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1、降本提效趋势明确,N 型硅片是未来发展方向。N 型电池片产业化提速,拉动 N 型硅片需求持续提升,目前市场上的 N 型硅片出货占比约 10%。根据 CPIA 数据,我们预计2023/2025 年 N 型硅片占比分别提升至 20/30%。薄片化有利于降低硅耗和硅片成本,根据中环股份测算,硅片每减薄 10um,原材料成本对应下降 2.5%(10/225=4.4%,硅片越薄下降幅度越大),N 型硅片便于薄片化对于成本下降有重要意义。目前 N 型单晶硅片电池厚度为 160m,根据 CPIA 预计,到 2025 年将减薄至 130m,因此,从效率提升和降本角度看,N 型硅片是未来发展方向。N 型硅片生产
2、要求高,设备更新改造与技术水平提升。N 型硅片生产要求:1)N 型控碳要求高,尾碳限制总投料量不能太高,较目前 P 型单炉总投料下降约 30%;2)N 型硅片对于控碳、纯度要求高,因此对坩埚、热场、结构件及保温毡等材料灰分要求较高;3)磷的分凝系数高于镓,使的硅棒长度变长、平均拉速变快。从设备与耗材角度看,1)基于 N 型硅片对纯度的要求,碳碳热场的渗透率、石英坩埚更换频率及低灰分保温毡的需求量将持续增加;2)基于 N 型硅片尺寸增加,根据 CPIA 预计,到 2023/2025 年拉棒单炉投料量分别提升至 2600/3000kg,182+硅片占比分别 85%/95%,单晶炉和坩埚等拉晶设备尺
3、寸持续增加。晶硅电池技术是以硅片为衬底,根据硅片的差异区分为 P 型电池和 N 型电池。1)P型电池,传统单晶和多晶电池主要技术路线为铝背场技术(Al-BSF),目前主流的 P 型单晶电池技术为 PERC 电池技术,该技术制造工艺简单、成本低,叠加 SE(选择性发射技术)提升电池转换效率;2)N 型电池,随着 P 型电池逐渐接近其转换效率极限,N 型将成为下一代电池技术的发展方向。N 型电池具有转换效率高、双面率高、温度系数低、无光衰、弱光效应好、载流子寿命更长等优点,主要制备技术包括 PERT/PERL、TOPCon、 IBC、异质结(HJT)等。N 型电池转换效率高,有望替代 P 型电池成
4、为发展主流。从目前技术发展来看,P 型PERC 电池已经迫近效率天花板,降本速度也有所放缓。而 N 型电池效率天花板较高,电池工艺和效率提升明显加快,未来效率提升空间大。随着国产化设备成本不断降低,N 型将成为未来主流的电池技术路线,预计 2021 年将是 N 型电池加速量产的关键时点。目前实现小规模量产(>1GW)的新型高效电池主要包括 TOPCon、HJT 和 IBC 三种,HBC、叠层电池暂时还处于实验室研发阶段。同时,N 型电池技术组成的叠层电池,转换效率将有进一步提升的空间。1) 从效率角度看,TOPCon 电池的极限理论效率达到 28.7%,高于 HJT 的 27.5%和 P
5、ERC 的 24.5%。而从目前量产效率看,PERC 已经达到 23%附近,TOPCon和 HJT 已经超过 24%,但距极限效率仍有一定差距,效率提升的空间更大;2) 从工艺角度看,PERC 目前最成熟, TOPCon 需要在 PERC 产线上增加扩散、刻蚀及沉积设备改造,成本增加幅度小;而 HJT 电池工艺最简单、步骤最少(核心工艺仅 4 步),但基本全部替换掉 PERC 产线,IBC 电池工艺最难最复杂;3) 从成本角度看,PERC 产业化最快成本低,TOPCon 电池兼容性最高,可从PERC/PERT 产线升级,IBC 次之,HJT 电池完全不兼容现有设备,需要新建产线,较 PERC 成本高 2.5 亿元,较 TOPCon 成本高 2 亿元,成本仍有下降空间。