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电子行业第三代半导体系列报告之二:政策红利衬底破局-210718(30页).pdf

上传人: e**** 编号:45839 2021-07-20 30页 2.41MB

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本文主要介绍了第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的发展趋势和市场前景。 1. 第三代半导体材料主要包括碳化硅和氮化镓,具有更宽的禁带宽度,更高的电导率和热导率,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。 2. 新能源汽车是碳化硅最重要的下游领域,主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。根据Yole数据,碳化硅功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金,CAGR约51%。 3. 碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金,CAGR达44%。目前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。 4. 国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局,自主可控能力较强。建议关注设备厂商:露笑科技、三安光电、晶盛机电;衬底厂商:三安光电、露笑科技、天科合达、山东天岳等;外延厂商:瀚天天成、东莞天域等;器件厂商:三安光电、比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技等。
碳化硅衬底材料市场前景如何? 第三代半导体材料有哪些优势? 国内碳化硅衬底厂商有哪些?
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