LUCID最新短波红外和紫外相机先进传感技术介绍——Lucid Vision Labs.Inc叶冲先生.pdf

《LUCID最新短波红外和紫外相机先进传感技术介绍——Lucid Vision Labs.Inc叶冲先生.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《LUCID最新短波红外和紫外相机先进传感技术介绍——Lucid Vision Labs.Inc叶冲先生.pdf（37页珍藏版）》请在三个皮匠报告上搜索。

1、LUCID VISION LABS INC.July 2024LUCID最新短波红外和紫外相机先进传感技术介绍LUCID VISION LABS,INC.SHORT WAVE INFRARED(SWIR)SWIR 光谱通常覆盖1000 nm to 2500 nm.基于单晶硅图像传感器的理论感光度极限(Cut Off)是1,070 nm.铟镓砷(InGaAs)或碲镉汞(MCT)等化合物半导体被用于传感器材料，以实现SWIR区域的灵敏度.201020304050607080903005007009001100130015001700QE(%)Wavelength(nm)InGaAsCMOSLUCI

2、D VISION LABS,INC.SHORT WAVE INFRARED(SWIR)301020304050607080903005007009001100130015001700QE(%)Wavelength(nm)InGaAsCMOSLUCID VISION LABS,INC.SWIR 成像原理光和物质的交互取决于波长.反映为光的吸收、反射或透射.与可见光光谱相比，SWIR波段的光谱特征不同。窄带SWIR成像可以用来区分在可见光下看起来相似的材料.高对比度图像非常适合标准图像处理技术。4Ex:Liquid water absorption spectrumCameraEx:Absorpt

3、ion spectrum of liquid waterLUCID VISION LABS,INC.SWIR IMAGING PRINCIPLES5Ex:Liquid water absorption spectrumCameraLUCID VISION LABS,INC.更优异的 SWIR 成像技术6传统 InGaAs 传感器，Bump Bonding锡球凸点键合工艺 Sony SenSWIR InGaAs 传感器，采用 Cu-Cu 铜铜键合工艺 InP LayerInP LayerInGaAs LayerBump BondingCu-CuBondingSenSWIR铜对铜(Cu-Cu)连接

4、产生更小的像素间距和更小的像素尺寸，只有5.0m。这允许在较小的传感器尺寸中使用更高分辨率的传感器。Pixel Pitch 5mPixel Pitch 10m索尼SenSWIR传感器的顶部铟磷(InP)层更薄，允许更多的光线到达InGaAs层.LUCID VISION LABS,INC.可见光-SWIR 光谱响应701020304050607080903005007009001100130015001700QE(%)Wavelength(nm)SenSWIRInGaAsCMOS单相机从可见光到SWIR成像的高量子效率.降低系统复杂程度 vs.双相机需求(CMOS+InGaAs).在近红外和SW

5、IR范围内，许多潜在的应用有待于利用SenSWIR功能进行探索。LUCID VISION LABS,INC.ATLAS/TRI SWIR8防水防尘设计GigE Vision 和PoE+适应宽温IP67 GigE Vision Camera 400nm-1700nm覆盖可见光和不可见光集成的单级热电sensor冷却(TEC1)降低噪声，提供无与伦比的优质图像宽灵敏度Sony SenSWIR SensorsIMX990:1280 x 1024 px(1.3MP),95 fpsIMX991:640 x 512 px(0.3MP),256 fpsPixel size:5m x 5mLUCID VISI

6、ON LABS,INC.ATLAS/TRI SWIR9LUCID VISION LABS,INC.热电冷却(TEC)10SenSWIR Sensor热电冷却(TEC)内部散热铝合金外壳LUCID VISION LABS,INC.制冷和非制冷之间差别11LUCID VISION LABS,INC.12噪声随曝光时间的变化噪声随曝光时间的变化LUCID VISION LABS,INC.应用案例13水分含量估算Visible wavelength1300nm wavelengthLUCID VISION LABS,INC.波长比较14940nmVisible1050nm1200nm1450nm130