电子行业半导体系列报告：长江存储持续进阶国产3D NAND加速崛起-210719（38页）.pdf

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1、5G 时代 UFS3.1 将逐渐占据手机嵌入式市场，拉动高层 NAND Flash 需求。UFS2.1 双通道的读写速度为 822MB/S 和 242MB/S，性能和 UFS3.1 存在较大差距，UFS3.1 更适用于 5G时代，主流品牌旗舰 5G 手机几乎都使用了 UFS3.1 闪存。经过 AndroBench 测试，目前最高级别的 UFS3.1 的持续读写速度分别达到 1953MB/s 和 754MB/s，和 UFS2.1 相比大幅提升。高层数 3D NAND Flash 更适配 UFS3.0 及以上产品，高层 NAND Flash 需求将加速增长。需求端：5G+企业云建设将推动 NAND

2、 闪存市场规模增长。在 5G 以及企业云建设带动下全球 NAND Flash 市场规模将会在 2021 年延续增长。受益于疫情带来的远程办公需求，全球闪存产值在 2020 年强势反弹，产值约为 560 亿美元，同比上升约 30%。NAND Flash 芯片已经应用于手机、PC、相机、服务器、机顶盒、消费电子、U 盘等众多领域。2021 年，随着疫情后的经济复苏，形成 5G 智能手机换机潮，全球智能手机出货量的提升带动存储芯片的增长。5G手机存储容量大幅提升，2021年各大品牌5G旗舰机型存储量上限几乎都达到了512GB。推动存储芯片需求的进一步增长。企业级云服务的大规模建设将会使闪存的需求迎来

3、新一轮的增长。预计 2022 年 NANDFlash 产值将会达到约 770 亿美元，实现 10%的同比增长。2019 年全球 NAND Flash 容量共为3050 亿 GB，预计 2021 年容量增加至 6300 亿 GB，2016-2021 年 CAGR 为 40.8%。全球 NAND 市场规模触底反弹。2019 年全球 NAND 市场规模和单价在经历下跌后，在2020 年回升。2021 数据中心的新开发需求和 5G 手机、游戏主机和笔记本电脑等消费端需求，继续拉动 SSD 和手机嵌入式市场增长，全球 NAND Flash 需求大量涌现。2020 年全球大厂供应商供给均相对保守，位元出货量成长率总体呈下降趋势，三星、英特尔、美光和海力士的出货量年成长率均低于 3 成。在全球供需影响下，全球 NAND 市场规模上涨，价格止跌回升。