刻蚀， 如 制作接触孔或通孔结构时 SiO2 的刻蚀。 传统的硅刻蚀及金属刻蚀偏向于使用离子能 量较低的设备，如 ICP 刻蚀设备；介质刻蚀偏向于使用离子能量较高的设备，如电 容耦合等离子体刻蚀设备 CCP 刻蚀设备。 干法刻蚀机干法刻蚀机按等离子技术不同可分为按等离子技术不

33、同可分为 ICP 及及 CCP 刻蚀机刻蚀机 资料来源：开源证券研究所 表表3：ICP 与与 CCP 刻蚀刻蚀机机适用的工序适用的工序存在区别存在区别 设备类型设备类型 适用工序适用工序 ICP STI 浅槽刻蚀；锗、多晶硅栅、金属栅、金属导线、金属焊垫、应变硅等材料刻蚀； 多重成像技术中的多道刻蚀工序 CCP 逻辑 IC 前段栅侧墙和硬掩膜刻蚀、中段接触孔刻蚀、后段镶嵌式和铝垫刻蚀，3D 闪 存 IC 深槽、深孔和线接触孔的刻蚀 资料来源：开源证券研究所 刻蚀设备也是集成电路制造工艺中最复杂、难度最大且使用比例最高的设备之 一。 随着芯片集成度不断提高， 生产工艺越发复杂， 刻蚀在整个生产流

34、程中所占的比 重也呈现上升趋势。 大部分被取代大部分被取代 仅用来腐蚀硅片上的某 些层或残留物的清洗 主流刻蚀工艺主流刻蚀工艺 3m 湿法湿法 刻蚀刻蚀 干法干法 刻蚀刻蚀 刻蚀刻蚀硅刻蚀硅刻蚀 金属刻蚀金属刻蚀 介质刻蚀介质刻蚀 ICP刻蚀刻蚀 CCP质蚀质蚀 按被刻蚀材料按等离子体技术 相对适用 相对适用 公司首次覆盖报告公司首次覆盖报告 9 / 17 2.1.2、 全球刻蚀设备市场全球刻蚀设备市场：CCP 拥有一席之地，拥有一席之地，部分技术水平达国际同类产品标准部分技术水平达国际同类产品标准 半导体刻蚀设备全球市场规模超过半导体刻蚀设备全球市场规模超过 100 亿美元亿美元/年， 三大

35、巨头瓜分超过年， 三大巨头瓜分超过 90%的市的市 场。场。 根据 SEMI 数据， 2019 年全球半导体制造设备销售额达到 598 亿美元， 相比 2018 年的历史高点同比下滑 7%；其中，根据公司招股说明书，晶圆制造环节的刻蚀设备 约占所有设备的 19.4%，即 116 亿美元。全球半导体刻蚀设备行业的集中度很高，主 要参与者以泛林半导体、东京电子以及应用材料为主，占据全球 90%以上的市场份 额。 图图12：晶圆制造环节的刻蚀设备约占所有设备的晶圆制造环节的刻蚀设备约占所有设备的 19.4% 资料来源：公司招股说明书 刻刻蚀设备的全球参与者以泛林半导体、东京电子以及应用材料为主蚀设备

36、的全球参与者以泛林半导体、东京电子以及应用材料为主 资料来源：公司招股说明书 公司电容性刻蚀设备全球占比公司电容性刻蚀设备全球占比 1.4%， 部分技术水平和应用领域已达国际同类产， 部分技术水平和应用领域已达国际同类产 品。品。公司经过十多年的努力使国产高端刻蚀设备在国际市场上拥有了一席之地。当 前公司所销售的刻蚀设备以电容性刻蚀设备为主，根据公司招股说明书，公司电容 性刻蚀设备的全球市占率约 1.4%左右。虽然公司刻蚀设备在销售规模上距离全球巨 头仍有一定差距，但部分技术水平和应用领域已达到国际同类产品标准，并已应用 于全球最先进的 7nm 和 5nm 生产线。 2.1.3、 中国刻蚀设备市场中国刻蚀设备市场：具有突出竞争力，市占率加速提升：具有突出竞争力，市占率加速提升 半导体刻蚀设备半导体刻蚀设备中国中国市场规模超过市场规模超过 180 亿亿元人民币元人民币/年年。根据 SEMI 数据，2019 年中国大陆半导体设备销售额 135 亿美元，同比上升 2.6%。若按成熟市场 19.4%的 占比，中国大陆刻蚀设备市场规模可达 26 亿美元，合 183 亿元人民币。 公司首次